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公开(公告)号：CN108369901A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201680074244.1
申请日：2016-12-12
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/42 , C30B29/36 , H01L21/20
CPC classification number: C23C16/42 , C30B29/36 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 一种SiC外延晶片的制造方法，是在SiC单晶基板上具有外延层的SiC外延晶片的制造方法，具有：在使所述外延层结晶生长时，在开始结晶生长的初期在第1条件下形成外延层的一部分的工序；和在与所述第1条件相比使Cl/Si比减少、并且使C/Si比增加了的第2条件下形成SiC外延层的一部分的工序，所述第1条件下的C/Si比为0.6以下、Cl/Si比为5.0以上。
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公开(公告)号：CN107004583B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201580065143.3
申请日：2015-11-27
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/42 , C23C16/458 , C23C16/52 , C30B25/12 , C30B29/36 , H01L21/683
Abstract: 提供能够高效且充分地减少外延冠的制造装置。本发明的晶片支承台是被用于采用化学气相生长法在晶片的主面上使外延膜生长的化学气相生长装置中的晶片支承台，所述晶片支承台具有在其上面能载置基板的晶片载置面、和以包围所载置的晶片的周围的方式立起的晶片支承部，从所述晶片支承部的顶部到被载置于所述晶片载置面上的晶片的主面的高度为1mm以上。
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公开(公告)号：CN103649385B
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201280035315.9
申请日：2012-07-12
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C30B29/36 , C23C16/42 , C30B25/20 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/681 , C23C16/325 , C23C16/4401 , C23C16/52 , C30B25/02 , C30B25/12 , C30B25/16 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L29/1608 , H01L29/34
Abstract: 本发明的SiC外延晶片的制造方法，包括：使用SiC外延晶片的制造装置，一边向腔室内供给原料气体，一边制造在SiC单晶晶片的面上具有SiC外延层的SiC外延晶片的工序；和对于之前制造出的SiC外延晶片的SiC外延层，测定了以腔室内的构件的材料片为起点的三角缺陷的面密度后，制造下一个SiC外延晶片的工序。
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公开(公告)号：CN102656297B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201080056408.0
申请日：2010-12-08
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C30B29/36 , C30B25/02 , C30B25/16 , C30B25/165 , C30B25/186 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , H01L29/045 , H01L29/1608
Abstract: 本发明提供一种降低三角缺陷和层积缺陷、载流子浓度和膜厚的均一性高、无台阶束的SiC外延晶片及其制造方法。本发明的SiC外延晶片，是在以0.4°～5°的偏离角倾斜的4H-SiC单晶基板上形成了SiC外延层的SiC外延晶片，其特征在于，所述SiC外延层的表面的三角形的缺陷密度为1个/cm2以下。
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公开(公告)号：CN108369901B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN201680074244.1
申请日：2016-12-12
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/42 , C30B29/36 , H01L21/20
Abstract: 一种SiC外延晶片的制造方法，是在SiC单晶基板上具有外延层的SiC外延晶片的制造方法，具有：在使所述外延层结晶生长时，在开始结晶生长的初期在第1条件下形成外延层的一部分的工序；和在与所述第1条件相比使Cl/Si比减少、并且使C/Si比增加了的第2条件下形成SiC外延层的一部分的工序，所述第1条件下的C/Si比为0.6以下、Cl/Si比为5.0以上。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN105408985A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201480042773.4
申请日：2014-08-13
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/42 , C23C16/44 , C30B25/20 , C30B29/36
CPC classification number: C30B25/186 , C23C16/325 , C23C16/4404 , C30B25/08 , C30B25/12 , C30B25/20 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02529 , H01L21/0262
Abstract: 本发明涉及SiC外延晶片的制造方法，具有以下工序：在专用的真空烘焙炉中，以2.0×10-3Pa以下的真空度对被涂覆了的碳系材料构件进行真空烘焙的工序；将所述被涂覆了的碳系材料构件设置在外延晶片制造装置中的工序；和，在所述外延晶片制造装置内配置SiC基板，使该SiC基板上外延生长出SiC外延膜的工序。
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公开(公告)号：CN103649385A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280035315.9
申请日：2012-07-12
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C30B29/36 , C23C16/42 , C30B25/20 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/681 , C23C16/325 , C23C16/4401 , C23C16/52 , C30B25/02 , C30B25/12 , C30B25/16 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L29/1608 , H01L29/34
Abstract: 本发明的SiC外延晶片的制造方法，包括：使用SiC外延晶片的制造装置，一边向腔室内供给原料气体，一边制造在SiC单晶晶片的面上具有SiC外延层的SiC外延晶片的工序；和对于之前制造出的SiC外延晶片的SiC外延层，测定了以腔室内的构件的材料片为起点的三角缺陷的面密度后，制造下一个SiC外延晶片的工序。
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公开(公告)号：CN105408985B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201480042773.4
申请日：2014-08-13
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/42 , C23C16/44 , C30B25/20 , C30B29/36
CPC classification number: C30B25/186 , C23C16/325 , C23C16/4404 , C30B25/08 , C30B25/12 , C30B25/20 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02529 , H01L21/0262
Abstract: 本发明涉及SiC外延晶片的制造方法，具有以下工序：在专用的真空烘焙炉中，以2.0×10‑3Pa以下的真空度对被涂覆了的碳系材料构件进行真空烘焙的工序；将所述被涂覆了的碳系材料构件设置在外延晶片制造装置中的工序；和，在所述外延晶片制造装置内配置SiC基板，使该SiC基板上外延生长出SiC外延膜的工序。
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