公开(公告)号：CN115702257B

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202180043888.5

申请日：2021-06-22

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 延昌峰 ,  郑在善 ,  边惠兰 ,  严泰泳 ,  李锡宗

IPC: C23C16/18 ,  C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  C23C16/34 ,  C07F9/00

Abstract: 本发明涉及薄膜形成用前体、其制备方法以及包含其的薄膜制备方法，具体涉及在20℃、1bar条件下为液体，并且，包含20～100重量％的由化学式1表示的配位化合物以及0～80重量％的烷基的碳原子数为1～15的烷基氰化物的薄膜形成用前体、其制备方法以及包含其的薄膜制备方法，[化学式1]MXnLmYz其中，M为铌(Nb)、钨(W)或钼(Mo)；X为卤素元素；n为1～6的整数；L为烷基的碳原子数为1～15的烷基氰化物，或碳原子数为3～15且被一个以上的氮(N)、氧(O)、磷(O)或硫(S)取代的线性或环状饱和烃；m为1～3的整数；所结合的Y为胺；z为0～4的整数；n+z为3～6的整数。根据本发明，提供一种薄膜形成用前体、其制备方法以及包含其的薄膜制备方法，该薄膜形成用前体在常温下为液态，挥发性强，因此沉积速度非常快，并且当注入到薄膜沉积腔室时，易于处理，尤其是热稳定性出色，因而能够制备出纯度高且台阶覆盖性优秀的薄膜。

公开(公告)号：CN115702257A

公开(公告)日：2023-02-14

申请号：CN202180043888.5

申请日：2021-06-22

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 延昌峰 ,  郑在善 ,  边惠兰 ,  严泰泳 ,  李锡宗

IPC: C23C16/18 ,  C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  C23C16/34 ,  C07F9/00

Abstract: 本发明涉及薄膜形成用前体、其制备方法以及包含其的薄膜制备方法，具体涉及在20℃、1bar条件下为液体，并且，包含20～100重量％的由化学式1表示的配位化合物以及0～80重量％的烷基的碳原子数为1～15的烷基氰化物的薄膜形成用前体、其制备方法以及包含其的薄膜制备方法，[化学式1]MXnLmYz其中，M为铌(Nb)、钨(W)或钼(Mo)；X为卤素元素；n为1～6的整数；L为烷基的碳原子数为1～15的烷基氰化物，或碳原子数为3～15且被一个以上的氮(N)、氧(O)、磷(O)或硫(S)取代的线性或环状饱和烃；m为1～3的整数；所结合的Y为胺；z为0～4的整数；n+z为3～6的整数。根据本发明，提供一种薄膜形成用前体、其制备方法以及包含其的薄膜制备方法，该薄膜形成用前体在常温下为液态，挥发性强，因此沉积速度非常快，并且当注入到薄膜沉积腔室时，易于处理，尤其是热稳定性出色，因而能够制备出纯度高且台阶覆盖性优秀的薄膜。