-
公开(公告)号:CN114334738A
公开(公告)日:2022-04-12
申请号:CN202111658267.6
申请日:2021-12-30
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域,具体而言,涉及一种用于外延工艺的衬底预热装置及设备,用于在外延生长前对衬底进行预热处理,所述用于外延工艺的衬底预热装置包括:基座;衬底取放台,用于装载并固定衬底;衬底加热器,用于对衬底进行预热处理,所述衬底加热器设置在所述衬底上方,所述衬底加热器固定连接在所述基座上;升降驱动组件,用于驱动所述衬底取放台做升降运动,使衬底靠近或远离所述衬底加热器。所述用于外延工艺的衬底预热装置通过将衬底加热器设置在衬底上方,使得衬底加热器发出的热量直接作用于衬底上表面,从而使衬底上表面的温度达到外延工艺的温度要求。
-
公开(公告)号:CN113913789B
公开(公告)日:2023-07-04
申请号:CN202111187817.0
申请日:2021-10-12
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C16/458 , C23C16/455
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域,具体公开了一种托盘基座、气流驱动装置及外延设备的反应室机构,其中,托盘基座底部设有多个圆周阵列的气流槽,多个气流槽通过一进气槽连通,气流槽包括:内槽,与进气槽连通;外槽,与内槽和托盘基座边缘连通;内槽深度小于外槽深度以使得进气槽导入的气流进入内槽中增大动压而托起托盘基座后,再进入外槽中朝外释放而驱动托盘基座旋转;该托盘基座将气流槽设置为内槽和外槽两部分,使得导入的气流从进气槽导入至内槽时产生较大的动压而将托盘基座浮起,其后气流再进入外槽中朝外释放以驱动托盘基座旋转,从而实现了托盘基座先浮起后旋转的启动方式。
-
公开(公告)号:CN114060723A
公开(公告)日:2022-02-18
申请号:CN202111369721.6
申请日:2021-11-18
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域,具体而言,涉及一种外延工艺设备用安全保护泄压系统及外延工艺设备,该系统用于调节外延设备反应腔内的气压,所述外延工艺设备用安全保护泄压系统包括:主动泄压管路,与所述反应腔出口连接;被动泄压管路,与所述反应腔出口连接,所述被动泄压管路上设置有爆破阀,所述爆破阀用于在所述反应腔内压力异常且所述主动泄压管路失效时进行泄压;控制器,与所述主动泄压管路电性连接,用于获取反应腔内的压力信息,并根据所述压力信息控制所述主动泄压管路的开关以调节所述反应腔内的气压。通过设计主动泄压管路和被动泄压管路实现反应腔中气压异常时的双重防护,有效保障人员与设备的人身财产安全。
-
公开(公告)号:CN113913789A
公开(公告)日:2022-01-11
申请号:CN202111187817.0
申请日:2021-10-12
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C16/458 , C23C16/455
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域,具体公开了一种托盘基座、气流驱动装置及外延设备的反应室机构,其中,托盘基座底部设有多个圆周阵列的气流槽,多个气流槽通过一进气槽连通,气流槽包括:内槽,与进气槽连通;外槽,与内槽和托盘基座边缘连通;内槽深度小于外槽深度以使得进气槽导入的气流进入内槽中增大动压而托起托盘基座后,再进入外槽中朝外释放而驱动托盘基座旋转;该托盘基座将气流槽设置为内槽和外槽两部分,使得导入的气流从进气槽导入至内槽时产生较大的动压而将托盘基座浮起,其后气流再进入外槽中朝外释放以驱动托盘基座旋转,从而实现了托盘基座先浮起后旋转的启动方式。
-
-
-