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公开(公告)号：CN115985995A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211531586.5
申请日：2022-12-01
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L31/103 , H01L31/18 , H01L31/032 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明具体涉及一种二维钙钛矿掺杂过渡金属硫族化合物同质结光电探测器，涉及光电探测领域，其包括最下层的绝缘衬底层；置于所述绝缘衬底层上的二维钙钛矿纳米片层；置于所述二维钙钛矿纳米片层上的过渡金属硫族化合物纳米片层，作为沟道层，使得部分所述过渡金属硫族化合物纳米片层下方有所述二维钙钛矿纳米片层；以及与所述过渡金属硫族化合物纳米片层两端连接的电极。采用简单的方法构建同质结光电探测器，具有明显整流效果，提高响应速度，用简单的结构实现对二维过渡金属硫族化合物的可控稳定掺杂，推动同质结光电探测器的应用。
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公开(公告)号：CN110467159A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910641135.9
申请日：2019-07-16
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种自驱动、微区、定位离子插层及图案化方法，该方法包括以下步骤：选取高纯度的具有负电化学势的金属丝，利用电化学刻蚀得到具有一定曲率半径的尖端，配制一定浓度的金属盐溶液并滴在二维材料表面，将刻蚀后的金属丝固定于精度较高的三维控制平台，通过控制平台来移动金属丝，同时借助光学显微镜使金属丝尖端与材料表面接触，插层反应在接触部位开始进行，通过该反应实现了材料的性能优化，包括拓宽响应光谱范围以及实现局部功能化，同时控制金属丝根据设置好的图案在材料表面移动，可以得到定位插层图案，这是现有插层技术所无法达到的。本发明在调控二维材料性质以及在纳米尺度下实现高分辨图案化取得显著效果。
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公开(公告)号：CN102760834A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210257338.6
申请日：2012-07-24
Applicant: 暨南大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种有机薄膜太阳能电池，由多个电池单体在一平面上紧凑排列而成，其特征在于：电池单体的形状为锥体，所述锥体为正三面锥、正四面锥或正六面锥，锥体的内侧面为受光面，每一内侧面都包括一个电池元，该电池元铺满该内侧面。本发明的有机薄膜太阳能电池结构成型简单，制造工艺简单，制造成本低，填充率达100%，电池元为平面器件，不存在应力问题，便于集成为大规模太阳能电池阵列，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN102553753A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110458523.7
申请日：2011-12-31
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种薄膜喷涂机，包括喷头，其特征在于：喷头固定于三维调整架上，喷头能够三维运动，喷头的下方设置有后处理槽，后处理槽的底部为导热板，导热板的下面设置有电热板，后处理槽和盖板能够形成密闭空间。本发明还公开了一种薄膜制备方法，首先在后处理槽中喷涂形成薄膜，然后直接在后处理槽中对薄膜进行溶剂蒸气浸润后处理。本发明的薄膜喷涂机能够制备厚度均匀、误差小、精度高、形状可调的大面积薄膜，成膜重复性好。集成加热和溶剂浸润处理功能，便于实验室和小规模工业制膜。
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公开(公告)号：CN113092825B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202110246800.1
申请日：2021-03-05
IPC: G01Q60/24
Abstract: 本申请涉及一种原子力显微镜系统及其电流检测方法，在基于导电针尖自感应探针的原子力显微镜系统中，首先对导电针尖自感应探针施加探针激励信号使其进入振动工作模式进行待测样品当前位置的形貌扫描操作。之后将导电针尖自感应探针切换为静态工作模式实现待测样品当前位置的电压‑电流测量操作，最后将导电针尖自感应探针移动到下一位置进行下一位置的检测。上述方案，在进行原子力显微镜形貌扫描的同时，实现局域电阻、或电流的测量或成像。这样，既有动态原子力显微镜形貌成像的优点，即对样品的作用力较小，成像效果好，又有接触原子力显微镜电流测量的优点，可施加较大的斥力作用，可获得稳定可靠的形貌成像和电流测量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109928427B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201910216725.7
