公开(公告)号：CN101359475A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200810108864.X

申请日：2008-05-29

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 山田将贵 ,  高桥宏昌

IPC: G11B5/39

CPC classification number: G11B5/3903 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G01R33/1284 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明涉及再现磁头及磁记录装置。本发明提供一种可与具有太比特级的面记录密度硬盘相对应的超高分辨率且低噪音的再现磁头。本发明的再现磁头使电流从磁化被反铁磁性体(103)固定了的固定层(102)流向具有受外部磁场影响的部位(N1)和不受外部磁场影响的部位(N2)的非磁性细线(101)，并使自旋极化电子(Is1、Is2)累积在非磁性细线(101)中。电压端子的距离(L)比非磁性细线(101)的自旋扩散长度短。随着外部磁场的变动，自旋电子(Is1)虽受调制，但自旋电子(Is2)不受调制。因此，在(N1)和(N1)之间产生依赖于外部磁场的电位差，用电压表(104)测定该电位差。

公开(公告)号：CN101359475B

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200810108864.X

申请日：2008-05-29

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 山田将贵 ,  高桥宏昌

IPC: G11B5/39

CPC classification number: G11B5/3903 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G01R33/1284 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明涉及再现磁头及磁记录装置。本发明提供一种可与具有太比特级的面记录密度硬盘相对应的超高分辨率且低噪音的再现磁头。本发明的再现磁头使电流从磁化被反铁磁性体(103)固定了的固定层(102)流向具有受外部磁场影响的部位(N1)和不受外部磁场影响的部位(N2)的非磁性细线(101)，并使自旋极化电子(Is1、Is2)累积在非磁性细线(101)中。电压端子的距离(L)比非磁性细线(101)的自旋扩散长度短。随着外部磁场的变动，自旋电子(Is1)虽受调制，但自旋电子(Is2)不受调制。因此，在(N1)和(N1)之间产生依赖于外部磁场的电位差，用电压表(104)测定该电位差。

公开(公告)号：CN101231851B

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200710186603.5

申请日：2007-11-14

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 高桥宏昌 ,  山田将贵

IPC: G11B5/31 ,  G11B5/39

CPC classification number: G11B5/3903 ,  G11B5/398 ,  Y10T428/11

Abstract: 本发明提供适用于高记录密度磁记录再生的、噪声小的磁头。在非磁性导电层(101)上隔着第一绝缘层(103)形成固定层(102)，并在非磁性导电层的介质侧的面上隔着第二绝缘层(105)形成自由层(104)。其中，连接通过第一绝缘层在非磁性导电层与上述固定层之间使电流流通的电路(106)和在非磁性导电层与上述自由层之间用于测定电压的电路(107)。形成自由层的介质侧的面，可以是与介质表面大致平行的面，也可以是相对于介质表面倾斜的面。

公开(公告)号：CN101231851A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200710186603.5

申请日：2007-11-14

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 高桥宏昌 ,  山田将贵

IPC: G11B5/31 ,  G11B5/39

CPC classification number: G11B5/3903 ,  G11B5/398 ,  Y10T428/11

Abstract: 本发明提供适用于高记录密度磁记录再生的、噪声小的磁头。在非磁性导电层(101)上隔着第一绝缘层(103)形成固定层(102)，并在非磁性导电层的介质侧的面上隔着第二绝缘层(105)形成自由层(104)。其中，连接通过第一绝缘层在非磁性导电层与上述固定层之间使电流流通的电路(106)和在非磁性导电层与上述自由层之间用于测定电压的电路(107)。形成自由层的介质侧的面，可以是与介质表面大致平行的面，也可以是相对于介质表面倾斜的面。