公开(公告)号：CN111276447B

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN201911222003.9

申请日：2019-12-03

Applicant: 现代摩比斯株式会社

Inventor： 赵汉信

IPC: H01L23/13 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L21/48 ,  H01L21/52

Abstract: 本发明提供了一种双侧冷却功率模块及其制造方法，该双侧冷却功率模块包括在其至少一个表面上包括凹陷部的下基板、形成在凹陷部中的半导体芯片、形成在下基板的两端的引线框架、以及形成在半导体芯片、引线框架的至少一部分以及下基板上的上基板。

公开(公告)号：CN107527943B

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN201710469418.0

申请日：2017-06-20

Applicant: 现代摩比斯株式会社

Inventor： 金莹俊 ,  禹赫 ,  金台烨 ,  赵汉信 ,  朴泰泳 ,  李珠焕

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/739

Abstract: 本公开涉及功率半导体装置。本发明提供了一种半导体装置，其包括：衬底，包括有源区域和边缘区域并且包含掺杂有具有第一导电类型的杂质的半导体；绝缘膜，设置在衬底的边缘区域上；场板图案，设置在绝缘膜上；以及具有第二导电类型的至少一个第一掺杂区域，被埋入衬底的边缘区域中并且在具有平行于衬底的上表面的矢量分量的方向上延伸。

公开(公告)号：CN110021590B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN201811464518.5

申请日：2018-12-03

Applicant: 现代摩比斯株式会社

Inventor： 赵汉信

IPC: H01L25/18 ,  H01L21/48 ,  H01L23/367 ,  H01L23/48 ,  H01L23/482 ,  H01L23/485 ,  H01L23/495

Abstract: 提供了一种电源芯片集成模块、其制造方法及双面散热电源模块封装，该电源芯片集成模块包括：第一半导体芯片；第二半导体芯片；设置在第一半导体芯片和第二半导体芯片的上表面或下表面上以电连接第一半导体芯片和第二半导体芯片的布线层；从布线层、第一半导体芯片、第二半导体芯片及其组合中的至少一个的上表面上的内部电极垫延伸至第一半导体芯片和第二半导体芯片的安装表面上的外部的焊垫的内部电极；以及具有包围第一半导体芯片、第二半导体芯片和内部电极中的至少一部分的形状的第一成型件。