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公开(公告)号：CN102013631B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010537742.X
申请日：2006-08-24
Applicant: 宾奥普迪克斯股份有限公司
CPC classification number: H01S5/0207 , G11B7/127 , G11B7/22 , H01S5/0042 , H01S5/0201 , H01S5/026 , H01S5/1039 , H01S5/18 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S5/4056 , H01S2301/18
Abstract: 一种用于制造例如光存储所需要的具有好的光学波阵面特性的激光器的方法和结构，包括提供一种激光器，其中从激光器前腔面形成的输出光束不被半导体薄片的边缘所阻挡，来防止有害的光束畸变。半导体激光器结构外延生长在基底上，且至少具有下熔覆层、激活层、上熔覆层和接触层。穿过由光刻确定的掩模的干法刻蚀制造具有长度为lc、宽度为bm的激光器台面。另一种光刻和刻蚀用于形成台面顶部宽度为w的脊形结构。刻蚀步骤也在激光器波导结构的末端形成镜面或腔面。薄片的长度ls和宽度bs可以被选择为等于或长于波导长度lc和台面宽度bm的方便的数值。波导长度和宽度被选择，以使对于给定的缺陷密度D，产率大于50％。
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公开(公告)号：CN102013631A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN201010537742.X
申请日：2006-08-24
Applicant: 宾奥普迪克斯股份有限公司
CPC classification number: H01S5/0207 , G11B7/127 , G11B7/22 , H01S5/0042 , H01S5/0201 , H01S5/026 , H01S5/1039 , H01S5/18 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S5/4056 , H01S2301/18
Abstract: 一种用于制造例如光存储所需要的具有好的光学波阵面特性的激光器的方法和结构，包括提供一种激光器，其中从激光器前腔面形成的输出光束不被半导体薄片的边缘所阻挡，来防止有害的光束畸变。半导体激光器结构外延生长在基底上，且至少具有下熔覆层、激活层、上熔覆层和接触层。穿过由光刻确定的掩模的干法刻蚀制造具有长度为lc、宽度为bm的激光器台面。另一种光刻和刻蚀用于形成台面顶部宽度为w的脊形结构。刻蚀步骤也在激光器波导结构的末端形成镜面或腔面。薄片的长度ls和宽度bs可以被选择为等于或长于波导长度lc和台面宽度bm的方便的数值。波导长度和宽度被选择，以使对于给定的缺陷密度D，产率大于50％。
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公开(公告)号：CN101507062B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200780031381.8
申请日：2007-07-18
Applicant: 宾奥普迪克斯股份有限公司
Inventor： A·A·贝法
IPC: H01S3/04
CPC classification number: H01S5/0201 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/0203 , H01S5/1085 , H01S5/18 , H01S5/22 , H01S5/34333
Abstract: 一种加工能够发射蓝光的激光器的工艺过程，其中，在CAIBE中使用500℃以上的温度和高于500V的离子束来蚀刻GaN晶片，以形成激光器波导和镜面，其中，所述激光器波导具有向内倾斜的侧壁。
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公开(公告)号：CN101569067A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200680056793.2
申请日：2006-12-26
Applicant: 宾奥普迪克斯股份有限公司
Inventor： A·A·贝法 , C·B·斯塔盖瑞斯库 , A·T·施雷默尔
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/0201 , H01S5/0203 , H01S5/028 , H01S5/209
Abstract: 一种光子器件包括外延结构，该外延结构具有有源区且包括在有源区之上但靠近有源区的湿法蚀刻停止层。通过先干法蚀刻再湿法蚀刻在该外延结构上制造端面蚀刻脊型激光器。干法蚀刻被设计成在到达形成脊所需的深度之前停止。湿法蚀刻完成脊条的形成并在湿法蚀刻停止层处停止。
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公开(公告)号：CN100533880C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200580005245.2
申请日：2005-04-14
Applicant: 宾奥普迪克斯股份有限公司
IPC: H01S5/00
CPC classification number: B82Y20/00 , G02B6/12002 , G02B6/12004 , G02B6/122 , G02B6/131 , G02B2006/12104 , G02F1/01708 , G02F2202/102 , H01S5/005 , H01S5/0071 , H01S5/026 , H01S5/0265 , H01S5/028 , H01S5/0683 , H01S5/1014 , H01S5/1017 , H01S5/1021 , H01S5/1032 , H01S5/22 , H01S5/34306
Abstract: 激光器和电吸收调制器(EAM)通过蚀刻刻面过程被整体集成。晶片上的外延层包括用于激光器结构的第一层和用于EAM结构的第二层。激光器和EAM之间的强光耦合使用两个45度旋转反射镜实现，以便使光从激光器波导垂直路由到EAM波导。使用定向有角度的蚀刻过程来形成两个有角度的刻面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102035135B