申请日：2019-03-21
Applicant: 暨南大学
IPC: C01G39/02 , B82Y40/00 , H01L31/032 , H01L31/112
Abstract: 本发明涉及一种双离子插层氧化钼纳米片、异质结及其制备方法，该方法包括以下步骤：将生长有氧化钼纳米片的衬底放置于包含亚锡盐的前驱体溶液中加热，得到Sn4+离子插层的氧化钼纳米片；在上述纳米片表面放置锌微米颗粒，滴加金属盐溶液反应，获得Sn4+、金属阳离子共插层的氧化钼纳米片；其中将钼片放置在耐高温衬底表面，在540‑600℃的大气环境下保持5‑20min，然后冷却至室温即可获得生长有氧化钼纳米片的衬底。本发明实现了将Sn4+离子和第二类金属离子共同插层到MoO3的层间，减小其带隙，提高氧化钼的导电性，拓宽了吸收谱带范围，同时在单一材料实现异质结的构建提高光电性能。
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公开(公告)号：CN109962164A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201910231667.5
申请日：2019-03-26
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种恒温气体处理装置、包含有三维‑二维钙钛矿薄膜的太阳能电池及其制备方法，该制备方法通过正丁胺饱和蒸气对三维钙钛矿薄膜表面进行处理，快速形成表面二维钙钛矿薄层。基于该方法的太阳能电池包括导电衬底FTO、电子传输层、三维钙钛矿层，二维钙钛矿层、空穴传输层、电极。本发明的该方法采用气固反应，方法简单且过程可控性良好，成本低廉。同时处理过程温度低，不需要昂贵的真空设备，可进行大规模处理，适合大面积工业化应用。
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公开(公告)号：CN109605987A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811374022.9
申请日：2018-11-19
Applicant: 暨南大学
IPC: B43K29/00
Abstract: 本发明属于手写笔领域，涉及一种自发热暖手笔及其组装方法。暖手笔包括笔壳、发热电路系统和笔芯。发热电路系统包括发热模块、供电模块和充放电保护模块，供电模块为发热模块提供电源，使发热模块的发热片能够产生热量，充放电保护模块内的电源输入接口的正负极对应连接供电模块的正负极，充放电保护模块内的电源输出接口连接发热模块的发热片电极，通电后发热片产生热量。发热电路系统能够给手写笔提供充电、供电、电路保护以及产热等功能，从而实现在寒冷天气手写笔能够自发热暖手保健，提高写字的舒适度。本发明可改善人们在严寒季节里写字而冻伤手问题，具有构造简单、温暖舒适、安全可靠和价格低廉等优点。
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公开(公告)号：CN105720197B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201610094507.7
申请日：2016-02-19
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种自驱动宽光谱响应硅基杂化异质结光电传感器及其制备方法，其中所述光电传感器包括金属背电极、N型硅基底、N型硅纳米线阵列、有机聚合物半导体薄膜和传感器正极。其中，该杂化光电传感器器件特征在于N型硅纳米线阵列与有机聚合物半导体薄膜构成三维立体的异质结接触，有效缩短了光生载流子传输路径，提高分离效率，通过界面烷基化处理减少表/界面复合效应。所述的硅基微纳结构不仅是作为主要吸光层，而且还是光生载流子的产生和传输层，空穴传输层所述的为P型有机半导体薄膜。本发明的光电传感器具有自供电、宽光谱响应、低成本大面积制备、光电响应速度快等特点。
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公开(公告)号：CN101948309B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201010259715.0
申请日：2010-08-20
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L41/187 , C04B35/493 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种掺杂PSMZT压电陶瓷及其制备方法和应用。制备方法按如下步骤：合成三元系Pb0.98Sr0.02(Mn1/3Sb2/3)x(Zr0.5Ti0.5)1-xO3(PSMZT)预烧物，按化学计量比掺入钴-铌-铋-锂-铜-镍低熔玻璃，经造粒，压片，排胶，烧结，抛光，烧银和极化步骤得到掺杂PSMZT压电陶瓷。本发明方法明显的降低了陶瓷的烧结温度且没有恶化陶瓷的性能，适用于大功率压电材料的应用，为叠层压电陶瓷元器件的制备提供原材料。
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