半导体器件
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104465610B

    公开(公告)日:2018-10-19

    申请号:CN201410494163.X

    申请日:2014-09-24

    Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。源极互连和漏极互连被交替地设置在多个晶体管单元之间。一条接合线在多个点处被连接到源极互连。另一接合线在多个点处被连接到源极互连。另外,一条接合线在多个点处被连接到漏极互连。另外,另一接合线在多个点处被连接到漏极互连。

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