公开(公告)号：CN118871617A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202380026984.8

申请日：2023-02-10

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 李承铉 ,  郑在善 ,  延昌峰 ,  陈齐俊 ,  曹德贤 ,  南知贤

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/04 ,  C23C16/40 ,  C23C16/34 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及一种遮蔽化合物、利用其的薄膜形成方法、由该方法制备的半导体基板及半导体器件，其中，提供规定结构的化合物作为遮蔽剂，基于所述遮蔽剂的吸附分布度差异，在基板上形成厚度均匀的堆积层作为遮蔽区域，从而减少薄膜的沉积速度，并适当地降低薄膜生长率，即使在结构复杂的基板上形成薄膜时，也具有能够显著提高台阶覆盖性(step coverage)及薄膜的厚度均匀性并减少杂质的效果。

公开(公告)号：CN118974312A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202380024968.5

申请日：2023-02-28

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 延昌峰 ,  李承铉 ,  郑在善 ,  南知贤

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/30

Abstract: 本发明涉及一种薄膜改性组合物、利用其的薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体器件，其中，使用由预定结构的膜生长/膜质改善化合物和特定介电常数的溶剂组成的薄膜改性组合物，在实施基于真空的薄膜工序时，适当地降低沉积膜的生长率，从而即便在结构复杂的基板上形成薄膜，也能够大幅提高阶梯覆盖性(step coverage)及薄膜的厚度均匀性，并且能够改善蚀刻膜的效率，显著减少杂质污染。

公开(公告)号：CN119325525A

公开(公告)日：2025-01-17

申请号：CN202380045577.1

申请日：2023-06-07

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 南知贤 ,  郑在善

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  C07F11/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明涉及一种使用薄膜前驱体化合物的薄膜形成方法、由此制备的半导体基板及半导体器件，根据本发明，提供一种薄膜前驱体化合物、使用其的薄膜形成方法及由此制备的半导体基板，其使用由规定的化学式2表示的薄膜前驱体化合物，具有以下的效果：沉积速度非常快，在注入至薄膜沉积腔室时易于处理，尤其，由于具有显著的热稳定性而纯度非常高且台阶覆盖性优异，进而，抑制副反应，从而降低薄膜生长率，即便在具有复杂结构的基板上形成薄膜时，也能够大幅提高台阶覆盖性(step coverage)及薄膜的厚度均匀性，并提高薄膜的密度，从而大幅提高薄膜的电特性。

公开(公告)号：CN116981795A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202280015910.X

申请日：2022-02-22

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 郑在善 ,  延昌峰 ,  李承铉 ,  南知贤 ,  赵成禹

IPC: C23C16/455

Abstract: 本发明涉及一种辅助前体、薄膜前体组合物、利用其的薄膜形成方法以及通过该方法制造的半导体基板，提供包含对薄膜前体化合物表现出反应稳定性的预定结构的化合物作为辅助前体的薄膜前体组合物，在薄膜沉积工艺中利用所述薄膜前体组合物以抑制副反应，而且适当地控制薄膜生长率，并去除薄膜中的工艺副产物，从而即便在结构复杂的基板上沉积薄膜，也能够大幅改善台阶覆盖性、薄膜的厚度均匀性以及电阻率特性，减少腐蚀和劣化，改善薄膜的结晶度，从而改善薄膜的电学特性。

公开(公告)号：CN118872027A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202380027561.8

申请日：2023-10-11

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 延昌峰 ,  郑在善 ,  曹德贤 ,  河昭银 ,  南知贤

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  C23C16/02 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明涉及一种真空薄膜改性剂、包含其的薄膜改性组合物、利用其的薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体元件，通过提供规定结构的化合物作为真空薄膜改性剂，以在真空薄膜工艺中，适当地降低沉积膜的生长率，从而即便在结构复杂的基板上形成薄膜，也能够大幅提高台阶覆盖性(step coverage)和薄膜的厚度均匀性，并且能够改善蚀刻膜的效率，而且具有显著减少碳等杂质的污染的效。

公开(公告)号：CN117015630A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202280018618.3

申请日：2022-03-04

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 延昌峰 ,  郑在善 ,  南知贤

IPC: C23C16/08

Abstract: 本发明涉及一种金属薄膜前体组合物、利用其的薄膜形成方法以及通过该方法制造的半导体基板，提供包含金属薄膜前体化合物以及具有预定的端基和结构的生长调节剂的金属薄膜前体组合物，在薄膜沉积工艺中利用所述金属薄膜前体组合物以抑制副反应，而且适当地控制薄膜生长率，并去除薄膜中的工艺副产物，从而即便在结构复杂的基板上沉积薄膜，也能够大幅改善台阶覆盖性(step coverage)、薄膜的厚度均匀性以及电阻率特性，减少腐蚀和劣化，改善薄膜的结晶度，从而改善薄膜的电学特性。