-
公开(公告)号：CN108694442B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201810156156.7
申请日：2018-02-23
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 一种计算机系统以及使用了递归神经网络的运算方法，计算机系统执行使用了由输入部、储备池部以及输出部构成的递归神经网络的运算处理，输入部包括接收多个时间序列数据的输入节点，储备池部包括伴随时间延迟的至少一个非线性节点，输出部包括计算输出值的输出节点，输入部对所接收的多个时间序列数据的每一个执行采样以及保持处理以及掩蔽处理，从而计算多个输入流，对多个输入流的每一个执行给予时间偏差的时移处理，通过将执行了时移处理的多个输入流的每一个进行叠加来计算输入数据。据此，在将多个时间序列数据作为输入来处理的储备池计算中，实现高精度且高速的处理。
-
公开(公告)号：CN102246327A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200980149349.9
申请日：2009-11-16
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L43/10 , H01F10/16 , H01F10/32 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y25/00 , H01F10/16 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供具有氧化镁钝化层的磁阻效应元件以及使用该磁阻效应元件的高速超低耗电非易失性存储器。通过在包括强磁性自由层、绝缘层、强磁性固定层的隧道磁阻效应(TMR)膜和保护层、取向控制层的侧壁具有MgO钝化层，抑制由350度以上的热处理引起的从隧道磁阻效应(TMR)元件的各层的元素扩散，实现具有稳定的高输出读出、低电流写入特性的磁存储单元、磁随机存取存储器。并且，在强磁性层中使用CoFeB、在绝缘层中使用MgO时，优选的是MgO钝化层为(001)取向。
-
公开(公告)号：CN101068036B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200610169475.9
申请日：2006-12-15
CPC classification number: G11C11/1657 , G11C11/161 , G11C11/1659
Abstract: 一种磁性存储装置包括磁隧道结(MTJ)(37)，通过隔离晶体管(81)将比特线(31)连接至感应线(49)。MTJ(37)包括具有难磁化轴的铁磁层。辅助电流线(33)位于比特线(31)之上并与比特线(31)隔离。MTJ(37)可在第一相对高的阻态和第二相对低的阻态之间转换。辅助电流线(33)沿着铁磁层的难磁化轴施加磁场，其不依赖于流过MTJ(37)的电流而辅助MTJ(37)在第一态和第二态之间转换。
-
公开(公告)号：CN102246327B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN200980149349.9
申请日：2009-11-16
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L43/10 , H01F10/16 , H01F10/32 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y25/00 , H01F10/16 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供具有氧化镁钝化层的磁阻效应元件以及使用该磁阻效应元件的高速超低耗电非易失性存储器。通过在包括强磁性自由层、绝缘层、强磁性固定层的隧道磁阻效应(TMR)膜和保护层、取向控制层的侧壁具有MgO钝化层，抑制由350度以上的热处理引起的从隧道磁阻效应(TMR)元件的各层的元素扩散，实现具有稳定的高输出读出、低电流写入特性的磁存储单元、磁随机存取存储器。并且，在强磁性层中使用CoFeB、在绝缘层中使用MgO时，优选的是MgO钝化层为(001)取向。
-
公开(公告)号：CN101425328B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200810183830.7
申请日：2007-02-27
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11C11/16
CPC classification number: H01L27/228 , G11C11/1653 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，在利用自旋注入磁化反转的存储器中，实现高速动作时的低电流重写动作，抑制每个存储器单元的离差，并抑制读出干扰。在进行重写前，提供弱脉冲，使自旋状态不稳定，降低重写电流。利用重写电流在脉冲宽度中非线性地增大的区域进行读出，对干扰进行抑制。进而，通过利用位线电荷使注入自旋量恒定的驱动方法来抑制离差。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101359475A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810108864.X
申请日：2008-05-29
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11B5/39
CPC classification number: G11B5/3903 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G01R33/1284 , H01L43/08
Abstract: 本发明涉及再现磁头及磁记录装置。本发明提供一种可与具有太比特级的面记录密度硬盘相对应的超高分辨率且低噪音的再现磁头。本发明的再现磁头使电流从磁化被反铁磁性体(103)固定了的固定层(102)流向具有受外部磁场影响的部位(N1)和不受外部磁场影响的部位(N2)的非磁性细线(101)，并使自旋极化电子(Is1、Is2)累积在非磁性细线(101)中。电压端子的距离(L)比非磁性细线(101)的自旋扩散长度短。随着外部磁场的变动，自旋电子(Is1)虽受调制，但自旋电子(Is2)不受调制。因此，在(N1)和(N1)之间产生依赖于外部磁场的电位差，用电压表(104)测定该电位差。
-
公开(公告)号：CN101075631A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200710084808.2
申请日：2007-02-27
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11C11/16 , G11C8/08 , G11C11/1675 , H01L27/228
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，在使用了自旋注入磁化反转技术的MRAM中，用小型的存储单元实现充分的改写动作，并且抑制读出干扰的同时使读出电流变大。在隧道磁阻元件的自由层位于位线侧的情况下使用PMOS晶体管，在隧道磁阻元件的固定层位于位线侧的情况下使用NMOS晶体管，用源极接地来进行反平行化改写。通过在反平行改写方向进行读出动作，提高读出写入动作裕度。
-
公开(公告)号：CN101075628A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200710084807.8
申请日：2007-02-27
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L27/228 , G11C11/1653 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，在利用自旋注入磁化反转的存储器中，实现高速动作时的低电流重写动作，抑制每个存储器单元的离差，并抑制读出干扰。在进行重写前，提供弱脉冲，使自旋状态不稳定，降低重写电流。利用重写电流在脉冲宽度中非线性地增大的区域进行读出，对干扰进行抑制。进而，通过利用位线电荷使注入自旋量恒定的驱动方法来抑制离差。
-
公开(公告)号：CN101068036A
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200610169475.9
申请日：2006-12-15
CPC classification number: G11C11/1657 , G11C11/161 , G11C11/1659
Abstract: 一种磁性存储装置包括磁隧道结(MTJ)(37)，通过隔离晶体管(81)将比特线(31)连接至感应线(49)。MTJ(37)包括具有难磁化轴的铁磁层。辅助电流线(33)位于比特线(31)之上并与比特线(31)隔离。MTJ(37)可在第一相对高的阻态和第二相对低的阻态之间转换。辅助电流线(33)沿着铁磁层的难磁化轴施加磁场，其不依赖于流过MTJ(37)的电流而辅助MTJ(37)在第一态和第二态之间转换。
-
公开(公告)号：CN101067967A
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200610147055.0
申请日：2006-11-14
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C11/15
Abstract: 一种磁性存储装置包括磁隧道结(MTJ)，具有铁磁自由层，表现出第一相对较高的阻态和第二相对较低的阻态。为了写入磁性存储装置，驱动电流IMTJ(125)通过MTJ。对于第一持续时间，该电流等于DC阈值电流，为在第一态和第二态之间转换多层结构所需的DC电流。这在自由层中产生出C形畴结构。对于第二持续时间，电流IMTJ比DC阈值电流大。这引起MTJ转换态。引起该转换所需的电流小于使用均匀电流脉冲(127)所需的电流。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
22
records
(took 0.022 seconds)
