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公开(公告)号：CN102971873A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201180034607.6
申请日：2011-06-14
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: C25D13/00 , H01L21/479 , H01L24/75 , H01L24/80 , H01L24/95 , H01L24/97 , H01L25/0753 , H01L27/156 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L2224/08238 , H01L2224/75655 , H01L2224/75723 , H01L2224/7598 , H01L2224/80143 , H01L2224/95101 , H01L2224/95145 , H01L2224/97 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
Abstract: 该微小物体的配置方法是，在基板准备工序中，准备由第一电极（111）和第二电极（112）对置的部位规定有配置微小物体（120）的位置的基板（110），在流体导入工序中，将流体（121）导入到基板（110）上。流体（121）包含多个微小物体（120）。微小物体（120）是拥有由电介质制造的表侧层（130）和由半导体制造的背侧层（131）作为取向构造的二极管元件。而且，在微小物体配置工序，通过在第一电极（111）与第二电极（112）之间施加交流电压，从而利用感应电泳将微小物体（120）配置成在由第一电极（111）与第二电极（112）对置的部位（A）预先确定的位置而且将表侧层（130）配置成朝上。
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公开(公告)号：CN103190004A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201180052596.4
申请日：2011-06-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/24 , F21S2/00 , G02F1/13357 , H01L21/205 , H01L31/04 , H01L31/10 , F21Y101/02
CPC classification number: H01L33/64 , G02F1/133603 , H01L25/0753 , H01L31/035227 , H01L31/03529 , H01L31/052 , H01L31/054 , H01L31/0547 , H01L33/0079 , H01L33/08 , H01L33/14 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/24 , H01L33/26 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L33/58 , H01L2924/0002 , Y02E10/52 , H01L2924/00
Abstract: 本发光元件（100）具备：n型GaN半导体基部（113）；在n型GaN半导体基部（113）上以竖直设置状态相互隔开间隔形成的多个n型GaN棒状半导体（121）；以及覆盖n型GaN棒状半导体（121）的p型GaN半导体层（123）。n型GaN棒状半导体（121）能通过对棒状半导体（121）增加提供n型的杂质量而容易地进行低电阻化。所以，即使将n型GaN棒状半导体（121）的长度做长，也能抑制n型GaN棒状半导体（121）的电阻的增大，能从n型GaN棒状半导体（121）的根部遍及到顶端部使其同样地进行发光。
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公开(公告)号：CN102074631B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201010516174.5
申请日：2010-10-19
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明涉及棒状结构发光元件、棒状结构发光元件的制造方法、背光灯、照明装置及显示装置。为了容易连接电极，实现高发光效率，棒状结构发光元件具备：棒状的第1导电型的半导体核心；以及以覆盖上述半导体核心的方式形成的第2导电型的半导体层。上述半导体核心的一部分的外周面露出。
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公开(公告)号：CN102042540B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201010511004.8
申请日：2010-10-15
Applicant: 夏普株式会社
IPC: F21S8/00 , F21V19/00 , F21V23/06 , F21Y101/02
CPC classification number: H05B33/0806 , H05B33/0803 , H05B33/0821
Abstract: 本发明提供一种发光装置及其制造方法。根据该发光装置，在棒状发光元件(505)的N型第二区域(507)的两侧配置有P型第一区域(506)和P型第三区域(508)。因而，即使棒状发光元件(505)的第一、第三区域(506、508)相对于第一、第三电极(501、503)的连接互换，相对于第一、第三电极(501、503)的二极管极性也不互换，所以可正常发光。因此，在制造工序中，第一、第三区域(506、508)相对于第一、第三电极(501、503)的连接也可以相反，不需要用于识别棒状发光元件(505)的方向性的标记或形状，能够简化制造工序，进而能够抑制制造成本。
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公开(公告)号：CN103190004B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201180052596.4
申请日：2011-06-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/24 , F21S2/00 , G02F1/13357 , H01L21/205 , H01L31/04 , H01L31/10 , F21Y115/10
CPC classification number: H01L33/64 , G02F1/133603 , H01L25/0753 , H01L31/035227 , H01L31/03529 , H01L31/052 , H01L31/054 , H01L31/0547 , H01L33/0079 , H01L33/08 , H01L33/14 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/24 , H01L33/26 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L33/58 , H01L2924/0002 , Y02E10/52 , H01L2924/00
