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公开(公告)号：CN1152299A
公开(公告)日：1997-06-18
申请号：CN96190066.0
申请日：1996-06-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L24/33 , C04B35/584 , C04B35/5935 , H01L23/15 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01021 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/01039 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/0105 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01059 , H01L2924/0106 , H01L2924/01064 , H01L2924/01066 , H01L2924/01067 , H01L2924/01068 , H01L2924/0107 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01105 , H01L2924/04953 , H01L2924/1301 , H01L2924/13034 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的高热导性氮化硅烧结体的特征在于：含有换算成氧化物为大于7.5重量％小于17.5重量％的稀土族元素，按需要含有低于1.0重量％的氮化铝或氧化铝中的至少一种；根据需要含有0.1～3.0重量％的从由Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W的氧化物、碳化物、氮化物、硅化物、硼化物组成的群体中选出的至少一种、作为其他的杂质阳离子元素合计含有0.3重量％以下的Li、Na、K、Fe、Ca、Mg、Sr、Ba、Mn、B，它由α相型氮化硅结晶和晶界相构成。该烧结体的晶界相中的结晶化合物相对晶界相整体的比率大于20％，而气孔率按容量比算低于2.5％、热导率大于20W/m·K、三点弯曲强度在室温下大于650MPa。若按该构成，除去氮化硅烧结体原本就具有的高强度特性之外，可得到热导率高、散热性优良的氮化硅烧结体。本发明的压接结构体的构成是把发热部件压接到由上述氮化硅烧结体构成的散热板上。
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公开(公告)号：CN1082938C
公开(公告)日：2002-04-17
申请号：CN96190066.0
申请日：1996-06-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L24/33 , C04B35/584 , C04B35/5935 , H01L23/15 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01021 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/01039 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/0105 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01059 , H01L2924/0106 , H01L2924/01064 , H01L2924/01066 , H01L2924/01067 , H01L2924/01068 , H01L2924/0107 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01105 , H01L2924/04953 , H01L2924/1301 , H01L2924/13034 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的高热导性氮化硅烧结体的特征在于：含有换算成氧化物为大于7.5重量%小于17.5重量%的稀土族元素，按需要含有低于1.0重量%的氮化铝或氧化铝中的至少一种；根据需要含有0.1～3.0重量%的从由Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W的氧化物、碳化物、氮化物、硅化物、硼化物组成的群体中选出的至少一种、作为其他的杂质阳离子元素合计含有0.3重量%以下的Li、Na、K、Fe、Ca、Mg、Sr、Ba、Mn、B，它由α相型氮化硅结晶和晶界相构成。该烧结体的晶界相中的结晶化合物相对晶界相整体的比率大于20%，而气孔率按容量比算低于2.5%、热导率大于20W/m·K、三点弯曲强度在室温下大于650MPa。若按该构成，除去氮化硅烧结体原本就具有的高强度特性之外，可得到热导率高、散热性优良的氮化硅烧结体。本发明的压接结构体的构成是把发热部件压接到由上述氮化硅烧结体构成的散热板上。
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公开(公告)号：CN1139117C
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN96190008.3
申请日：1996-03-19
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L23/3735 , C04B35/5935 , C04B37/021 , C04B37/026 , C04B2235/5445 , C04B2235/6565 , C04B2235/723 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C04B2237/122 , C04B2237/368 , C04B2237/407 , C04B2237/70 , H01L22/12 , H01L23/15 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2224/83455 , H01L2924/01322 , H01L2924/10253 , Y10T428/24917 , Y10T428/24926 , H01L2924/014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种金属电路板粘接到具有热导率不小于60W/m·K的高导热氮化硅基片上的氮化硅电路板，其中高导热氮化硅基片的厚度Ds和所说金属电路板的厚度DM满足关系式Ds≤2DM。该氮化硅电路板的特征在于：当一负荷作用在支撑在50mm的支撑间隔处的电路板的中心部位直到所说氮化硅基片折断时，电路板的最大挠度不小于0.6mm。该氮化硅电路板的特征在于：对支撑在50mm的支撑间隔处的所说电路板进行抗折断试验，所说电路板的抗折断强度不小于500MPa。用直接键合法、活性金属钎焊法或金属化法将金属电路板或电路层整体地粘接在氮化硅基片上。上述配置的氮化硅基片，能够获得高热导率和极好的热辐射特性，并且能大大提高耐热循环特性。
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公开(公告)号：CN1145693A
公开(公告)日：1997-03-19
申请号：CN96190008.3
申请日：1996-03-19
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L23/3735 , C04B35/5935 , C04B37/021 , C04B37/026 , C04B2235/5445 , C04B2235/6565 , C04B2235/723 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C04B2237/122 , C04B2237/368 , C04B2237/407 , C04B2237/70 , H01L22/12 , H01L23/15 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2224/83455 , H01L2924/01322 , H01L2924/10253 , Y10T428/24917 , Y10T428/24926 , H01L2924/014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种金属电路板粘接到具有热导率不小于60W/m·K的高导热氮化硅基片上的氮化硅电路板，其中高导热氮化硅基片的厚度Ds和所说金属电路板的厚度DM满足关系式Ds≤2DM。该氮化硅电路板的特征在于：当一负荷作用在支撑在50mm的支撑间隔处的电路板的中心部位直到所说氮化硅基片折断时，电路板的最大挠度不小于0.6mm。该氮化硅电路板的特征在于：对支撑在50mm的支撑间隔处的所说电路板进行抗折断试验，所说电路板的抗折断强度不小于500MPa。用直接键合法、活性金属钎焊法或金属化法将金属电路板或电路层整体地粘接在氮化硅基片上。上述配置的氮化硅基片，能够获得高热导率和极好的热辐射特性，并且能大大提高耐热循环特性。
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