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公开(公告)号：CN115735021A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202180046637.2
申请日：2021-07-16
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明涉及薄膜形成用生长抑制剂、利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板，具体涉及作为由化学式1表示的化合物的薄膜形成用生长抑制剂、利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板，[化学式1]AnBmXoYiZj其中，所述A为碳或硅；所述B为氢或碳原子数为1～3的烷基；所述X为键离解能为50～350KJ/mol的离去基团；所述Y与Z各自独立地为选自氧、氮、硫以及氟中的一种以上且彼此不同；所述n为1～15的整数；所述o为1以上的整数；所述m为0～2n+1；所述i和j分别为0～3的整数。根据本发明，提供薄膜形成用生长抑制剂、利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板，其能够抑制副反应，以降低薄膜生长率，并去除薄膜内工艺副产物，从而即便在结构复杂的基板上形成薄膜，也能够大幅改善台阶覆盖性以及薄膜的厚度均匀度。
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公开(公告)号：CN111377936B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN201911293769.6
申请日：2019-12-16
IPC: C07D491/107 , C07D495/10 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 本公开提供了下式的延迟荧光化合物、以及包含所述有机发光化合物的有机发光二极管和有机发光显示装置，所述有机发光二极管包括第一电极、第二电极和在第一电极与第二电极之间的有机发光层，其中所述延迟荧光化合物包含在有机发光层中。
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公开(公告)号：CN111349079B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201911293576.0
申请日：2019-12-16
IPC: C07D401/10 , C07D401/14 , C07D405/14 , C07D471/10 , C07D491/107 , C07D495/10 , C07F7/10 , H10K50/11 , H10K85/60
Abstract: 本公开涉及有机化合物、OLED和有机发光装置，所述有机化合物包含作为电子供体的螺环结构的稠合杂芳族部分和通过取代有至少一个吸电子基团的亚芳基连接基团与所述电子供体连接的作为电子受体的三嗪部分，所述OLED和所述有机发光装置各自将所述有机化合物应用于至少一个发光单元。所述有机化合物能够使得所述有机发光二极管提高其发光效率并改善其颜色纯度。
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公开(公告)号：CN112851687A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011369987.6
申请日：2020-11-30
IPC: C07D491/147 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 本公开涉及有机化合物、包含该化合物的有机发光二极管和装置，具体涉及具有下述化学式1的结构的有机化合物，以及包含该有机化合物的有机发光二极管(OLED)和有机发光装置。该有机化合物包括电子受体的三嗪部分和与该三嗪部分分开的电子供体的稠合杂芳族部分。该有机化合物在单个分子中包括电子受体部分和电子供体部分，因此电子可以在该分子中移动。另外，由于所述有机化合物包括刚性稠合杂芳环，有机化合物的三维变形受限，因此该化合物可具有优异的发光效率和色纯度。[化学式1]
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公开(公告)号：CN112851687B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202011369987.6
申请日：2020-11-30
IPC: C07D491/147 , C09K11/06 , H10K50/11 , H10K85/60
Abstract: 本公开涉及有机化合物、包含该化合物的有机发光二极管和装置，具体涉及具有下述化学式1的结构的有机化合物，以及包含该有机化合物的有机发光二极管(OLED)和有机发光装置。该有机化合物包括电子受体的三嗪部分和与该三嗪部分分开的电子供体的稠合杂芳族部分。该有机化合物在单个分子中包括电子受体部分和电子供体部分，因此电子可以在该分子中移动。另外，由于所述有机化合物包括刚性稠合杂芳环，有机化合物的三维变形受限，因此该化合物可具有优异的发光效率和色纯度。[化学式1]#imgabs0#
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115768921A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202180046700.2
申请日：2021-07-16
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明涉及薄膜形成用生长抑制剂、利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板。具体涉及作为由化学式1表示的化合物的薄膜形成用生长抑制剂、利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板，[化学式1]AnBmXoYiZj其中，所述A为碳或硅；所述B为氢或碳原子数为1～3的烷基；所述X为氟、氯、溴以及碘中的一种以上；所述Y与Z各自独立地为选自氧、氮、硫以及氟中的一种以上且彼此不同；所述n为1～15的整数；所述o为1以上的整数；m为0～2n+1；所述i和j分别为0～3的整数。根据本发明，提供薄膜形成用生长抑制剂、利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板，其能够抑制副反应，以降低薄膜生长率，并去除薄膜内工艺副产物，从而即便在结构复杂的基板上形成薄膜，也能够大幅改善台阶覆盖性以及薄膜的厚度均匀度。
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公开(公告)号：CN114599658B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202080074133.7
申请日：2020-10-28
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C07F5/00 , C23C16/18 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及一种铟前体化合物，利用该铟前体化合物的薄膜的制备方法及由此制备的基板，更加详细涉及由化学式1表示的铟前体化合物，利用该铟前体化合物的薄膜的制备方法及由此制备的基板。根据本发明，能够形成均匀的薄膜，并由于改善沉积速度而提高生产率，同时热稳定性和保存稳定性优秀，且易于处理。
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公开(公告)号：CN111403614B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201911379866.7
申请日：2019-12-27
IPC: H10K50/12 , H10K59/12 , H10K85/60 , H10K101/10 , H10K101/40 , H10K101/30
Abstract: 本公开提供了一种有机发光二极管和包括其的有机发光显示装置。该有机发光二极管包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；以及包括p型基质、n型基质和磷光掺杂剂并且位于第一电极和第二电极之间的发光材料层，其中，p型基质的第一HOMO能级等于或低于n型基质的第二HOMO能级，并且n型基质的单线态能级与n型基质的三线态能级之间的差大于0.3eV且小于0.5eV。
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公开(公告)号：CN114599658A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202080074133.7
申请日：2020-10-28
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C07F5/00 , C23C16/18 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及一种铟前体化合物，利用该铟前体化合物的薄膜的制备方法及由此制备的基板，更加详细涉及由化学式1表示的铟前体化合物，利用该铟前体化合物的薄膜的制备方法及由此制备的基板。根据本发明，能够形成均匀的薄膜，并由于改善沉积速度而提高生产率，同时热稳定性和保存稳定性优秀，且易于处理。
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公开(公告)号：CN111403614A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201911379866.7
申请日：2019-12-27
Abstract: 本公开提供了一种有机发光二极管和包括其的有机发光显示装置。该有机发光二极管包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；以及包括p型基质、n型基质和磷光掺杂剂并且位于第一电极和第二电极之间的发光材料层，其中，p型基质的第一HOMO能级等于或低于n型基质的第二HOMO能级，并且n型基质的单线态能级与n型基质的三线态能级之间的差大于0.3eV且小于0.5eV。
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