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公开(公告)号：CN108694442B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201810156156.7
申请日：2018-02-23
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 一种计算机系统以及使用了递归神经网络的运算方法，计算机系统执行使用了由输入部、储备池部以及输出部构成的递归神经网络的运算处理，输入部包括接收多个时间序列数据的输入节点，储备池部包括伴随时间延迟的至少一个非线性节点，输出部包括计算输出值的输出节点，输入部对所接收的多个时间序列数据的每一个执行采样以及保持处理以及掩蔽处理，从而计算多个输入流，对多个输入流的每一个执行给予时间偏差的时移处理，通过将执行了时移处理的多个输入流的每一个进行叠加来计算输入数据。据此，在将多个时间序列数据作为输入来处理的储备池计算中，实现高精度且高速的处理。
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公开(公告)号：CN105493293B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201380079101.6
申请日：2013-09-09
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/861 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/868
CPC classification number: H01L29/1608 , B60L50/51 , H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/36 , H01L29/6606 , H01L29/8611 , H01L29/872 , H02M7/537 , H02P27/06
Abstract: 本发明提供在具有碳化硅器件的半导体装置中，能够抑制耐压变动且实现终端结构的低面积化的技术。为了解决上述课题，本发明中，在具有碳化硅器件的半导体装置中，在结终端部设置p型的第一区域、以及比第一区域更靠近外周侧而设置的p型的第二区域，在第一区域设置第一浓度梯度，在第二区域设置比第一浓度梯度大的第二浓度梯度。
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公开(公告)号：CN108694442A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810156156.7
申请日：2018-02-23
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G06N3/08 , G06F16/2477 , G06F17/18 , G06N3/04 , G06N3/0445 , G06N3/0675 , G06N3/063 , G06N3/049
Abstract: 一种计算机系统以及使用了递归神经网络的运算方法，计算机系统执行使用了由输入部、储备池部以及输出部构成的递归神经网络的运算处理，输入部包括接收多个时间序列数据的输入节点，储备池部包括伴随时间延迟的至少一个非线性节点，输出部包括计算输出值的输出节点，输入部对所接收的多个时间序列数据的每一个执行采样以及保持处理以及掩蔽处理，从而计算多个输入流，对多个输入流的每一个执行给予时间偏差的时移处理，通过将执行了时移处理的多个输入流的每一个进行叠加来计算输入数据。据此，在将多个时间序列数据作为输入来处理的储备池计算中，实现高精度且高速的处理。
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公开(公告)号：CN105493293A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201380079101.6
申请日：2013-09-09
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/861 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/868
CPC classification number: H01L29/1608 , B60L50/51 , H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/36 , H01L29/6606 , H01L29/8611 , H01L29/872 , H02M7/537 , H02P27/06
Abstract: 本发明提供在具有碳化硅器件的半导体装置中，能够抑制耐压变动且实现终端结构的低面积化的技术。为了解决上述课题，本发明中，在具有碳化硅器件的半导体装置中，在结终端部设置p型的第一区域、以及比第一区域更靠近外周侧而设置的p型的第二区域，在第一区域设置第一浓度梯度，在第二区域设置比第一浓度梯度大的第二浓度梯度。
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