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公开(公告)号：CN104157648B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201410381254.2
申请日：2011-07-27
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体装置具有并列连接的绝缘栅构造的半导体开关元件和续流二极管。半导体开关元件包括：漂移层；基区；基区表层部的元件侧第1杂质区域；元件侧栅极电极，配置于夹在上述第1杂质区域与上述漂移层之间的上述基区中；第2杂质区域，与上述漂移层接触；元件侧第1电极，与元件侧第1杂质区域及上述基区电连接；元件侧第2电极，与上述第2杂质区域电连接。续流二极管包括：第1导电型层；第2导电型层；二极管侧第1电极，与上述第2导电型层连接；二极管侧第2电极，与上述第1导电型层连接；二极管侧第1杂质区域，配置在上述第2导电型层的表层部；二极管侧栅极电极，具有提供过剩载流子注入抑制栅极的第1栅极电极。
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公开(公告)号：CN102332470B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201110197338.7
申请日：2011-07-12
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/0623 , H01L29/0634 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/66734 , H01L29/7811
Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底(10)；在所述衬底上的多个第一和第二导电类型区域(20，30)，以用于提供超结结构；位于所述超结结构上的沟道层(40)；所述沟道层中的第一导电类型层(51)；所述沟道层中的接触第二导电类型区域(52)；经由栅极绝缘膜(62)位于所述沟道层(40)上的栅极电极(63)；所述沟道层上的表面电极(70)；位于与所述超结结构相对的所述衬底上的背侧电极(90)；以及掩埋第二导电类型区域(53)。所述掩埋第二导电类型区域设置在相应的第二导电类型区域中，突出至所述沟道层中并且与所述接触第二导电类型区域接触。所述掩埋第二导电类型区域的杂质浓度高于所述沟道层的杂质浓度，并且在所述相应的第二导电类型区域中的位置处具有最大杂质浓度。
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公开(公告)号：CN102347356A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110211992.9
申请日：2011-07-27
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/088 , H02M7/5387
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L27/0629 , H01L27/0635 , H01L29/0634 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/4238 , H01L29/4983 , H01L29/66734 , H01L29/7391 , H01L29/7393 , H01L29/7397 , H01L29/7398 , H01L29/7805 , H01L29/7819 , H01L29/7825 , H01L29/7831 , H01L29/861 , H01L2924/0002 , H02M7/003 , H01L2924/00
Abstract: 半导体装置具有并列连接的绝缘栅构造的半导体开关元件和续流二极管。半导体开关元件包括：漂移层；基区；基区表层部的元件侧第1杂质区域；元件侧栅极电极，配置于夹在上述第1杂质区域与上述漂移层之间的上述基区中；第2杂质区域，与上述漂移层接触；元件侧第1电极，与元件侧第1杂质区域及上述基区电连接；元件侧第2电极，与上述第2杂质区域电连接。续流二极管包括：第1导电型层；第2导电型层；二极管侧第1电极，与上述第2导电型层连接；二极管侧第2电极，与上述第1导电型层连接；二极管侧第1杂质区域，配置在上述第2导电型层的表层部；二极管侧栅极电极，具有提供过剩载流子注入抑制栅极的第1栅极电极。
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公开(公告)号：CN102332470A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110197338.7
申请日：2011-07-12
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/0623 , H01L29/0634 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/66734 , H01L29/7811
Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底(10)；在所述衬底上的多个第一和第二导电类型区域(20，30)，以用于提供超结结构；位于所述超结结构上的沟道层(40)；所述沟道层中的第一导电类型层(51)；所述沟道层中的接触第二导电类型区域(52)；经由栅极绝缘膜(62)位于所述沟道层(40)上的栅极电极(63)；所述沟道层上的表面电极(70)；位于与所述超结结构相对的所述衬底上的背侧电极(90)；以及掩埋第二导电类型区域(53)。所述掩埋第二导电类型区域设置在相应的第二导电类型区域中，突出至所述沟道层中并且与所述接触第二导电类型区域接触。所述掩埋第二导电类型区域的杂质浓度高于所述沟道层的杂质浓度，并且在所述相应的第二导电类型区域中的位置处具有最大杂质浓度。
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公开(公告)号：CN104157685B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201410381270.1
申请日：2011-07-27
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/10 , H01L29/49 , H01L21/336
