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公开(公告)号：CN101034526A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200710003979.8
申请日：2007-01-19
Applicant: 株式会社日立制作所 , 株式会社次世代PDP开发中心
Inventor： 森睦宏
CPC classification number: G09G3/2965 , G09G2330/021 , G09G2330/028 , H01L29/0619 , H01L29/7395 , H01L2924/0002 , H02M7/487 , H01L2924/00
Abstract: 一种等离子显示装置，在其驱动电路中，对于提供发光电流的驱动元件设置内置有反向导通二极管的IGBT和/或在回收电能并充电的驱动元件设置内置有具有反向截止功能的二极管的IGBT。
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公开(公告)号：CN100507991C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200710003979.8
申请日：2007-01-19
Applicant: 株式会社日立制作所 , 株式会社次世代PDP开发中心
Inventor： 森睦宏
CPC classification number: G09G3/2965 , G09G2330/021 , G09G2330/028 , H01L29/0619 , H01L29/7395 , H01L2924/0002 , H02M7/487 , H01L2924/00
Abstract: 一种等离子显示装置，在其驱动电路中，对于提供发光电流的驱动元件设置内置有反向导通二极管的IGBT和/或在回收电能并充电的驱动元件设置内置有具有反向截止功能的二极管的IGBT。
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公开(公告)号：CN1866742A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610082444.X
申请日：2006-05-19
Applicant: 株式会社日立制作所 , 株式会社次世代PDP开发中心
IPC: H03K17/687 , G09G3/28 , G09G3/20 , H01J17/49 , G09F9/313
CPC classification number: G09G3/296 , G09G2330/028 , Y10T307/461
Abstract: 本发明提供一种小型、低损耗、低成本的负载驱动电路、集成电路以及低成本的等离子显示器。在根据切换命令对向负载3提供的电压进行高低切换的负载驱动电路中的主IGBT 21的栅－阴极间，向触发器5的输出级n型MOS晶体管521的源－漏间提供电压。为了保持该电压，上述触发器5的电源由主电源1或其被连接到固定电位点HVC的电荷泵电源电路8来提供。另外，为了保持电源HVA的电位比主电源1的正极HVC的电位高，设置了放电防止电路7或放电防止元件91、92。
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公开(公告)号：CN1866742B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610082444.X
申请日：2006-05-19
Applicant: 株式会社日立制作所 , 株式会社次世代PDP开发中心
IPC: H03K17/687 , G09G3/28 , G09G3/20 , H01J17/49 , G09F9/313
CPC classification number: G09G3/296 , G09G2330/028 , Y10T307/461
Abstract: 本发明提供一种小型、低损耗、低成本的负载驱动电路、集成电路以及低成本的等离子显示器。在根据切换命令对向负载3提供的电压进行高低切换的负载驱动电路中的主IGBT 21的栅-阴极间，向触发器5的输出级n型MOS晶体管521的源-漏间提供电压。为了保持该电压，上述触发器5的电源由主电源1或其被连接到固定电位点HVC的电荷泵电源电路8来提供。另外，为了保持电源HVA的电位比主电源1的正极HVC的电位高，设置了放电防止电路7或放电防止元件91、92。
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公开(公告)号：CN105191132A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201380076459.3
申请日：2013-05-10
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H02M3/158 , H01L29/786 , H02M1/00 , H02M1/32 , H02M2001/0009 , H03K17/0828 , H03K17/168 , H03K2217/0036
Abstract: 本发明的绝缘栅型半导体元件的控制装置通过分别提供给第1绝缘栅极以及第2绝缘栅极的第1控制电压以及第2控制电压，驱动具备第1绝缘栅极和第2绝缘栅极的绝缘栅型半导体元件，具备：第1噪声滤波器，输入与绝缘栅型半导体元件中流过的电流相关的信号；第1比较器，比较第1噪声滤波器的输出信号和第1基准信号，输出第1比较结果；第2控制电压输出电路，如果根据第1比较结果判定为绝缘栅型半导体元件中流过过电流，则使第2控制电压降低；以及第1控制电压输出电路，在第2控制电压降低之后，使第1控制电压降低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102714217B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201080060476.4
申请日：2010-01-04
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/739 , H01L27/04 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L27/0664 , H01L29/0619 , H01L29/0839 , H01L29/1095 , H01L29/402
