公开(公告)号：CN1677676A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200510059375.6

申请日：2005-03-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 伊东丰二

IPC: H01L27/105

CPC classification number: H01L28/57 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10894

Abstract: 一种半导体器件至少由具有电容器的存储器电路部分和用于控制该存储器电路部分的外围电路部分组成，并且具有抗氢的第一氢阻挡膜和抗氢的第二氢阻挡膜，该第一氢阻挡膜覆盖其中形成电容器的区域，该第二氢阻挡膜至少覆盖第一氢阻挡膜之上的存储器电路部分和外围电路部分。第二氢阻挡膜覆盖除了其中形成接触插塞的区域之外的、位于在第一氢阻挡膜之上并且最靠近电容器的互连层和第一氢阻挡膜之间的半导体器件的区域。

公开(公告)号：CN1173403C

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN98103420.9

申请日：1998-07-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中尾圭策 ,  松田明浩 ,  井筒康文 ,  伊东丰二 ,  三河巧 ,  那须彻 ,  长野能久 ,  田中圭介 ,  久都内知惠

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/768 ,  H01L21/283 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L28/55

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法是在半导体基片上形成由下部电极电容绝缘膜及上部电极组成的电容元件。在层间绝缘膜形成下部电极用接触窗及上部电极用接触窗。在上部电极接触窗的底面和壁面以及层间绝缘膜上的上部电极用的接触窗的周边缘部，形成由氮化钛组成的防止扩散用的导电膜。在含有下部电极用接触窗及上部接触窗的内部的层间绝缘膜上，形成由钛膜、第一氮化钛膜、铝膜及第二氮化钛膜组成的金属布线。

公开(公告)号：CN1300837C

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN03101674.X

申请日：2003-01-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 伊东丰二

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/10808 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，首先，在衬底(101)上形成包含由金属氧化物构成的电容绝缘膜(106)的电容元件(108)。接着，在电容元件(108)之上沉积了由氧化硅构成的层间绝缘膜(109A)后，在层间绝缘膜(109A)之上形成电连接电容元件(108)的阻挡膜(110B)。在把形成了阻挡膜(110B)的衬底(101)向之后的步骤输送时的输送期间或输送前后的待机期间，把露出层间绝缘膜(109A)的衬底(101)储存在通过吸湿材料(21)使内部的水分浓度比外部低并设置为可密封的由石英构成的储存容器(20)中。使包含由金属氧化物构成的强电介质的电容绝缘膜的电特性不会由于热处理而从层间绝缘膜放出的水分而劣化。

公开(公告)号：CN1284242C

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：CN200310118118.6

申请日：2003-11-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 伊东丰二 ,  藤井英治 ,  梅田和男

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/314 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/11509 ,  H01L28/55 ,  H01L28/57 ,  H01L28/65

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。是在具有使用强电介质或者高电介质的电容绝缘膜的半导体器件中，在可以防止电容绝缘膜因氢引起的劣化的同时，还可以减小单位单元的面积。该器件具备：形成在半导体衬底(10)上的单元选择用晶体管；与各晶体管的源扩散层(14B)连接、包含多个电容部(27)的电容部列，各个电容部具有由强电介质构成的电容绝缘膜(25)；以及形成在比该电容部列更下方的位线(17)。电容部列在包含上下的整个周围被氢阻挡膜覆盖，该氢阻挡膜，由形成在晶体管和电容部(27)之间的导电性下部氢阻挡膜(21)、形成在位线(17)及电容部列之间的绝缘性下部氢阻挡膜(19)和形成在电容部列的上侧的上部氢阻挡膜(29)构成。

公开(公告)号：CN1617344A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN200410076846.X

申请日：2003-11-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 伊东丰二 ,  藤井英治 ,  梅田和男

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/314 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/11509 ,  H01L28/55 ,  H01L28/57 ,  H01L28/65

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。在具有使用强电介质或高电介质的电容绝缘膜的半导体器件中，可防止电容绝缘膜因氢引起的劣化的同时，还可减小单位单元的面积。该器件具备：形成在半导体衬底(10)上的单元选择用晶体管；与各晶体管的源扩散层(14B)连接、包含多个电容部(27)的电容部列，各个电容部具有由强电介质构成的电容绝缘膜(25)；形成在比该电容部列更下方的位线(17)。电容部列在包含上下的整个周围被氢阻挡膜覆盖，该氢阻挡膜由形成在晶体管和电容部(27)之间的导电性下部氢阻挡膜(21)、形成在位线(17)及电容部列之间的绝缘性下部氢阻挡膜(19)和形成在电容部列上侧的上部氢阻挡膜(29)构成。