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201010537705.9
申请日：2006-08-24
Applicant: 宾奥普迪克斯股份有限公司
CPC classification number: H01S5/0207 , G11B7/127 , G11B7/22 , H01S5/0042 , H01S5/0201 , H01S5/026 , H01S5/1039 , H01S5/18 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S5/4056 , H01S2301/18
Abstract: 一种用于制造例如光存储所需要的具有好的光学波阵面特性的激光器的方法和结构，包括提供一种激光器，其中从激光器前腔面形成的输出光束不被半导体薄片的边缘所阻挡，来防止有害的光束畸变。半导体激光器结构外延生长在基底上，且至少具有下熔覆层、激活层、上熔覆层和接触层。穿过由光刻确定的掩模的干法刻蚀制造具有长度为lc、宽度为bm的激光器台面。另一种光刻和刻蚀用于形成台面顶部宽度为w的脊形结构。刻蚀步骤也在激光器波导结构的末端形成镜面或腔面。薄片的长度ls和宽度bs可以被选择为等于或长于波导长度lc和台面宽度bm的方便的数值。波导长度和宽度被选择，以使对于给定的缺陷密度D，产率大于50％。
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公开(公告)号：CN101803133B
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN200880106365.5
申请日：2008-09-11
Applicant: 宾奥普迪克斯股份有限公司
IPC: H01S3/10
CPC classification number: H01S5/12 , H01S5/028 , H01S5/1021 , H01S5/1039 , H01S5/18 , H01S5/4025
Abstract: 半导体芯片具有至少两个DFB刻蚀端面激光腔，其中一组端面具有AR涂层，第二组刻蚀端面具有HR涂层，从而相对于光栅具有不同的相对位置。这可在每一个刻蚀端面和光栅之间产生相位差，光栅改变两个激光腔的工作特性，使得至少一个激光器提供可接受的性能。因此，两腔设置极大地提高了芯片制造的成品率。
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公开(公告)号：CN102035135A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010537705.9
申请日：2006-08-24
Applicant: 宾奥普迪克斯股份有限公司
CPC classification number: H01S5/0207 , G11B7/127 , G11B7/22 , H01S5/0042 , H01S5/0201 , H01S5/026 , H01S5/1039 , H01S5/18 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S5/4056 , H01S2301/18
Abstract: 一种用于制造例如光存储所需要的具有好的光学波阵面特性的激光器的方法和结构，包括提供一种激光器，其中从激光器前腔面形成的输出光束不被半导体薄片的边缘所阻挡，来防止有害的光束畸变。半导体激光器结构外延生长在基底上，且至少具有下熔覆层、激活层、上熔覆层和接触层。穿过由光刻确定的掩模的干法刻蚀制造具有长度为lc、宽度为bm的激光器台面。另一种光刻和刻蚀用于形成台面顶部宽度为w的脊形结构。刻蚀步骤也在激光器波导结构的末端形成镜面或腔面。薄片的长度ls和宽度bs可以被选择为等于或长于波导长度lc和台面宽度bm的方便的数值。波导长度和宽度被选择，以使对于给定的缺陷密度D，产率大于50％。
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公开(公告)号：CN1875528B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200480031810.8
申请日：2004-08-31
Applicant: 宾奥普迪克斯股份有限公司
Inventor： A·A·贝法 , K·姆罗 , C·B·史塔加尔斯库 , A·T·谢里默尔
CPC classification number: H01S5/0625 , B82Y20/00 , H01S5/0264 , H01S5/06256 , H01S5/0655 , H01S5/1017 , H01S5/1021 , H01S5/1039 , H01S5/125 , H01S5/141 , H01S5/22 , H01S5/343 , H01S5/34313
Abstract: 一种单模、蚀刻面为分布式布拉格反射激光器包括AlGaInAs/InP激光谐振腔，具有多个法布里-佩罗特元件前端镜组合，以及后端检测器。该前端镜组合元件和后端反射元件包括输入和输出蚀刻面，并且激光谐振腔是蚀刻脊形谐振腔，它们都通过两个步骤的光刻和CAIBE工艺从外延晶片形成的。
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公开(公告)号：CN101578744A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200680027273.9
申请日：2006-06-20
Applicant: 宾奥普迪克斯股份有限公司
CPC classification number: H01S5/0201 , B82Y20/00 , H01S5/0042 , H01S5/0203 , H01S5/0262 , H01S5/0264 , H01S5/028 , H01S5/1039 , H01S5/18 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S5/34333
Abstract: 一种用于制造能够发射蓝光的激光器的工艺，其中在CAIBE中使用超过500℃的温度和超过500V的离子束来蚀刻GaN晶片，以形成激光器波导以及镜。
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