Abstract: 本发明提供半导体装置及使用半导体装置的电力转换装置，具体而言，提供可抑制在短路时流动的过电流且低损失、低噪音(低电位变位、低电流振动)的、元件的耐破损量高的IGBT。一种隧道型的IGBT，具备配置成宽窄两种间隔的多个隧道栅极，在以窄间隔配置的所述隧道栅极彼此间具有带有第一导电型的沟道的MOS结构，在以宽间隔配置的所述隧道栅极彼此间具备通过隔着第二导电型的第三半导体层的一部而与所述隧道栅极分离的第一导电型的浮动半导体层。另外，该浮动半导体层隔着绝缘膜配置在对应于与发射电极同电位的第一导电体层的位置上并且平行地配置。根据以上结构，能够缓和所述隧道栅极的角部的电场集中而提高耐压，并且可实现低噪音、低损失。
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公开(公告)号：CN102714217A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201080060476.4
申请日：2010-01-04
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/739 , H01L27/04 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L27/0664 , H01L29/0619 , H01L29/0839 , H01L29/1095 , H01L29/402
Abstract: 本发明提供半导体装置及使用半导体装置的电力转换装置，具体而言，提供可抑制在短路时流动的过电流且低损失、低噪音(低电位变位、低电流振动)的、元件的耐破损量高的IGBT。一种隧道型的IGBT，具备配置成宽窄两种间隔的多个隧道栅极，在以窄间隔配置的所述隧道栅极彼此间具有带有第一导电型的沟道的MOS结构，在以宽间隔配置的所述隧道栅极彼此间具备通过隔着第二导电型的第三半导体层的一部而与所述隧道栅极分离的第一导电型的浮动半导体层。另外，该浮动半导体层隔着绝缘膜配置在对应于与发射电极同电位的第一导电体层的位置上并且平行地配置。根据以上结构，能够缓和所述隧道栅极的角部的电场集中而提高耐压，并且可实现低噪音、低损失。
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公开(公告)号：CN102034817A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010254534.9
申请日：2010-08-11
Applicant: 株式会社日立制作所
Inventor： 森睦宏
IPC: H01L27/04 , H01L29/861 , H01L29/868
CPC classification number: H01L27/0664 , H01L29/7391 , H01L29/7395
Abstract: 本发明提供一种半导体装置以及使用该半导体装置的电力变换装置。现有技术存在的问题是，电力变换装置中使用的使用现有的pn结的续流二极管，由于将使用寿命控制得较短，因此正向电压大且导通损耗大。另外，在反向恢复时反向恢复电流大且开关损耗大，电力变换装置的损耗大。本发明在正向电流流动时，使电流在正向电压小的pn二极管中流动，而在反向恢复时在反向恢复电流小的肖特基二极管中进行反向恢复。另外，本发明具有pn二极管与肖特基二极管的切换单元。由于降低了续流二极管的正向电压并且减小了反向恢复损耗，因此可以提供损耗小的半导体装置以及使用该半导体装置的电力变换装置。
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公开(公告)号：CN100511673C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200480001863.5
申请日：2004-02-13
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48139 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/01015 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19107 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明将能够对应高输出(大电流)化、高电压化以及低损耗化等的要求，并且可以提供小型、低成本、可靠性高的半导体元件驱动用集成电路以及搭载该电路的电能变换装置作为课题。为了解决该课题，将构成上支路驱动电路(212)的驱动部、包括电流检测电路(210)的电平移位电路(20)、下支路驱动电路(222)的驱动部及驱动信号处理电路(224)的电路元件集成、组入一个耐高压IC芯片(200)中，构成上支路驱动电路(212)的最终输出段缓冲部(213)的电路元件组入纵型构造的p沟道MOS-FET芯片(213p)和纵型构造的n沟道MOS-FET芯片(213n)中，构成下支路驱动电路(222)的最终输出段缓冲部(223)的电路元件组入纵型构造的p沟道MOS-FET芯片(223p)和纵型构造的n沟道MOS-FET芯片(223n)中以构成驱动器IC(2)。
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公开(公告)号：CN1723559A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200480001863.5
申请日：2004-02-13
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48139 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/01015 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19107 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明将能够对应高输出(大电流)化、高电压化以及低损耗化等的要求，并且可以提供小型、低成本、可靠性高的半导体元件驱动用集成电路以及搭载该电路的电能变换装置作为课题。为了解决该课题，将构成上支路驱动电路(212)的驱动部、包括电流检测电路(210)的电平移位电路(20)、下支路驱动电路(222)的驱动部及驱动信号处理电路(224)的电路元件集成、组入一个耐高压IC芯片(200)中，构成上支路驱动电路(212)的最终输出段缓冲部(213)的电路元件组入纵型构造的p沟道MOS－FET芯片(213p)和纵型构造的n沟道MOS－FET芯片(213n)中，构成下支路驱动电路(222)的最终输出段缓冲部(223)的电路元件组入纵型构造的p沟道MOS－FET芯片(223p)和纵型构造的n沟道MOS－FET芯片(223n)中以构成驱动器IC(2)。
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