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公开(公告)号：CN103077825A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310005882.6
申请日：2011-04-29
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种陶瓷电子元件的制造方法，以克服如果水分浸入到了陶瓷电子元件所具有的空隙部分中的话，则电绝缘性及寿命特性即陶瓷电子元件的可靠性降低这样的课题。为了防止水分浸入到空隙部分，使用疏水处理剂至少对陶瓷电子元件1的元件主体2赋予疏水性。此时，使用以超临界CO2流体这样的超临界流体为溶剂溶解后的疏水处理剂，至少对元件主体2赋予疏水性。优选在赋予疏水性之后，去除元件主体2的外表面上的疏水处理剂。作为疏水处理剂，适宜使用硅烷偶联剂。
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公开(公告)号：CN101346785B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200780000921.6
申请日：2007-02-05
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01G4/30 , H01G4/2325 , Y10T29/435
Abstract: 本发明提供一种有效体积率优异且可靠性高的层叠型电子部件，通过在层叠体的规定的面上，且多个内部电极的各端部露出的部位，直接实施无电解镀敷，能够以良好的品质形成使多个内部电极的各端部相互电连接的外部电极。作为层叠体(5)，准备如下结构：在内部电极(3a、3b)露出的端面(6)上相邻内部电极(3a、3b)相互电绝缘，并且沿绝缘体层(2)的厚度方向测定的相邻内部电极(3a、3b)间的间隔(s)为20μm以下，且内部电极(3a、3b)相对于端面(6)的缩入长度(d)为1μm以下。在无电解镀敷工序中，使在多个内部电极(3a、3b)的端部析出的镀敷析出物相互连接地使该镀敷析出物成长。
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公开(公告)号：CN101346786A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200780000955.5
申请日：2007-02-14
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01G4/30 , H01G4/0085 , H01G4/012 , H01G4/232 , Y10T29/435
Abstract: 在叠层体的规定面上，在通过对多个内部电极各端部的露出处直接实施电镀而形成外部电极时，电镀液会浸入绝缘体层与内部电极之间的界面的间隙，这样得到的叠层型电子元件往往会导致构造缺陷，可靠性低下。本发明的方法是：在内部电极(3)的各端部露出的端面(6)上赋以疏水处理剂(15)，使其填充在绝缘体层(2)与内部电极(3)间的界面的间隙(14)中。其后，经过研磨，使内部电极(3)充分地从端面(6)上露出，并且除去多余的疏水处理剂，之后在端面(6)上直接形成电镀膜。
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公开(公告)号：CN1139676C
公开(公告)日：2004-02-25
申请号：CN00102218.0
申请日：2000-02-11
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C25D3/60
CPC classification number: C25D3/60
Abstract: 一种pH约为2.0-9.0的Sn-Bi镀浴，它包含Bi3+离子；Sn2+离子；配位剂(I)和配位剂(II)。配位剂(I)可以是(a)有1-3个碳原子烷基的脂族二羧酸，(b)有1-3个碳原子烷基的脂族羟基单羧酸，(c)有1-4个碳原子烷基的脂族羟基多羧酸，(d)单糖类、通过部分氧化单糖制得的多羟基羧酸、及其环酯化合物，或(e)稠合磷酸。配位剂(II)可以是(s)乙二胺四乙酸(EDTA)，(t)氨三乙酸(NTA)，或(u)反式-1，2-环己二胺四乙酸(CyDTA)。
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公开(公告)号：CN102290239A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110114209.7
申请日：2011-04-29
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种陶瓷电子元件的制造方法，以克服如果水分浸入到了陶瓷电子元件所具有的空隙部分中的话，则电绝缘性及寿命特性即陶瓷电子元件的可靠性降低这样的课题。为了防止水分浸入到空隙部分，使用疏水处理剂至少对陶瓷电子元件(1)的元件主体(2)赋予疏水性。此时，使用以超临界CO2流体这样的超临界流体为溶剂溶解后的疏水处理剂，至少对元件主体(2)赋予疏水性。优选在赋予疏水性之后，去除元件主体(2)的外表面上的疏水处理剂。作为疏水处理剂，适宜使用硅烷偶联剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101981636A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN200980110919.3
