一种半导体芯片烧结模具

    公开(公告)号:CN105514000A

    公开(公告)日:2016-04-20

    申请号:CN201510956966.7

    申请日:2015-12-18

    Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片烧结模具,包括不锈钢桶(2)以及能够放置于所述不锈钢桶(2)内的隔衬(3)和定位筒(1),所述不锈钢桶(2)上具有通气孔,所述隔衬(3)和所述定位筒(1)的外径尺寸均满足所述不锈钢桶(2)的内径尺寸要求,所述隔衬(3)的内径尺寸满足所述芯片在高温下最大线性膨胀尺寸要求,所述定位筒(1)的内径尺寸满足所述芯片能够装模时的最小尺寸要求。该半导体芯片烧结模具有效地解决了在装模时芯片不容易定位等问题。

    一种半导体芯片烧结模具

    公开(公告)号:CN105514000B

    公开(公告)日:2018-01-02

    申请号:CN201510956966.7

    申请日:2015-12-18

    Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片烧结模具,包括不锈钢桶(2)以及能够放置于所述不锈钢桶(2)内的隔衬(3)和定位筒(1),所述不锈钢桶(2)上具有通气孔,所述隔衬(3)和所述定位筒(1)的外径尺寸均满足所述不锈钢桶(2)的内径尺寸要求,所述隔衬(3)的内径尺寸满足所述芯片在高温下最大线性膨胀尺寸要求,所述定位筒(1)的内径尺寸满足所述芯片能够装模时的最小尺寸要求。该半导体芯片烧结模具有效地解决了在装模时芯片不容易定位等问题。

    一种晶闸管串联配对测试电路及方法

    公开(公告)号:CN106980077B

    公开(公告)日:2019-09-10

    申请号:CN201610030904.8

    申请日:2016-01-18

    Abstract: 本发明公开了一种晶闸管串联配对测试电路及方法,当第三电容充电,接通第一开关,触发被测晶闸管二、被测晶闸管一导通,经过设定的初始脉宽时间后,接通第二开关,关断被测晶闸管二、被测晶闸管一,经过设定的关断时间后再次导通被测晶闸管二、被测晶闸管一,经过设定的脉宽时间后,接通第三开关,关断被测晶闸管二、被测晶闸管一,一个测试周期结束。在一个测试周期内,第一次关断被测晶闸管二、被测晶闸管一完成小电流均压测试,第二次关断被测晶闸管二、被测晶闸管一,利用续流回路的续流作用完成大电流均压测试。本发明能够解决快速晶闸管实际应用工况模拟,以及提高快速晶闸管串联配对准确度的技术问题。

    用于烧结型半导体器件芯片台面腐蚀的装置

    公开(公告)号:CN103811382B

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201410030804.6

    申请日:2014-01-23

    Abstract: 本发明公开了一种用于烧结型半导体器件芯片台面腐蚀的装置,包括:夹具一、夹具二和隔片。夹具一与夹具二均采用圆环形结构,相互之间紧固连接。夹具一与夹具二通过对两个阳极面对接的芯片的边缘处进行紧固实现其阳极面和边缘处的密封。隔片设置在两个相互对接的芯片的阴极面外侧,实现芯片的阴极面的密封。隔片与由夹具一、夹具二和芯片组成的组合体之间留有间隙,使得芯片的台面能够被腐蚀,而芯片除台面以外的部分得到保护。本发明克服了现有技术中烧结型半导体器件芯片台面腐蚀时不能很好的保护芯片的技术问题,改善了烧结型半导体器件芯片台面的腐蚀质量,大幅提高了产品合格率。

    一种晶闸管串联配对测试电路及方法

    公开(公告)号:CN106980077A

    公开(公告)日:2017-07-25

    申请号:CN201610030904.8

    申请日:2016-01-18

    Abstract: 本发明公开了一种晶闸管串联配对测试电路及方法,当第三电容充电,接通第一开关,触发被测晶闸管二、被测晶闸管一导通,经过设定的初始脉宽时间后,接通第二开关,关断被测晶闸管二、被测晶闸管一,经过设定的关断时间后再次导通被测晶闸管二、被测晶闸管一,经过设定的脉宽时间后,接通第三开关,关断被测晶闸管二、被测晶闸管一,一个测试周期结束。在一个测试周期内,第一次关断被测晶闸管二、被测晶闸管一完成小电流均压测试,第二次关断被测晶闸管二、被测晶闸管一,利用续流回路的续流作用完成大电流均压测试。本发明能够解决快速晶闸管实际应用工况模拟,以及提高快速晶闸管串联配对准确度的技术问题。

    用于烧结型半导体器件芯片台面腐蚀的装置

    公开(公告)号:CN103811382A

    公开(公告)日:2014-05-21

    申请号:CN201410030804.6

    申请日:2014-01-23

    Abstract: 本发明公开了一种用于烧结型半导体器件芯片台面腐蚀的装置,包括:夹具一、夹具二和隔片。夹具一与夹具二均采用圆环形结构,相互之间紧固连接。夹具一与夹具二通过对两个阳极面对接的芯片的边缘处进行紧固实现其阳极面和边缘处的密封。隔片设置在两个相互对接的芯片的阴极面外侧,实现芯片的阴极面的密封。隔片与由夹具一、夹具二和芯片组成的组合体之间留有间隙,使得芯片的台面能够被腐蚀,而芯片除台面以外的部分得到保护。本发明克服了现有技术中烧结型半导体器件芯片台面腐蚀时不能很好的保护芯片的技术问题,改善了烧结型半导体器件芯片台面的腐蚀质量,大幅提高了产品合格率。

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