知搜-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

17 records (took 0.031 seconds)

    有机发光二极管、有机发光二极管的制造方法、图像显示装置及照明装置
    1.
    发明公开
    有机发光二极管、有机发光二极管的制造方法、图像显示装置及照明装置 有权

    公开(公告)号：CN105633299A

    公开(公告)日：2016-06-01

    申请号：CN201610215116.6

    申请日：2012-12-26

    Applicant: 王子控股株式会社

    Inventor： 筱塚启 ,  冈本隆之 ,  河向悦子

    IPC: H01L51/52

    CPC classification number: H01L51/5262 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5218 ,  H01L51/5234 ,  H01L51/5271 ,  H01L51/5275 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2251/5369

    Abstract: 本发明提供一种有机发光二极管用衬底、有机发光二极管、有机发光二极管用衬底的制造方法、有机发光二极管的制造方法、图像显示装置及照明装置，由一种发光材料制作的单色有机发光二极管元件的取光效率高且没有微细凹凸结构的稍微的变化导致取出波长从目标的发光波长偏移的担忧，能够取出从可见光到近红外区域中具有任意的中心波长的具有某种程度扩展的窄波段的光。本发明的有机发光二极管是顶部发光型的有机发光二极管，在衬底上至少依次层叠有：由金属材料构成的反射层、由透明导电材料构成的阳极导电层、包含含有有机发光材料的发光层的有机EL层、层叠了半透射金属层及由透明导电材料构成的透明导电层的阴极导电层，在上述半透射金属层的与上述透明导电层侧相接的面形成有多个凸部周期性地二维排列的二维光栅结构，其中，在上述面形成的凸部中的相邻的凸部间的中心间距离P在将上述面处的以复数表示的表面等离子体激元的传播常数的实部设为k时，上述中心间距离P是式（1）的范围的值，上述式（1）中的P0在作为上述二维光栅结构而形成三角光栅结构时满足下式（2），在作为上述二维光栅结构而形成正方光栅结构时满足下式（3）。

    半导体发光元件用基板以及半导体发光元件用基板的制造方法
    2.
    发明授权
    半导体发光元件用基板以及半导体发光元件用基板的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN108475710B

    公开(公告)日：2021-06-01

    申请号：CN201780006921.0

    申请日：2017-01-18

    Applicant: 王子控股株式会社

    Inventor： 大纮太郎 ,  筱塚启 ,  八田嘉久

    IPC: H01L33/22 ,  C30B25/04 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205

    Abstract: 本发明提供一种能够降低发光层中的结晶的结晶转位密度的半导体发光元件用基板以及半导体发光元件用基板的制造方法。半导体发光元件用基板，具备：基准面，其与构成半导体发光元件用基板的材料的结晶面平行的平坦面；以及多个凸部，其从基准面突出，并在沿着结晶面的二维晶格上排列，并且作为前端面具有与结晶面平行的平坦面，在包含基准面的平面中的互相相邻的凸部的间距P为100nm以上且5.0μm以下，在与基准面相对向的俯视中，单位面积中的前端面的合计面积为第1面积S1，单位面积中的基准面的合计面积为第2面积S2时，满足0.76≦S1/S2≦7.42。

    半导体发光元件用基板以及半导体发光元件
    3.
    发明公开
    半导体发光元件用基板以及半导体发光元件 失效

    公开(公告)号：CN110047981A

    公开(公告)日：2019-07-23

    申请号：CN201910194013.X

    申请日：2014-10-09

    Applicant: 王子控股株式会社

    Inventor： 梶田康仁 ,  筱塚启 ,  大纮太郎

    IPC: H01L33/22 ,  H01L33/00

    Abstract: 本发明提供一种能够提升在半导体发光元件中的光取出效率的半导体发光元件用基板的制造方法、半导体发光元件的制造方法、半导体发光元件用基板以及半导体发光元件。半导体发光元件用基板(11)具有可形成有包含半导体层的发光构造体的发光构造体形成面(11S)，发光构造体形成面(11S)具备：沿着一个结晶面展开的平坦部(14)、从平坦部(14)突出的多个大径突部(12)、以及小于大径突部(12)的多个小径突部(13)，所述多个小径突部(13)中的至少一部分从所述大径突部(12)的外表面突出。

    有机发光二极管、有机发光二极管的制造方法、图像显示装置及照明装置
    5.
    发明公开
    有机发光二极管、有机发光二极管的制造方法、图像显示装置及照明装置 有权

