公开(公告)号：CN1220250C

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN02149582.3

申请日：2002-11-15

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 作山诚树 ,  落合正行 ,  山口一郎 ,  藤森城次

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/12 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体器件的制造方法，包括下述工序：在具有电极部分11的半导体衬底10上、形成树脂膜以便覆盖使得把电极部分11的树脂膜形成工序；在树脂膜上与电极部分11对应的位置上形成开口部分的开口部分形成工序；向开口部分上供给突点形成材料的供给工序；用加热处理的办法、在开口部分上形成突点41的突点形成工序；以及除去树脂膜的除去工序。

公开(公告)号：CN1420527A

公开(公告)日：2003-05-28

申请号：CN02149582.3

申请日：2002-11-15

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 作山诚树 ,  落合正行 ,  山口一郎 ,  藤森城次

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/12 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体器件的制造方法，包括下述工序：在具有电极部分11的半导体衬底10上、形成树脂膜以便覆盖使得把电极部分11的树脂膜形成工序；在树脂膜上与电极部分11对应的位置上形成开口部分的开口部分形成工序；向开口部分上供给突点形成材料的供给工序；用加热处理的办法、在开口部分上形成突点41的突点形成工序；以及除去树脂膜的除去工序。