公开(公告)号：CN118871617A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202380026984.8

申请日：2023-02-10

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 李承铉 ,  郑在善 ,  延昌峰 ,  陈齐俊 ,  曹德贤 ,  南知贤

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/04 ,  C23C16/40 ,  C23C16/34 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及一种遮蔽化合物、利用其的薄膜形成方法、由该方法制备的半导体基板及半导体器件，其中，提供规定结构的化合物作为遮蔽剂，基于所述遮蔽剂的吸附分布度差异，在基板上形成厚度均匀的堆积层作为遮蔽区域，从而减少薄膜的沉积速度，并适当地降低薄膜生长率，即使在结构复杂的基板上形成薄膜时，也具有能够显著提高台阶覆盖性(step coverage)及薄膜的厚度均匀性并减少杂质的效果。

公开(公告)号：CN118872027A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202380027561.8

申请日：2023-10-11

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 延昌峰 ,  郑在善 ,  曹德贤 ,  河昭银 ,  南知贤

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  C23C16/02 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明涉及一种真空薄膜改性剂、包含其的薄膜改性组合物、利用其的薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体元件，通过提供规定结构的化合物作为真空薄膜改性剂，以在真空薄膜工艺中，适当地降低沉积膜的生长率，从而即便在结构复杂的基板上形成薄膜，也能够大幅提高台阶覆盖性(step coverage)和薄膜的厚度均匀性，并且能够改善蚀刻膜的效率，而且具有显著减少碳等杂质的污染的效。

公开(公告)号：CN117452766A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202310811505.5

申请日：2023-07-03

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式公社

Inventor： 金文子 ,  李承炫 ,  郑在善 ,  刘炳哲 ,  李炳勋 ,  丁昶荣 ,  金德铉 ,  曹德贤

IPC: G03F1/62

Abstract: 本发明涉及用于光刻的保护膜片、包括其的表膜和其形成方法。本文中提供用于光刻的保护膜片，其包括：包括碳的芯层、在所述芯层上的界面层、和在所述界面层上的保护层。所述界面层包括键合至所述芯层的碳原子的反应性基团，并且所述反应性基团包括氧或氮。所述保护层包括元素“M”，并且元素“M”键合至所述反应性基团的氧或氮。