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公开(公告)号：CN1567078B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200410056020.7
申请日：2000-07-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: C23F4/00 , H01L21/28008 , H01L21/28079 , H01L21/28114 , H01L21/32051 , H01L21/32136 , H01L21/76852 , H01L21/76867 , H01L21/76873 , H01L23/528 , H01L23/5283 , H01L23/53257 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/78621 , H01L2029/7863 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 布线及其制造方法、包括所说布线的半导体器件及干法腐蚀方法，提供一种干法腐蚀法，用于形成具有锥形且相对于底膜具有较大特定选择率的钨布线。如果适当调节偏置功率密度，并且如果利用具有氟作其主要成分的腐蚀气体去除钨薄膜的希望部分，则可以形成具有希望锥角的钨膜。
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公开(公告)号：CN1327284C
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200410056608.2
申请日：2000-07-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 显示器件，包括：在基片上的第一N沟道薄膜晶体管，包括至少有第一沟道区、第二沟道区、轻掺杂区及源区和漏区的第一半导体岛；在该岛上的第一栅绝缘体；在第一沟道区上的第一栅电极，其间有第一栅绝缘体；和在第二沟道区上的第二栅电极，其间有第一栅绝缘体；包括在基片上形成的第二N沟道薄膜晶体管的驱动电路，第二薄膜晶体管包括：至少有第三沟道区的第二半导体岛；在该岛上的第二栅绝缘体；在第三沟道区上的第三栅电极，其间有第二栅绝缘体；覆盖第一、第二和第三栅电极及第一和第二半导体岛的阻挡绝缘膜；和在该膜上并电连接第一半导体岛的源区和漏区之一的像素电极，第一、第二和第三栅电极的每一个都具有锥形角在20-70度的锥形边缘。
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公开(公告)号：CN1263153C
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN01110971.8
申请日：2001-03-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/00 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/1222 , G02F1/13454 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/127 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/78621 , H01L2029/7863
Abstract: 本发明提供了一种高可靠性的半导体显示器件。一种半导体显示器件包括：形成在绝缘表面上的半导体膜；与半导体膜接触的栅绝缘膜；与栅绝缘膜接触的第一栅电极；与第一栅电极接触的第二栅电极；其中第二栅电极端部具有锥形截面，其中半导体膜包括：沟道形成区，与沟道形成区接触的轻掺杂漏区，与轻掺杂漏区接触的源区和漏区，其中沿沟道纵向的第一栅电极的第一宽度宽于沿沟道纵向的第二栅电极的第二宽度，其中轻掺杂漏区与第一栅电极重叠，栅绝缘膜夹于其间。
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公开(公告)号：CN1645611A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200510007875.5
申请日：2001-03-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/00 , H01L29/786 , H05B33/12
CPC classification number: H01L27/1222 , G02F1/13454 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/127 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/78621 , H01L2029/7863
Abstract: 提供了一种高可靠性的半导体显示器件。半导体显示器件中的半导体层具有沟道形成区、LDD区、源区和漏区，LDD区与第一栅电极重叠，栅绝缘膜夹于其间。
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公开(公告)号：CN1373384A
公开(公告)日：2002-10-09
申请号：CN02106559.4
申请日：2002-02-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/4846 , G02F1/13454 , G02F1/13458 , G02F1/136286 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L21/02367 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1277 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/78621 , H01L29/78627
Abstract: 提供一种半导体器件的结构及其制造方法,其中即使在显示部分的尺寸增加到大尺寸荧光屏的情况下也能实现低功耗。象素部分中的栅极形成为主要含有W的材料膜、主要含有Al的材料膜、和主要含有Ti的材料膜的三层结构,以便降低布线电阻。采用IPC刻蚀装置刻蚀布线。栅极具有锥形,并且成为锥形的区域的宽度设定为1μm或以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101009241B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200710085014.8
申请日：2002-03-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/768 , H01L21/3213 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L29/4908 , G02F2001/13629 , H01L23/5283 , H01L23/53223 , H01L27/3241 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78645 , H01L29/78648 , H01L51/5203 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的布线具有层叠结构，它包括具有第一宽度的第一导电层(第一层)，由选自W和Mo，或主要含该元素的合金或化合物的一种或多种元素制成；低阻的第二导电层(第二层)，其具有小于第一宽度的第二宽度，由主要含Al的合金或化合物制成；及第三导电层(第三层)，其具有小于第二宽度的第三宽度，由主要含Ti的合金或化合物制成。采用这种结构，使本发明为象素段的扩大留有充分的余地。至少第二导电层的边缘具有锥形的截面。由于这种形状，使得能够获得令人满意的覆盖范围。
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公开(公告)号：CN100474595C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200710085810.1
申请日：2002-02-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/82 , H01L21/768 , G02F1/1362
Abstract: 提供一种半导体器件的结构及其制造方法，其中即使在显示部分的尺寸增加到大尺寸荧光屏的情况下也能实现低功耗。像素部分中的栅极形成为主要含有W的材料膜、主要含有Al的材料膜、和主要含有Ti的材料膜的三层结构，以便降低布线电阻。采用IPC刻蚀装置刻蚀布线。栅极具有锥形，并且成为锥形的区域的宽度设定为1μm或以上。
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公开(公告)号：CN100438028C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200510007875.5
申请日：2001-03-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/00 , H01L29/786 , H05B33/12
CPC classification number: H01L27/1222 , G02F1/13454 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/127 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/78621 , H01L2029/7863
Abstract: 提供了一种高可靠性的半导体显示器件。半导体显示器件中的半导体层其有沟道形成区、LDD区、源区和漏区，LDD区与第一栅电极重叠，栅绝缘膜夹于其间。
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公开(公告)号：CN101009241A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200710085014.8
申请日：2002-03-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/768 , H01L21/3213 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L29/4908 , G02F2001/13629 , H01L23/5283 , H01L23/53223 , H01L27/3241 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78645 , H01L29/78648 , H01L51/5203 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的布线具有层叠结构，它包括具有第一宽度的第一导电层(第一层)，由选自W和Mo，或主要含该元素的合金或化合物的一种或多种元素制成；低阻的第二导电层(第二层)，其具有小于第一宽度的第二宽度，由主要含Al的合金或化合物制成；及第三导电层(第三层)，其具有小于第二宽度的第三宽度，由主要含Ti的合金或化合物制成。采用这种结构，使本发明为象素段的扩大留有充分的余地。至少第二导电层的边缘具有锥形的截面。由于这种形状，使得能够获得令人满意的覆盖范围。
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公开(公告)号：CN1567528A
公开(公告)日：2005-01-19
申请号：CN200410056608.2
申请日：2000-07-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: C23F4/00 , H01L21/28008 , H01L21/28079 , H01L21/28114 , H01L21/32051 , H01L21/32136 , H01L21/76852 , H01L21/76867 , H01L21/76873 , H01L23/528 , H01L23/5283 , H01L23/53257 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/78621 , H01L2029/7863 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种干法腐蚀法，用于形成具有锥形且相对于底膜具有较大特定选择率的钨布线。如果适当调节偏置功率密度，并且如果利用具有氟作其主要成分的腐蚀气体去除钨薄膜的希望部分，则可以形成具有希望锥角的钨膜。
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