Abstract: 半导体装置具有并列连接的绝缘栅构造的半导体开关元件和续流二极管。半导体开关元件包括：漂移层；基区；基区表层部的元件侧第1杂质区域；元件侧栅极电极，配置于夹在上述第1杂质区域与上述漂移层之间的上述基区中；第2杂质区域，与上述漂移层接触；元件侧第1电极，与元件侧第1杂质区域及上述基区电连接；元件侧第2电极，与上述第2杂质区域电连接。续流二极管包括：第1导电型层；第2导电型层；二极管侧第1电极，与上述第2导电型层连接；二极管侧第2电极，与上述第1导电型层连接；二极管侧第1杂质区域，配置在上述第2导电型层的表层部；二极管侧栅极电极，具有提供过剩载流子注入抑制栅极的第1栅极电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102362336A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201080013387.4
申请日：2010-03-25
IPC: H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L21/02381 , H01L21/02494 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L29/0634 , H01L29/1095 , H01L29/66734
Abstract: 本发明提供一种容易获得所希望的电特性的半导体衬底、半导体装置和半导体衬底的制造方法。半导体衬底的制造方法具备：形成第1外延层11的第1外延层形成工序（S1）；在第1外延层形成沟槽的沟槽形成工序（S2）；以及外延层形成工序（S3、S4、S5），在第1外延层和沟槽内，使用包含不同的生长速度的多个生长条件，以掩埋沟槽内的方式形成外延层，使在多个生长条件的每一个中掺入到外延层中的掺杂物浓度为固定。
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公开(公告)号：CN110114887A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201780078606.9
申请日：2017-12-21
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体装置，以达到主单元区域与感测单元区域这双方的方式连续地将沟槽(5)相连，屏蔽电极(7)以及栅极电极层(8)以达到主单元区域与感测单元区域这双方的方式连续地形成。由此，在主单元区域与感测单元区域之间，不需要取得屏蔽电极(7)的接触，相应地，能够使主单元区域与感测单元区域接近。
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公开(公告)号：CN104157685A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410381270.1
申请日：2011-07-27
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/10 , H01L29/49 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/407 , H01L29/0634 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/42368 , H01L29/4238 , H01L29/4983 , H01L29/66734 , H01L29/7391 , H01L29/7393 , H01L29/7397 , H01L29/7805 , H01L29/7813 , H01L29/7819 , H01L29/7825 , H01L29/7831 , H01L29/861 , H01L2924/0002 , H02M7/003 , H01L2924/00
Abstract: 半导体装置具有并列连接的绝缘栅构造的半导体开关元件和续流二极管。半导体开关元件包括：漂移层；基区；基区表层部的元件侧第1杂质区域；元件侧栅极电极，配置于夹在上述第1杂质区域与上述漂移层之间的上述基区中；第2杂质区域，与上述漂移层接触；元件侧第1电极，与元件侧第1杂质区域及上述基区电连接；元件侧第2电极，与上述第2杂质区域电连接。续流二极管包括：第1导电型层；第2导电型层；二极管侧第1电极，与上述第2导电型层连接；二极管侧第2电极，与上述第1导电型层连接；二极管侧第1杂质区域，配置在上述第2导电型层的表层部；二极管侧栅极电极，具有提供过剩载流子注入抑制栅极的第1栅极电极。
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公开(公告)号：CN104157648A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410381254.2
申请日：2011-07-27
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体装置具有并列连接的绝缘栅构造的半导体开关元件和续流二极管。半导体开关元件包括：漂移层；基区；基区表层部的元件侧第1杂质区域；元件侧栅极电极，配置于夹在上述第1杂质区域与上述漂移层之间的上述基区中；第2杂质区域，与上述漂移层接触；元件侧第1电极，与元件侧第1杂质区域及上述基区电连接；元件侧第2电极，与上述第2杂质区域电连接。续流二极管包括：第1导电型层；第2导电型层；二极管侧第1电极，与上述第2导电型层连接；二极管侧第2电极，与上述第1导电型层连接；二极管侧第1杂质区域，配置在上述第2导电型层的表层部；二极管侧栅极电极，具有提供过剩载流子注入抑制栅极的第1栅极电极。
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公开(公告)号：CN102362336B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201080013387.4
申请日：2010-03-25
IPC: H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L21/02381 , H01L21/02494 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L29/0634 , H01L29/1095 , H01L29/66734
Abstract: 提供一种容易获得所希望的电特性的半导体衬底、半导体装置和半导体衬底的制造方法。半导体衬底的制造方法具备：形成第1外延层11的第1外延层形成工序（S1）；在第1外延层形成沟槽的沟槽形成工序（S2）；以及外延层形成工序（S3、S4、S5），在第1外延层和沟槽内，使用包含不同的生长速度的多个生长条件，以掩埋沟槽内的方式形成外延层，使在多个生长条件的每一个中掺入到外延层中的掺杂物浓度为固定。
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