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公开(公告)号：CN103959473B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201280059129.9
申请日：2012-10-09
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/739 , H01L21/336 , H01L27/04 , H01L29/06 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/1095 , H01L21/263 , H01L29/0834 , H01L29/32 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7802 , H01L29/861
Abstract: 在具有被配置为使电流在上电极(10)和下电极(11)之间流通的直立的半导体元件(100，200)的半导体器件中，场截止层(2)包含掺杂有磷或砷的磷/砷层(2a)和掺杂有质子的质子层(2b)。所述磷/砷层(2a)从半导体衬底的背侧起形成至预定的深度。所述质子层(2b)深于所述磷/砷层(2a)。所述质子层(2b)的杂质浓度在所述磷/砷层(2a)内部达到峰值并且在大于所述磷/砷层(2a)的深度逐渐地连续不断地减小。
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公开(公告)号：CN101325198A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200810109479.7
申请日：2008-06-12
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L27/06
CPC classification number: H01L29/7397
Abstract: 一种半导体器件，包括形成在同一半导体衬底(31)中的间隔沟道IGBT和反并联二极管。IGBT包括基极层(32)和绝缘栅沟槽(GT)，通过该绝缘栅沟槽(GT)将基极层(32)划分成连接于发射电极(E)的体区域(32b)和与发射电极(E)断开的浮置区域(32f)。在IGBT区域的单元区域中形成IGBT，且在二极管区域中形成二极管。IGBT区域的边界区域位于单元区域与二极管区域之间。边界区域中的相邻栅极沟槽(GT)之间的间距(Wx)小于单元区域中的其间设置浮置区域(32f)的相邻栅极沟槽(GT)之间的间距(Wf)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103959473A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201280059129.9
申请日：2012-10-09
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/739 , H01L21/336 , H01L27/04 , H01L29/06 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/1095 , H01L21/263 , H01L29/0834 , H01L29/32 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7802 , H01L29/861
Abstract: 在具有被配置为使电流在上电极(10)和下电极(11)之间流通的直立的半导体元件(100，200)的半导体器件中，场截止层(2)包含掺杂有磷或砷的磷/砷层(2a)和掺杂有质子的质子层(2b)。所述磷/砷层(2a)从半导体衬底的背侧起形成至预定的深度。所述质子层(2b)深于所述磷/砷层(2a)。所述质子层(2b)的杂质浓度在所述磷/砷层(2a)内部达到峰值并且在大于所述磷/砷层(2a)的深度逐渐地连续不断地减小。
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公开(公告)号：CN101794778B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201010104031.3
申请日：2010-01-27
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L27/06
CPC classification number: H01L29/0834 , H01L29/0615 , H01L29/1095 , H01L29/7397 , H01L29/861 , H01L2924/0002 , H03K2217/0027 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件包括具有第一表面(10a)和第二表面(10b)的半导体衬底(10)。主区域(11)和感测区域(13)形成于所述半导体衬底(10)的所述第一表面侧上。RC-IGBT形成于所述主区域(11)中，且用于传输与流经所述RC-IGBT的电流成比例的电流的感测元件(32)形成于所述感测区域(13)中。所述感测元件(32)的集电极区(24)和阴极区(25，27)形成于所述半导体衬底(10)的所述第二表面侧上。所述集电极区(24)在所述半导体衬底(10)的厚度方向上位于所述感测区域(13)的正下方。所述阴极区(25，27)在所述厚度方向上不是位于所述感测区域(13)的正下方。
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公开(公告)号：CN104067377A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201380006396.4
申请日：2013-01-22
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L21/336 , H01L29/739 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66333 , H01L21/263 , H01L21/28176 , H01L21/3221 , H01L29/32 , H01L29/4236 , H01L29/66348 , H01L29/66734 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7813
Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括：施加步骤，向半导体衬底(11)的表面(11a)施加粒子射线和辐射射线的至少之一，在半导体衬底上邻近于所述表面(11a)处形成包括栅极绝缘膜(21)和栅极电极(22)的晶体管；以及退火处理步骤，在施加步骤之后，加热所述半导体衬底(11)从而恢复包含在所述栅极绝缘膜(21)和栅极电极(22)中的晶体缺陷。此外，制造方法包括预退火处理步骤，用于在施加步骤前将包含在栅极绝缘膜(21)和栅极电极(22)中的氢分子和水分子的含量减小到预定浓度。在由这个方法制造的半导体器件中，将存在于栅极绝缘膜(21)中的热稳定缺陷的浓度减小到预定浓度。
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公开(公告)号：CN101794778A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010104031.3
申请日：2010-01-27
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L27/06
CPC classification number: H01L29/0834 , H01L29/0615 , H01L29/1095 , H01L29/7397 , H01L29/861 , H01L2924/0002 , H03K2217/0027 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件包括具有第一表面(10a)和第二表面(10b)的半导体衬底(10)。主区域(11)和感测区域(13)形成于所述半导体衬底(10)的所述第一表面侧上。RC-IGBT形成于所述主区域(11)中，且用于传输与流经所述RC-IGBT的电流成比例的电流的感测元件(32)形成于所述感测区域(13)中。所述感测元件(32)的集电极区(24)和阴极区(25，27)形成于所述半导体衬底(10)的所述第二表面侧上。所述集电极区(24)在所述半导体衬底(10)的厚度方向上位于所述感测区域(13)的正下方。所述阴极区(25，27)在所述厚度方向上不是位于所述感测区域(13)的正下方。
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公开(公告)号：CN101325198B
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200810109479.7
申请日：2008-06-12
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L27/06
CPC classification number: H01L29/7397
Abstract: 一种半导体器件，包括形成在同一半导体衬底(31)中的间隔沟道IGBT和反并联二极管。IGBT包括基极层(32)和绝缘栅沟槽(GT)，通过该绝缘栅沟槽(GT)将基极层(32)划分成连接于发射电极(E)的体区域(32b)和与发射电极(E)断开的浮置区域(32f)。在IGBT区域的单元区域中形成IGBT，且在二极管区域中形成二极管。IGBT区域的边界区域位于单元区域与二极管区域之间。边界区域中的相邻栅极沟槽(GT)之间的间距(Wx)小于单元区域中的其间设置浮置区域(32f)的相邻栅极沟槽(GT)之间的间距(Wf)。
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