公开(公告)号：CN1501502A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN200310118118.6

申请日：2003-11-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 伊东丰二 ,  藤井英治 ,  梅田和男

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/314 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/11509 ,  H01L28/55 ,  H01L28/57 ,  H01L28/65

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。是在具有使用强电介质或者高电介质的电容绝缘膜的半导体器件中，在可以防止电容绝缘膜因氢引起的劣化的同时，还可以减小单位单元的面积。该器件具备：形成在半导体衬底(10)上的单元选择用晶体管；与各晶体管的源扩散层(14B)连接、包含多个电容部(27)的电容部列，各个电容部具有由强电介质构成的电容绝缘膜(25)；以及形成在比该电容部列更下方的位线(17)。电容部列在包含上下的整个周围被氢阻挡膜覆盖，该氢阻挡膜，由形成在晶体管和电容部(27)之间的导电性下部氢阻挡膜(21)、形成在位线(17)及电容部列之间的绝缘性下部氢阻挡膜(19)和形成在电容部列的上侧的上部氢阻挡膜(29)构成。

公开(公告)号：CN100552954C

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN03107915.6

申请日：2003-03-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 伊东丰二 ,  藤井英治

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  H01L28/75

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，为达到可缩小包括电容元件的半导体装置的每一个电容元件的面积的目的。还有，由下部电极(16)、电容绝缘膜(17)及上部电极(18)组成的电容元件(19)，设置在MOS晶体管(30)的源扩散区域(30a)上的导电性插塞(13)的更上一层。再有，电容绝缘膜(17)是沿着设置在第二层间绝缘膜(15)上露出化化阻挡膜(14)的开口部分(15a)的底面和侧壁形成的，其结果是在电容绝缘膜(17)上形成沿导电性插塞(13)的贯通方向弯曲的弯曲部分(17a)。

公开(公告)号：CN1244155C

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN01821958.6

申请日：2001-11-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长野能久 ,  伊东丰二 ,  今西贞之 ,  藤井英治

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，在布线层形成后无法使用高温氧退火的状态下，防止由绝缘性金属氧化物制成的电容绝缘膜被还原。在半导体衬底1上形成由下部电极8、由绝缘性金属氧化物制成的电容绝缘膜9及上部电极10构成的电容元件11。在以覆盖电容元件11的方式形成的保护绝缘膜12上形成有第1布线层14。以覆盖第1布线层14的方式形成有第1层间绝缘膜15。隔着以与电容元件11重叠的方式设置且防止氢扩散的阻挡膜16，在第1层间绝缘膜15上形成有第2层间绝缘膜17。在第2层间绝缘膜17上形成有第2布线层19。第1层间绝缘膜15中氢的含有率比第2层间绝缘膜17中氢的含有率低。

公开(公告)号：CN1486512A

公开(公告)日：2004-03-31

申请号：CN01821958.6

申请日：2001-11-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长野能久 ,  伊东丰二 ,  今西贞之 ,  藤井英治

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，在布线层形成后无法使用高温氧退火的状态下，防止由绝缘性金属氧化物制成的电容绝缘膜被还原。在半导体衬底1上形成由下部电极8、由绝缘性金属氧化物制成的电容绝缘膜9及上部电极10构成的电容元件11。在以覆盖电容元件11的方式形成的保护绝缘膜12上形成有第1布线层14。以覆盖第1布线层14的方式形成有第1层间绝缘膜15。隔着以与电容元件11重叠的方式设置且防止氢扩散的阻挡膜16，在第1层间绝缘膜15上形成有第2层间绝缘膜17。在第2层间绝缘膜17上形成有第2布线层19。第1层间绝缘膜15中氢的含有率比第2层间绝缘膜17中氢的含有率低。

公开(公告)号：CN1129958C

公开(公告)日：2003-12-03

申请号：CN97102155.4

申请日：1997-01-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中川聪 ,  伊东丰二 ,  尾藤阳二 ,  长野能久

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/314

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32136

Abstract: 在半导体衬底上依次形成器件绝缘膜、下白金膜、强电介质膜、上白金膜、钛膜和期望图形的光刻胶掩模。钛膜厚度设为上白金膜、强电介质膜和下白金膜总厚度的十分之一以上。用干蚀法刻蚀钛膜并用灰化处理除去光刻胶掩模。用已图形化的钛膜为掩模，应用把氧气的体积浓度设定为40%的氯与氧混合气体的等离子体的干蚀法刻蚀上白金膜、强电介质膜和下白金膜。由于钛膜被氧化故可得到高的刻蚀选择比。再用应用了氯气的等离子体的干蚀法除去钛膜。