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公开(公告)号：CN118366985A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202311789957.4
申请日：2023-12-25
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其抑制阈值电压等特性的波动。所述半导体装置具备：多个沟槽部；一个以上的台面部，其被两个沟槽部夹持；上表面电极，其不包含熔点比半导体基板的材料的熔点高的金属；以及阻挡金属，其包含熔点比半导体基板的材料的熔点高的金属，所述半导体装置具备：第一区域，其在沟槽部与上表面电极之间未设置阻挡金属，并且在与未设置阻挡金属的沟槽部相接的台面部与上表面电极之间设置有阻挡金属；以及第二区域，其在沟槽部与上表面电极之间设置有阻挡金属。
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公开(公告)号：CN113875016A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202080038621.2
申请日：2020-12-14
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备：半导体基板；掺杂浓度的多个峰，其设置在半导体基板的背面；平坦部，其在半导体基板的深度方向上设置在多个峰之间，并且具有半导体基板的基板浓度的2.5倍以上的掺杂浓度，多个峰中的至少一者为设置在比平坦部更靠正面侧的位置的第一峰，第一峰的掺杂浓度是平坦部的掺杂浓度的2倍以下。
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公开(公告)号：CN110718519B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN201910450188.2
申请日：2019-05-28
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/48 , H10D12/00 , H01L21/768 , H10D12/01
Abstract: 本发明提供具有势垒金属且阈值电压的偏差小的半导体装置及制造方法。所述半导体装置具备：半导体基板；层间绝缘膜，其配置于半导体基板的上表面；钛层，其设置于层间绝缘膜上；以及氮化钛层，其设置于钛层上，在层间绝缘膜设置有使半导体基板的上表面的一部分露出的开口，钛层和氮化钛层还设置于开口内，与半导体基板接触而配置在开口的底部的钛层全部进行了钛硅化。
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公开(公告)号：CN118056280A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202380013797.6
申请日：2023-04-27
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/322 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，该半导体装置具有：半导体基板，其具有上表面和下表面，并具有第一导电型的漂移区；以及第一导电型的缓冲区，其设置于所述漂移区与所述半导体基板的所述下表面之间，且第一导电型的缓冲区的掺杂浓度高于所述漂移区的掺杂浓度，所述缓冲区具有：第一复合中心密度峰；以及第二复合中心密度峰，其配置在比所述第一复合中心密度峰更靠所述半导体基板的所述上表面侧的位置，所述第二复合中心密度峰在深度方向上的积分值大于所述第一复合中心密度峰在深度方向上的积分值。
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公开(公告)号：CN112219263A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201980028584.4
申请日：2019-11-14
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/265 , H01L21/322 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具备半导体基板，半导体基板具有含氢的含氢区，含氢区具有载流子浓度比根据所含有的氢的浓度和氢的活化率确定的虚拟载流子浓度高的高浓度区。半导体基板具有N型的漂移区、以与半导体基板的上表面接触的方式设置且载流子浓度比漂移区的载流子浓度高的N型的发射区、设置在发射区与漂移区之间的P型的基区、以与半导体基板的下表面接触的方式设置的P型的集电区、以及设置在集电区与漂移区之间且载流子浓度比漂移区的载流子浓度高的N型的缓冲区，含氢区被包含在缓冲区中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113875016B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202080038621.2
申请日：2020-12-14
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备：半导体基板；掺杂浓度的多个峰，其设置在半导体基板的背面；平坦部，其在半导体基板的深度方向上设置在多个峰之间，并且具有半导体基板的基板浓度的2.5倍以上的掺杂浓度，多个峰中的至少一者为设置在比平坦部更靠正面侧的位置的第一峰，第一峰的掺杂浓度是平坦部的掺杂浓度的2倍以下。
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公开(公告)号：CN119208363A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411255783.8
申请日：2019-11-14
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/36 , H01L21/331 , H01L21/265 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具备半导体基板，半导体基板具有含氢的含氢区，含氢区具有载流子浓度比根据所含有的氢的浓度和氢的活化率确定的虚拟载流子浓度高的高浓度区。半导体基板具有N型的漂移区、以与半导体基板的上表面接触的方式设置且载流子浓度比漂移区的载流子浓度高的N型的发射区、设置在发射区与漂移区之间的P型的基区、以与半导体基板的下表面接触的方式设置的P型的集电区、以及设置在集电区与漂移区之间且载流子浓度比漂移区的载流子浓度高的N型的缓冲区，含氢区被包含在缓冲区中。
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公开(公告)号：CN112219263B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN201980028584.4
申请日：2019-11-14
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/265 , H01L21/322 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具备半导体基板，半导体基板具有含氢的含氢区，含氢区具有载流子浓度比根据所含有的氢的浓度和氢的活化率确定的虚拟载流子浓度高的高浓度区。半导体基板具有N型的漂移区、以与半导体基板的上表面接触的方式设置且载流子浓度比漂移区的载流子浓度高的N型的发射区、设置在发射区与漂移区之间的P型的基区、以与半导体基板的下表面接触的方式设置的P型的集电区、以及设置在集电区与漂移区之间且载流子浓度比漂移区的载流子浓度高的N型的缓冲区，含氢区被包含在缓冲区中。
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公开(公告)号：CN109755293B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN201811283318.X
申请日：2018-10-31
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种能够提高边缘终端区的雪崩耐量的半导体装置。在边缘终端区(2)中，在有源区(1)与栅极流道部(4)之间的载流子抽出区(5)，在p型阱区(51)的表面区域设置p+型接触区(53)。在载流子抽出区中，分别在形成于层间绝缘膜(21)的多个第二接触孔(54)隔着势垒金属(23)而埋入接触插塞(24)，形成p+型接触区(53)与发射极电位的势垒金属的接触部(50)。载流子抽出区(5)的接触部(50)配置成沿有源区(1)的外周延伸的条纹状的布局，包围有源区(1)的周围。载流子抽出区(5)的接触部(50)的接触电阻(Ra)比MOS栅极(20)的接触部(发射极接触部)(27)的接触电阻(Rb)高。
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公开(公告)号：CN114303246A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202180005055.X
申请日：2021-03-04
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 提供一种半导体装置，其具备：设置有漂移区的半导体基板；配置于漂移区与下表面之间，并且掺杂浓度分布具有3个以上的浓度峰的缓冲区；以及配置于缓冲区与下表面之间的集电区，缓冲区中的3个以上的浓度峰包括：第一浓度峰，距离下表面最近；第二浓度峰，以仅次于第一浓度峰的方式接近下表面，且被配置为在深度方向上距离下表面为5μm以上，第二浓度峰的掺杂浓度比第一浓度峰的掺杂浓度低且第二浓度峰的掺杂浓度小于1.0×1015/cm3；以及高浓度峰，被配置为比第二浓度峰更远离下表面，且高浓度峰的掺杂浓度比第二浓度峰的掺杂浓度高。
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