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公开(公告)号：CN106980077A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201610030904.8
申请日：2016-01-18
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种晶闸管串联配对测试电路及方法，当第三电容充电，接通第一开关，触发被测晶闸管二、被测晶闸管一导通，经过设定的初始脉宽时间后，接通第二开关，关断被测晶闸管二、被测晶闸管一，经过设定的关断时间后再次导通被测晶闸管二、被测晶闸管一，经过设定的脉宽时间后，接通第三开关，关断被测晶闸管二、被测晶闸管一，一个测试周期结束。在一个测试周期内，第一次关断被测晶闸管二、被测晶闸管一完成小电流均压测试，第二次关断被测晶闸管二、被测晶闸管一，利用续流回路的续流作用完成大电流均压测试。本发明能够解决快速晶闸管实际应用工况模拟，以及提高快速晶闸管串联配对准确度的技术问题。
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公开(公告)号：CN103811382A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201410030804.6
申请日：2014-01-23
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种用于烧结型半导体器件芯片台面腐蚀的装置，包括：夹具一、夹具二和隔片。夹具一与夹具二均采用圆环形结构，相互之间紧固连接。夹具一与夹具二通过对两个阳极面对接的芯片的边缘处进行紧固实现其阳极面和边缘处的密封。隔片设置在两个相互对接的芯片的阴极面外侧，实现芯片的阴极面的密封。隔片与由夹具一、夹具二和芯片组成的组合体之间留有间隙，使得芯片的台面能够被腐蚀，而芯片除台面以外的部分得到保护。本发明克服了现有技术中烧结型半导体器件芯片台面腐蚀时不能很好的保护芯片的技术问题，改善了烧结型半导体器件芯片台面的腐蚀质量，大幅提高了产品合格率。
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公开(公告)号：CN105514000A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201510956966.7
申请日：2015-12-18
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片烧结模具，包括不锈钢桶(2)以及能够放置于所述不锈钢桶(2)内的隔衬(3)和定位筒(1)，所述不锈钢桶(2)上具有通气孔，所述隔衬(3)和所述定位筒(1)的外径尺寸均满足所述不锈钢桶(2)的内径尺寸要求，所述隔衬(3)的内径尺寸满足所述芯片在高温下最大线性膨胀尺寸要求，所述定位筒(1)的内径尺寸满足所述芯片能够装模时的最小尺寸要求。该半导体芯片烧结模具有效地解决了在装模时芯片不容易定位等问题。
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公开(公告)号：CN105514000B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201510956966.7
申请日：2015-12-18
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片烧结模具，包括不锈钢桶(2)以及能够放置于所述不锈钢桶(2)内的隔衬(3)和定位筒(1)，所述不锈钢桶(2)上具有通气孔，所述隔衬(3)和所述定位筒(1)的外径尺寸均满足所述不锈钢桶(2)的内径尺寸要求，所述隔衬(3)的内径尺寸满足所述芯片在高温下最大线性膨胀尺寸要求，所述定位筒(1)的内径尺寸满足所述芯片能够装模时的最小尺寸要求。该半导体芯片烧结模具有效地解决了在装模时芯片不容易定位等问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106980077B
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201610030904.8
申请日：2016-01-18
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种晶闸管串联配对测试电路及方法，当第三电容充电，接通第一开关，触发被测晶闸管二、被测晶闸管一导通，经过设定的初始脉宽时间后，接通第二开关，关断被测晶闸管二、被测晶闸管一，经过设定的关断时间后再次导通被测晶闸管二、被测晶闸管一，经过设定的脉宽时间后，接通第三开关，关断被测晶闸管二、被测晶闸管一，一个测试周期结束。在一个测试周期内，第一次关断被测晶闸管二、被测晶闸管一完成小电流均压测试，第二次关断被测晶闸管二、被测晶闸管一，利用续流回路的续流作用完成大电流均压测试。本发明能够解决快速晶闸管实际应用工况模拟，以及提高快速晶闸管串联配对准确度的技术问题。
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公开(公告)号：CN103811382B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410030804.6
申请日：2014-01-23
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种用于烧结型半导体器件芯片台面腐蚀的装置，包括：夹具一、夹具二和隔片。夹具一与夹具二均采用圆环形结构，相互之间紧固连接。夹具一与夹具二通过对两个阳极面对接的芯片的边缘处进行紧固实现其阳极面和边缘处的密封。隔片设置在两个相互对接的芯片的阴极面外侧，实现芯片的阴极面的密封。隔片与由夹具一、夹具二和芯片组成的组合体之间留有间隙，使得芯片的台面能够被腐蚀，而芯片除台面以外的部分得到保护。本发明克服了现有技术中烧结型半导体器件芯片台面腐蚀时不能很好的保护芯片的技术问题，改善了烧结型半导体器件芯片台面的腐蚀质量，大幅提高了产品合格率。
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公开(公告)号：CN100381831C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200610031254.5
申请日：2006-02-22
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶闸管管芯参数测试模具，它包括上模具、中模具、下模具，上模具中部设有形状与芯片图形形状一致用于观察芯片图形的通孔，上模具外缘对应其中部芯片图形观察通孔形状锚顶的位置设有一供芯片阴极引出线穿出的管销及用于固定管销的定位通孔；所述中模具的上缘设有与芯片和上模具定位的缺口，中模具的下缘设有与下模具定位的缺口；下模具的上缘设有与中模具定位的缺口。使用本发明测试晶闸管管芯参数，可以不必粘贴阴极垫片，直接对芯片的通态峰值压降、关断时间和恢复电荷等电参数进行测试，这样，既保护了芯片的表面状态在测试时不受损伤，提高了产品质量，又缩短了生产周期，提高了生产效率，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN1811476A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200610031254.5
申请日：2006-02-22
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶闸管管芯参数测试模具，它包括上模具、中模具、下模具，上模具中部设有形状与芯片图形形状一致用于观察芯片图形的通孔，上模具外缘对应其中部芯片图形观察通孔形状锚顶的位置设有一供芯片阴极引出线穿出的管销及用于固定管销的定位通孔；所述中模具的上缘设有与芯片和上模具定位的缺口，中模具的下缘设有与下模具定位的缺口；下模具的上缘设有与中模具定位的缺口。使用本发明测试晶闸管管芯参数，可以不必粘贴阴极垫片，直接对芯片的通态峰值压降、关断时间和恢复电荷等电参数进行测试，这样，既保护了芯片的表面状态在测试时不受损伤，提高了产品质量，又缩短了生产周期，提高了生产效率，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN2874524Y
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200620050077.0
申请日：2006-02-22
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种晶闸管管芯参数测试模具，它包括上模具、中模具、下模具，上模具中部设有形状与芯片图形形状一致用于观察芯片图形的通孔，上模具外缘对应其中部芯片图形观察通孔形状锚顶的位置设有一供芯片阴极引出线穿出的管销及用于固定管销的定位通孔；所述中模具的上缘设有与芯片和上模具定位的缺口，中模具的下缘设有与下模具定位的缺口；下模具的上缘设有与中模具定位的缺口。使用本实用新型测试晶闸管管芯参数，可以不必粘贴阴极垫片，直接对芯片的通态峰值压降、关断时间和恢复电荷等电参数进行测试，这样，既保护了芯片的表面状态在测试时不受损伤，提高了产品质量，又缩短了生产周期，提高了生产效率，降低了生产成本。
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