Abstract: 本发光元件（100）具备：n型GaN半导体基部（113）；在n型GaN半导体基部（113）上以竖直设置状态相互隔开间隔形成的多个n型GaN棒状半导体（121）；以及覆盖n型GaN棒状半导体（121）的p型GaN半导体层（123）。n型GaN棒状半导体（121）能通过对棒状半导体（121）增加提供n型的杂质量而容易地进行低电阻化。所以，即使将n型GaN棒状半导体（121）的长度做长，也能抑制n型GaN棒状半导体（121）的电阻的增大，能从n型GaN棒状半导体（121）的根部遍及到顶端部使其同样地进行发光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102097446B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201010521005.0
申请日：2010-10-22
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供一种不需要用于减轻亮度不均的零部件、能够以低成本获得均匀的亮度的发光装置。在该发光装置中具有1558万个发光二极管(2)，它们在基板(1)上40cm2的区域内以每单位面积的个数大致均匀的方式连接在第1电极(3)和第2电极(5)之间，配置密度达到38万9500(个/cm2)。由此，能够将亮度不均降低到约±0.08％。
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公开(公告)号：CN102097446A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010521005.0
申请日：2010-10-22
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供一种不需要用于减轻亮度不均的零部件、能够以低成本获得均匀的亮度的发光装置。在该发光装置中具有1558万个发光二极管(2)，它们在基板(1)上40cm2的区域内以每单位面积的个数大致均匀的方式连接在第1电极(3)和第2电极(5)之间，配置密度达到38万9500(个/cm2)。由此，能够将亮度不均降低到约±0.08％。
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公开(公告)号：CN102074631A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010516174.5
申请日：2010-10-19
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明涉及棒状结构发光元件、棒状结构发光元件的制造方法、背光灯、照明装置及显示装置。为了容易连接电极，实现高发光效率，棒状结构发光元件具备：棒状的第1导电型的半导体核心；以及以覆盖上述半导体核心的方式形成的第2导电型的半导体层。上述半导体核心的一部分的外周面露出。
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公开(公告)号：CN102971873B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201180034607.6
申请日：2011-06-14
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: C25D13/00 , H01L21/479 , H01L24/75 , H01L24/80 , H01L24/95 , H01L24/97 , H01L25/0753 , H01L27/156 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L2224/08238 , H01L2224/75655 , H01L2224/75723 , H01L2224/7598 , H01L2224/80143 , H01L2224/95101 , H01L2224/95145 , H01L2224/97 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
Abstract: 该微小物体的配置方法是，在基板准备工序中，准备由第一电极（111）和第二电极（112）对置的部位规定有配置微小物体（120）的位置的基板（110），在流体导入工序中，将流体（121）导入到基板（110）上。流体（121）包含多个微小物体（120）。微小物体（120）是拥有由电介质制造的表侧层（130）和由半导体制造的背侧层（131）作为取向构造的二极管元件。而且，在微小物体配置工序，通过在第一电极（111）与第二电极（112）之间施加交流电压，从而利用感应电泳将微小物体（120）配置成在由第一电极（111）与第二电极（112）对置的部位（A）预先确定的位置而且将表侧层（130）配置成朝上。
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公开(公告)号：CN102782892B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201180013628.X
申请日：2011-02-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/62 , G02F1/13357 , H01L33/20
CPC classification number: G02F1/133603 , F21K9/00 , G02F1/133605 , G02F2001/133612 , G02F2001/133614 , G02F2001/133628 , H01L24/95 , H01L25/0753 , H01L33/06 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00013 , H01L2924/09701 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/3025 , H01L2933/0041 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599
Abstract: 在绝缘性基板（720）的直线区域（S）形成金属布线（731），并且与金属布线（731）空开规定的间隔大致平行地形成金属布线（732）。在棒状结构发光元件（710A~710D）的n型半导体核心（701）连接金属布线（731），在p型的半导体层（702）连接金属布线（732）。通过将绝缘性基板（720）分割成多个分割基板，从而形成多个在分割基板上配置有多个棒状结构发光元件（710）的发光装置。在多个发光元件中，将在基板分割工序中即使被切断也不影响所希望的发光量的棒状结构发光元件（710）配置在绝缘性基板（720）的切断区域中，即使由于切断而破损的棒状结构发光元件（710）不发光，也通过没有被切断的其他多个棒状结构发光元件（710）进行发光。
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