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公开(公告)号：CN109928427B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201910216725.7
申请日：2019-03-21
Applicant: 暨南大学
IPC: C01G39/02 , B82Y40/00 , H01L31/032 , H01L31/112
Abstract: 本发明涉及一种双离子插层氧化钼纳米片、异质结及其制备方法，该方法包括以下步骤：将生长有氧化钼纳米片的衬底放置于包含亚锡盐的前驱体溶液中加热，得到Sn4+离子插层的氧化钼纳米片；在上述纳米片表面放置锌微米颗粒，滴加金属盐溶液反应，获得Sn4+、金属阳离子共插层的氧化钼纳米片；其中将钼片放置在耐高温衬底表面，在540‑600℃的大气环境下保持5‑20min，然后冷却至室温即可获得生长有氧化钼纳米片的衬底。本发明实现了将Sn4+离子和第二类金属离子共同插层到MoO3的层间，减小其带隙，提高氧化钼的导电性，拓宽了吸收谱带范围，同时在单一材料实现异质结的构建提高光电性能。
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公开(公告)号：CN109449247A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811057075.8
申请日：2018-09-11
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/02 , H01L31/032 , H01L31/09
Abstract: 本发明涉及锡掺杂氧化钼薄膜、基于锡掺杂氧化钼薄膜的宽光谱光电探测器阵列及其制备方法，其方法包括以下步骤：步骤a、将氧化钼粉末与氯化亚锡粉末按一定的质量比研磨均匀后置于真空腔的钨舟中，干净的衬底贴于腔体顶部的样品座上；步骤b、将腔体抽真空,直到压强小于5×10-4Pa后开始蒸镀。缓慢增加电流到50A后打开挡板，先以慢速蒸镀到10nm后继续增加电流到60A左右，以较快的速率蒸发直到薄膜完成后关闭蒸发电源，自然冷却后取出样品。通过上述方式，本发明利用工艺成熟的热蒸发镀膜技术制备大面积均匀的锡掺杂氧化钼薄膜，制作方式简单，便于产业化。
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公开(公告)号：CN110306236B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201910628556.8
申请日：2019-07-12
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明涉及一种大尺寸V6O13单晶片及其制备方法，该方法采用溶液辅助固相热解的方法进行V6O13单晶片的制备，其先后经历V2O5前驱液的配制、滴涂以及热处理三个步骤；该方法克服了气相、固相法难以合成出V6O13、溶液法以及溶剂热解方式制备存在不纯以及结晶性差的问题，其不但制备工艺简单，效率高，而且所制备出的V6O13单晶片具有尺寸大、生长取向好、物相单一等优点；解决了目前实验上难以合成高质量V6O13单晶的困难。更重要的是，本发明提供的V6O13单晶的制备方法能够大批量制备。因此，本发明实施例中提供的大尺寸V6O13单晶片及其制备方法对进一步研究V6O13的相关性能提供了原材料。
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公开(公告)号：CN109928427A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910216725.7
申请日：2019-03-21
Applicant: 暨南大学
IPC: C01G39/02 , B82Y40/00 , H01L31/032 , H01L31/112
Abstract: 本发明涉及一种双离子插层氧化钼纳米片、异质结及其制备方法，该方法包括以下步骤：将生长有氧化钼纳米片的衬底放置于包含亚锡盐的前驱体溶液中加热，得到Sn4+离子插层的氧化钼纳米片；在上述纳米片表面放置锌微米颗粒，滴加金属盐溶液反应，获得Sn4+、金属阳离子共插层的氧化钼纳米片；其中将钼片放置在耐高温衬底表面，在540-600℃的大气环境下保持5-20min，然后冷却至室温即可获得生长有氧化钼纳米片的衬底。本发明实现了将Sn4+离子和第二类金属离子共同插层到MoO3的层间，减小其带隙，提高氧化钼的导电性，拓宽了吸收谱带范围，同时在单一材料实现异质结的构建提高光电性能。
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公开(公告)号：CN115985995B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202211531586.5
申请日：2022-12-01
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L31/103 , H01L31/18 , H01L31/032 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明具体涉及一种二维钙钛矿掺杂过渡金属硫族化合物同质结光电探测器，涉及光电探测领域，其包括最下层的绝缘衬底层；置于所述绝缘衬底层上的二维钙钛矿纳米片层；置于所述二维钙钛矿纳米片层上的过渡金属硫族化合物纳米片层，作为沟道层，使得部分所述过渡金属硫族化合物纳米片层下方有所述二维钙钛矿纳米片层；以及与所述过渡金属硫族化合物纳米片层两端连接的电极。采用简单的方法构建同质结光电探测器，具有明显整流效果，提高响应速度，用简单的结构实现对二维过渡金属硫族化合物的可控稳定掺杂，推动同质结光电探测器的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111876826B