    公开(公告)号：CN104335679A

    公开(公告)日：2015-02-04

    申请号：CN201280070853.1

    申请日：2012-12-26

    Applicant: 王子控股株式会社

    Inventor： 筱塚启 ,  冈本隆之 ,  河向悦子

    IPC: H05B33/02 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H05B33/24

    CPC classification number: H01L51/5262 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5218 ,  H01L51/5234 ,  H01L51/5271 ,  H01L51/5275 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2251/5369

    Abstract: 本发明提供一种有机发光二极管用衬底、有机发光二极管、有机发光二极管用衬底的制造方法、有机发光二极管的制造方法、图像显示装置及照明装置，由一种发光材料制作的单色有机发光二极管元件的取光效率高且没有微细凹凸结构的稍微的变化导致取出波长从目标的发光波长偏移的担忧，能够取出从可见光到近红外区域中具有任意的中心波长的具有某种程度扩展的窄波段的光。本发明的有机发光二极管是顶部发光型的有机发光二极管，在衬底上至少依次层叠有：由金属材料构成的反射层、由透明导电材料构成的阳极导电层、包含含有有机发光材料的发光层的有机EL层、层叠了半透射金属层及由透明导电材料构成的透明导电层的阴极导电层，在上述半透射金属层的与上述透明导电层侧相接的面形成有多个凸部周期性地二维排列的二维光栅结构，其中，在上述面形成的凸部中的相邻的凸部间的中心间距离P在将上述面处的以复数表示的表面等离子体激元的传播常数的实部设为k时，上述中心间距离P是式（1）的范围的值，上述式（1）中的P0在作为上述二维光栅结构而形成三角光栅结构时满足下式（2），在作为上述二维光栅结构而形成正方光栅结构时满足下式（3）。

    半导体发光元件用基板以及半导体发光元件用基板的制造方法
    6.
    发明公开
    半导体发光元件用基板以及半导体发光元件用基板的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN108475710A

    公开(公告)日：2018-08-31

    申请号：CN201780006921.0

    申请日：2017-01-18

    Applicant: 王子控股株式会社

    Inventor： 大纮太郎 ,  筱塚启 ,  八田嘉久

    IPC: H01L33/22 ,  C30B25/04 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205

    CPC classification number: C30B25/04 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  H01L33/22

    Abstract: 本发明提供一种能够降低发光层中的结晶的结晶转位密度的半导体发光元件用基板以及半导体发光元件用基板的制造方法。半导体发光元件用基板，具备：基准面，其与构成半导体发光元件用基板的材料的结晶面平行的平坦面；以及多个凸部，其从基准面突出，并在沿着结晶面的二维晶格上排列，并且作为前端面具有与结晶面平行的平坦面，在包含基准面的平面中的互相相邻的凸部的间距P为100nm以上且5.0μm以下，在与基准面相对向的俯视中，单位面积中的前端面的合计面积为第1面积S1，单位面积中的基准面的合计面积为第2面积S2时，满足0.76≦S1/S2≦7.42。

    有机薄膜太阳能电池及有机薄膜太阳能电池的制造方法
    7.
    发明授权
    有机薄膜太阳能电池及有机薄膜太阳能电池的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN105340098B

    公开(公告)日：2018-06-12

    申请号：CN201480036760.6

    申请日：2014-06-27

    Applicant: 王子控股株式会社

    Inventor： 筱塚启 ,  岡本隆之

    IPC: H01L51/44 ,  C03C15/00

    CPC classification number: H01L51/447 ,  H01L51/0017 ,  H01L51/5268 ,  H01L2251/105 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

    Abstract: 本发明涉及一种有机薄膜太阳能电池及有机薄膜太阳能电池的制造方法。该有机薄膜太阳能电池是在基板上积层阳极、包含有机半导体层的有机薄膜层及阴极，在有机薄膜层与阴极的界面具有将多个凹部或凸部二维且无规地排列而成的微细结构，该微细结构是以如下方式构成：将与赋予有机半导体层的光的吸收谱的吸收限的短波长λ1、长波长λ2对应的有机半导体层与阴极的界面的表面等离体子的传播常数的实数部k1、k2设为阴极与有机半导体层的界面所形成的微细结构的高度分布功率谱中的波数上限值K1、下限值K2时，在K1～K2具有有限值，且K1～K2波数范围内的强度积分值是整个全部波数的强度积分值的至少50％。

Patent Agency Ranking