电镀装置及电镀方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103060871A

    公开(公告)日:2013-04-24

    申请号:CN201210570167.2

    申请日:2008-12-04

    Abstract: 本发明在对半导体晶片等被电镀体(基板)进行电镀时,即使在高电流密度条件下也能使形成顶端形状平坦的凸点或者形成面内具有良好的均匀性的金属膜成为可能。具有:保持电镀液(Q)的电镀槽(10);浸渍到电镀槽内的电镀液中配置的阳极(26);保持被电镀体(W),配置在与阳极相对的位置上的保持架(24);配置在阳极与被保持架保持的被电镀体之间,与该被电镀体平行地往复移动,搅拌电镀液的搅拌器(32);以及控制驱动搅拌器的搅拌器驱动部(42)的控制部(46)。控制部控制搅拌器驱动部,使得搅拌器移动速度绝对值的平均值为70~100cm/sec。

    电镀装置及电镀方法
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108588800B

    公开(公告)日:2020-07-07

    申请号:CN201710733577.7

    申请日:2008-12-04

    Abstract: 本发明在对半导体晶片等被电镀体(基板)进行电镀时,即使在高电流密度条件下也能使形成顶端形状平坦的凸点或者形成面内具有良好的均匀性的金属膜成为可能。具有:保持电镀液(Q)的电镀槽(10);浸渍到电镀槽内的电镀液中配置的阳极(26);保持被电镀体(W),配置在与阳极相对的位置上的保持架(24);配置在阳极与被保持架保持的被电镀体之间,与该被电镀体平行地往复移动,搅拌电镀液的搅拌器(32);以及控制驱动搅拌器的搅拌器驱动部(42)的控制部(46)。控制部控制搅拌器驱动部,使得搅拌器移动速度绝对值的平均值为70~100cm/sec。

    电镀装置及电镀方法
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107604426B

    公开(公告)日:2019-08-30

    申请号:CN201710733595.5

    申请日:2008-12-04

    Abstract: 本发明在对半导体晶片等被电镀体(基板)进行电镀时,即使在高电流密度条件下也能使形成顶端形状平坦的凸点或者形成面内具有良好的均匀性的金属膜成为可能。具有:保持电镀液(Q)的电镀槽(10);浸渍到电镀槽内的电镀液中配置的阳极(26);保持被电镀体(W),配置在与阳极相对的位置上的保持架(24);配置在阳极与被保持架保持的被电镀体之间,与该被电镀体平行地往复移动,搅拌电镀液的搅拌器(32);以及控制驱动搅拌器的搅拌器驱动部(42)的控制部(46)。控制部控制搅拌器驱动部,使得搅拌器移动速度绝对值的平均值为70~100cm/sec。

    电镀装置及电镀方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108588800A

    公开(公告)日:2018-09-28

    申请号:CN201710733577.7

    申请日:2008-12-04

    Abstract: 本发明在对半导体晶片等被电镀体(基板)进行电镀时,即使在高电流密度条件下也能使形成顶端形状平坦的凸点或者形成面内具有良好的均匀性的金属膜成为可能。具有:保持电镀液(Q)的电镀槽(10);浸渍到电镀槽内的电镀液中配置的阳极(26);保持被电镀体(W),配置在与阳极相对的位置上的保持架(24);配置在阳极与被保持架保持的被电镀体之间,与该被电镀体平行地往复移动,搅拌电镀液的搅拌器(32);以及控制驱动搅拌器的搅拌器驱动部(42)的控制部(46)。控制部控制搅拌器驱动部,使得搅拌器移动速度绝对值的平均值为70~100cm/sec。

    电镀装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1610769A

    公开(公告)日:2005-04-27

    申请号:CN03801815.2

    申请日:2003-07-18

    CPC classification number: C25D21/12 C25D7/123 C25D17/001 C25D17/002 C25D17/008

    Abstract: 本发明提供电镀装置,其特征在于具有:电镀槽(40),用于保持镀液(10);阳极(56),其浸入并设置在上述电镀槽(40)内的镀液(10)中;调整板(60),其设置在上述阳极(56)以及设置成与该阳极(56)相对置的基片(W)之间;以及电镀电源(24),其用于在上述阳极(56)和基片(W)之间通电进行电镀;上述调整板(60),其设置状态是把保存在上述电镀槽(40)内的镀液(10)遮断在上述阳极和被镀体侧,内部设置了由多个通孔(66)构成的通孔群(68)。

    电镀装置及电镀方法
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101451264B

    公开(公告)日:2013-01-23

    申请号:CN200810178892.9

    申请日:2008-12-04

    Abstract: 本发明在对半导体晶片等被电镀体(基板)进行电镀时,即使在高电流密度条件下也能使形成顶端形状平坦的凸点或者形成面内具有良好的均匀性的金属膜成为可能。具有:保持电镀液(Q)的电镀槽(10);浸渍到电镀槽内的电镀液中配置的阳极(26);保持被电镀体(W),配置在与阳极相对的位置上的保持架(24);配置在阳极与被保持架保持的被电镀体之间,与该被电镀体平行地往复移动,搅拌电镀液的搅拌器(32);以及控制驱动搅拌器的搅拌器驱动部(42)的控制部(46)。控制部控制搅拌器驱动部,使得搅拌器移动速度绝对值的平均值为70~100cm/sec。

    电镀装置及电镀方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101451264A

    公开(公告)日:2009-06-10

    申请号:CN200810178892.9

    申请日:2008-12-04

    Abstract: 本发明在对半导体晶片等被电镀体(基板)进行电镀时,即使在高电流密度条件下也能使形成顶端形状平坦的凸点或者形成面内具有良好的均匀性的金属膜成为可能。具有:保持电镀液(Q)的电镀槽(10);浸渍到电镀槽内的电镀液中配置的阳极(26);保持被电镀体(W),配置在与阳极相对的位置上的保持架(24);配置在阳极与被保持架保持的被电镀体之间,与该被电镀体平行地往复移动,搅拌电镀液的搅拌器(32);以及控制驱动搅拌器的搅拌器驱动部(42)的控制部(46)。控制部控制搅拌器驱动部,使得搅拌器移动速度绝对值的平均值为70~100cm/sec。

    镀覆装置
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101369533A

    公开(公告)日:2009-02-18

    申请号:CN200810166115.2

    申请日:2004-03-09

    CPC classification number: H01L2924/01078

    Abstract: 本发明涉及一种镀覆装置,该镀覆装置用于在半导体晶片的表面中限定的沟槽、通孔、或者保护层开口中形成镀膜,和在半导体晶片上形成突出部以电连接到封装的电极。该镀覆装置(170)具有用于保持镀液(188)的镀槽(186);用于保持工件(W)和使工件的待镀表面与镀槽(186)中的镀液(188)接触的支座(160);和布置在镀槽(186)中的环形喷管(220)或具有搅拌叶片的搅拌机构,其中该喷管具有多个镀液注入喷嘴(222),以用于朝着由支座(160)保持的工件的待镀表面注入镀液(188),从而将镀液(188)供应到镀槽(186)中。

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