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公开(公告)号：CN1906840A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200480040907.5
申请日：2004-01-26
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H02M7/48
CPC classification number: H02M7/003 , H05K7/20927
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够延长装载部件的寿命的半导体装置。具有通过加热部(1)与散热器(2)控制冷却用制冷剂的温度而构成的冷却系统。半导体装置(100)与该冷却系统连接而被冷却。此处，由冷却系统的加热部(1)与散热器(2)控制的温度的变化范围(ΔT1)，比半导体装置(100)的工作状况的变化带给冷却介质的温度变化(ΔT2)大(ΔT1＞ΔT2)。
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公开(公告)号：CN100511673C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200480001863.5
申请日：2004-02-13
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48139 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/01015 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19107 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明将能够对应高输出(大电流)化、高电压化以及低损耗化等的要求，并且可以提供小型、低成本、可靠性高的半导体元件驱动用集成电路以及搭载该电路的电能变换装置作为课题。为了解决该课题，将构成上支路驱动电路(212)的驱动部、包括电流检测电路(210)的电平移位电路(20)、下支路驱动电路(222)的驱动部及驱动信号处理电路(224)的电路元件集成、组入一个耐高压IC芯片(200)中，构成上支路驱动电路(212)的最终输出段缓冲部(213)的电路元件组入纵型构造的p沟道MOS-FET芯片(213p)和纵型构造的n沟道MOS-FET芯片(213n)中，构成下支路驱动电路(222)的最终输出段缓冲部(223)的电路元件组入纵型构造的p沟道MOS-FET芯片(223p)和纵型构造的n沟道MOS-FET芯片(223n)中以构成驱动器IC(2)。
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公开(公告)号：CN1723559A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200480001863.5
申请日：2004-02-13
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48139 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/01015 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19107 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明将能够对应高输出(大电流)化、高电压化以及低损耗化等的要求，并且可以提供小型、低成本、可靠性高的半导体元件驱动用集成电路以及搭载该电路的电能变换装置作为课题。为了解决该课题，将构成上支路驱动电路(212)的驱动部、包括电流检测电路(210)的电平移位电路(20)、下支路驱动电路(222)的驱动部及驱动信号处理电路(224)的电路元件集成、组入一个耐高压IC芯片(200)中，构成上支路驱动电路(212)的最终输出段缓冲部(213)的电路元件组入纵型构造的p沟道MOS－FET芯片(213p)和纵型构造的n沟道MOS－FET芯片(213n)中，构成下支路驱动电路(222)的最终输出段缓冲部(223)的电路元件组入纵型构造的p沟道MOS－FET芯片(223p)和纵型构造的n沟道MOS－FET芯片(223n)中以构成驱动器IC(2)。
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