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202010668344.5
申请日：2020-07-13
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明属于晶体材料技术领域，具体公开了一种高质量草状V2O5晶体及其制备方法。本发明采用一种改进版的物理气相沉积法制备V2O5晶体，即V2O5粉末在高温区蒸发成V2O5气体分子，在低温区沉积生长形成V2O5晶体。在制备过程中，携带V2O5气体分子的载气(氧气)通过倒机翼状载板时，由于上下气流流速不同，产生压强差，增强了V2O5气体分子在衬底上沉积的效率。本发明的制备方法工艺简单，效率高，可适用于规模化生产，同时本发明制备得到的草状V2O5晶体具有表面光滑、物相单一、结晶性好以及大尺寸等特点，此外，通过加工处理可得到V2O5的低维纳米结构材料，为进一步研究V2O5的相关性能、应用提供了原材料。
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公开(公告)号：CN111876826A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010668344.5
申请日：2020-07-13
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明属于晶体材料技术领域，具体公开了一种高质量草状V2O5晶体及其制备方法。本发明采用一种改进版的物理气相沉积法制备V2O5晶体，即V2O5粉末在高温区蒸发成V2O5气体分子，在低温区沉积生长形成V2O5晶体。在制备过程中，携带V2O5气体分子的载气(氧气)通过倒机翼状载板时，由于上下气流流速不同，产生压强差，增强了V2O5气体分子在衬底上沉积的效率。本发明的制备方法工艺简单，效率高，可适用于规模化生产，同时本发明制备得到的草状V2O5晶体具有表面光滑、物相单一、结晶性好以及大尺寸等特点，此外，通过加工处理可得到V2O5的低维纳米结构材料，为进一步研究V2O5的相关性能、应用提供了原材料。
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公开(公告)号：CN110306236A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910628556.8
申请日：2019-07-12
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明涉及一种大尺寸V6O13单晶片及其制备方法，该方法采用溶液辅助固相热解的方法进行V6O13单晶片的制备，其先后经历V2O5前驱液的配制、滴涂以及热处理三个步骤；该方法克服了气相、固相法难以合成出V6O13、溶液法以及溶剂热解方式制备存在不纯以及结晶性差的问题，其不但制备工艺简单，效率高，而且所制备出的V6O13单晶片具有尺寸大、生长取向好、物相单一等优点；解决了目前实验上难以合成高质量V6O13单晶的困难。更重要的是，本发明提供的V6O13单晶的制备方法能够大批量制备。因此，本发明实施例中提供的大尺寸V6O13单晶片及其制备方法对进一步研究V6O13的相关性能提供了原材料。
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公开(公告)号：CN110467159B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN201910641135.9
申请日：2019-07-16
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种自驱动、微区、定位离子插层及图案化方法，该方法包括以下步骤：选取高纯度的具有负电化学势的金属丝，利用电化学刻蚀得到具有一定曲率半径的尖端，配制一定浓度的金属盐溶液并滴在二维材料表面，将刻蚀后的金属丝固定于精度较高的三维控制平台，通过控制平台来移动金属丝，同时借助光学显微镜使金属丝尖端与材料表面接触，插层反应在接触部位开始进行，通过该反应实现了材料的性能优化，包括拓宽响应光谱范围以及实现局部功能化，同时控制金属丝根据设置好的图案在材料表面移动，可以得到定位插层图案，这是现有插层技术所无法达到的。本发明在调控二维材料性质以及在纳米尺度下实现高分辨图案化取得显著效果。
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公开(公告)号：CN109950321B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201910225445.2
申请日：2019-03-25
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明涉及一种基于氧化钨的P型场效应晶体管及其制备方法，采用固态电解质作衬底，在固态电解质衬底上放置掩膜板，预留一器件沟道；然后沉积一层绝缘薄膜；然后取下掩膜板，沉积三氧化钨薄膜；然后重新放置掩膜板，蒸镀源、漏电极；最后在固态电解质背面蒸镀沉积栅电极，形成场效应器件。本发明将三氧化钨作为有源层应用于晶体管，Au作源、漏电极，器件采用真空热蒸镀方法制备，工艺简单，同时将固态电解质作为栅介质，由于电解质极强的长程离子‑电子耦合特性，当栅电极远离沟道区域时，仍能够对沟道的导电性产生极强的调控作用，降低了器件制作过程中的对准要求，得到呈现为P型场效应调制作用的晶体管。
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