公开(公告)号：CN1779976A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200510113698.9

申请日：2005-10-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 林慎一郎 ,  那须彻

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/92 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/822 ,  H01B3/00 ,  H01G4/06

CPC classification number: H01L27/11502 ,  C23C16/40 ,  C23C16/56 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65

Abstract: 本发明公开了一种电容绝缘膜及其制造方法、电容元件及其制造方法和半导体存储装置及其制造方法。本发明的目的在于：提供一种即使被细微化，也具有充分的极化特性的电容绝缘膜。电容绝缘膜，为由形成在半导体衬底11上的铁电膜构成的电容绝缘膜21；铁电膜，含有发挥使结晶取向成为随机结晶取向的结晶生长的结晶核作用的元素。

公开(公告)号：CN1126175C

公开(公告)日：2003-10-29

申请号：CN99127744.9

申请日：1999-12-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长野能久 ,  田中圭介 ,  那须彻

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/40

Abstract: 一种半导体存储器件包括：一个含晶体管的半导体衬底；第一保护性绝缘薄膜；至少一个数据存储电容器元件；第二保护性绝缘薄膜；一个氢阻挡层；和一个互连层，用于电连接晶体管和电容器元件，其中，电容器元件包括：一个下电极，它形成在第一保护性绝缘薄膜上；一层电容器薄膜，它形成在下电极上；一个上电极，它形成在电容器薄膜上，电容器薄膜包括一种绝缘金属氧化物，第二保护性绝缘薄膜具有到达上电极的第一接触孔和到达下电极的第二接触孔，氢阻挡层设置在第一和第二接触孔中，以不暴露上电极和下电极。

公开(公告)号：CN1309078C

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN03103803.4

申请日：2003-02-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 那须彻 ,  林慎一郎

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L28/56

Abstract: 一种铁电电容元件，由下部电极、铁电膜构成的电容绝缘膜和上部电极构成的铁电电容元件中的铁电膜具有：由Bi2O2构成的多个氧化铋层21、和由至少一个第1层(22)及至少一个第2层(23)构成的多个类钙钛矿层交互地叠层的铋层状结构。第1层(22)由BO4(其中，B是5价的金属)构成，第2层(23)由(A1-xBi2x/3)B2O7(其中，A是2价的金属，B是5价的金属，x满足条件0＜x＜1。)构成。由此，在将具有铋层状结构的铁电膜作为电容绝缘膜使用的铁电电容元件中，可防止因泄漏电流增加和耐压降低造成的不良现象的发生。

公开(公告)号：CN1184691C

公开(公告)日：2005-01-12

申请号：CN01104073.4

申请日：2001-02-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长野能久 ,  那须彻 ,  森慎一郎 ,  藤井英治

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L28/75 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/55

Abstract: 本发明的半导体存储器件的存储电容器(2)，由下部电极(8)、电容绝缘膜(9)、上部电极(12)构成，其下部电极(8)由第1阻挡膜(6)和第2阻挡膜(7)组成。第1阻挡膜(6)，由从上层开始的Ir膜/TiAlN膜/Ti膜的叠层膜组成。第2阻挡膜(7)，由从上层开始Pt膜/IrO2膜的叠层膜形成，是为了完全覆盖第1阻挡膜(6)而设置的。据此，能够阻滞来自第1阻挡膜(6)的侧面的氧扩散，就能够防止因连接柱(11)氧化而发生的接触不良。

公开(公告)号：CN1175485C

公开(公告)日：2004-11-10

申请号：CN00121579.5

申请日：2000-08-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 那须彻 ,  林慎一郎

IPC: H01L21/70 ,  H01L27/04 ,  H01G4/10

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11507

Abstract: 本发明公开了一种铁电薄膜的制造方法、铁电电容器及铁电存储单元。特别公开了可用作铁电存储器的电容绝缘膜的铁电薄膜的制造方法。本发明提供一种非c轴取向的层状结构的铁电薄膜的制造方法，其中包括：至少其表面成为球状晶体结构的导电层(12)的表面上，形成具有取向不规则的层状结构的铁电薄膜(13)的工序。

公开(公告)号：CN1173403C

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN98103420.9

申请日：1998-07-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中尾圭策 ,  松田明浩 ,  井筒康文 ,  伊东丰二 ,  三河巧 ,  那须彻 ,  长野能久 ,  田中圭介 ,  久都内知惠

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/768 ,  H01L21/283 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L28/55

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法是在半导体基片上形成由下部电极电容绝缘膜及上部电极组成的电容元件。在层间绝缘膜形成下部电极用接触窗及上部电极用接触窗。在上部电极接触窗的底面和壁面以及层间绝缘膜上的上部电极用的接触窗的周边缘部，形成由氮化钛组成的防止扩散用的导电膜。在含有下部电极用接触窗及上部接触窗的内部的层间绝缘膜上，形成由钛膜、第一氮化钛膜、铝膜及第二氮化钛膜组成的金属布线。

公开(公告)号：CN1159759C

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN96110805.3

申请日：1996-07-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 松田明浩 ,  长野能久 ,  那须彻 ,  有田浩二 ,  上本康裕

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/04 ,  H01G4/06 ,  H01G4/33

CPC classification number: H01L28/56

Abstract: 本发明内装于半导体集成电路中的使用强电介质膜或高介电常数的电介质膜的电容元件的制造方法具有：在衬底基片的一表面上形成由金属膜或导电性氧化膜构成的第1电极的工序、在第1电极上烧结形成主成分为强电介质或具有高介电常数的电介质构成的第1绝缘膜的工序、在该第1绝缘膜上热处理形成第2绝缘膜的工序，以及在该第2绝缘膜上形成由金属模或导电性氧化膜构成的第2电极的工序。

公开(公告)号：CN1438708A

公开(公告)日：2003-08-27

申请号：CN03103803.4

申请日：2003-02-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 那须彻 ,  林慎一郎

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L28/56

Abstract: 一种铁电电容元件，由下部电极、铁电膜构成的电容绝缘膜和上部电极构成的铁电电容元件中的铁电膜具有：由Bi2O2构成的多个氧化铋层21、和由至少一个第1层(22)及至少一个第2层(23)构成的多个假钙钛矿层交互地叠层的铋层状结构。第1层(22)由BO4(其中，B是5价的金属)构成，第2层(23)由(A1－xBi2x/3)B2O7(其中，A是2价的金属，B是5价的金属，x满足条件0＜x＜1。)构成。由此，在将具有铋层状结构的铁电膜作为电容绝缘膜使用的铁电电容元件中，可防止因泄漏电流增加和耐压降低造成的不良现象的发生。