申请日：2009-02-09
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种静电电容大且等效串联电阻低的具备膜状电介体的电容器。该电容器具备由具有100mm2/mm3以上的比表面积的镀膜构成导电性基材(2)、以沿着导电性基材(2)的表面的方式形成的电介体膜(3)、和以隔着电介体膜(3)且与导电性基材(2)对置的方式形成的对置导电体(4)。构成导电性基材(2)的镀膜通过电解镀敷或无电解镀敷形成，其形态即是多孔质状、也可以是线状，还可以是椰菜状。
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公开(公告)号：CN1197993C
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN02157490.1
申请日：2002-12-18
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H05K3/244 , C23C18/1607 , C23C18/1651 , C23C18/1669 , C23C18/34 , C23C18/36 , C23C18/44 , C23C18/54
Abstract: 为能以低成本仅在所要求的部位形成所希望的镀膜，在加入了次磷酸钠(NaH2PO2)作为还原剂的含有Ni盐的镀浴中，将被敷镀物与对上述还原剂的氧化反应显现催化活性的平均粒径1mm的Ni片混合而进行自催化型无电敷镀，在由Cu、Ag或Ag-Pd形成的电极2上形成Ni-P镀膜3，然后在含Au盐的镀浴中浸渍该被敷镀物而进行置换型无电敷镀，在Ni-P镀膜3的表面形成Au镀膜。
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公开(公告)号：CN110268489A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201880010637.5
申请日：2018-02-05
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 一种陶瓷电子部件的制造方法以及陶瓷电子部件，能够在由包含钛的金属氧化物构成的陶瓷坯体的表面的任意的部位形成电镀电极。陶瓷电子部件的制造方法具备如下的工序：准备含有包含钛的金属氧化物的陶瓷坯体(10)；向陶瓷坯体的表层部的一部分照射峰值功率密度1×106W/cm2～1×109W/cm2、频率500kHz以下的脉冲激光，对金属氧化物进行改质来形成低电阻部；以及在低电阻部上通过电解电镀处理而形成电极。BaTiO3这样的包含钛的金属氧化物通过基于激光照射的加热而生成O缺陷，形成n型半导体。该半导体部分的电阻值比金属氧化物低，因此能够通过电解电镀而使电镀金属选择性地析出。
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公开(公告)号：CN102290239B
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201110114209.7
申请日：2011-04-29
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种陶瓷电子元件的制造方法，以克服如果水分浸入到了陶瓷电子元件所具有的空隙部分中的话，则电绝缘性及寿命特性即陶瓷电子元件的可靠性降低这样的课题。为了防止水分浸入到空隙部分，使用疏水处理剂至少对陶瓷电子元件(1)的元件主体(2)赋予疏水性。此时，使用以超临界CO2流体这样的超临界流体为溶剂溶解后的疏水处理剂，至少对元件主体(2)赋予疏水性。优选在赋予疏水性之后，去除元件主体(2)的外表面上的疏水处理剂。作为疏水处理剂，适宜使用硅烷偶联剂。
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公开(公告)号：CN101981636B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN200980110919.3
申请日：2009-02-09
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种静电电容大且等效串联电阻低的具备膜状电介体的电容器。该电容器具备由具有100mm2/mm3以上的比表面积的镀膜构成导电性基材(2)、以沿着导电性基材(2)的表面的方式形成的电介体膜(3)、和以隔着电介体膜(3)且与导电性基材(2)对置的方式形成的对置导电体(4)。构成导电性基材(2)的镀膜通过电解镀敷或无电解镀敷形成，其形态即是多孔质状、也可以是线状，还可以是椰菜状。
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