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公开(公告)号：CN101222117B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200710162148.5
申请日：2007-12-21
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L31/0203 , H01L31/143 , H01L31/18 , H01S5/0021 , H01S5/02212 , H01S5/02224 , H01S5/0425 , H01S5/0683 , H01S5/2222 , H01S5/2231 , H01S5/3063 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提出了一种半导体发光器件及其制造方法。根据本发明，一种氮化物半导体器件包括引线柱。将热沉设置在引线柱上。至少一个氮化物半导体发光元件与热沉相连。将用于检测来自半导体发光元件的光的光检测元件设置在引线柱上。用于按照密封方式在其中封装热沉、半导体发光元件和光检测元件的帽状物与引线柱相连。帽状物中的间隔具有封装气体氛围。封装气体氛围包含用于抑制在半导体发光元件中包含的氢原子扩散的成分。本发明抑制了由于操作电压增加导致的缺陷以增加良品率，从而提高了半导体发光器件的制造生产率。
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公开(公告)号：CN101132113A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710153168.6
申请日：2005-05-17
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 一种氮化物半导体激光器件(10)，包括：氮化物半导体激光元件(11)，其具有谐振腔端面且能够发射波长最长为420nm的光；连接到所述氮化物半导体激光元件(11)的散热器(12)；管座(14)，其上安装有散热器(12)；以及设置在所述管座(14)上的光探测元件(13)，用于探测来自所述氮化物半导体激光元件(11)的激光束。所述氮化物半导体激光元件(11)、散热器(12)和光探测元件(13)密封在连接到管座(14)的罩(15)中，且所述罩(15)之内的气氛具有最高为－30℃的露点和最高100ppm的氧浓度。
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公开(公告)号：CN100420110C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200610091605.1
申请日：2006-06-06
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明公开了一种制造激光器件的方法，其包括在高于具有低熔点的金属的熔点的温度下使金属熔化，从而通过金属将激光器芯片固定到支架上，在低于所述熔点的加热温度下加热固定了激光器芯片的支架，之后，采用管壳覆盖固定了激光器芯片的支架，由此密封激光器芯片。可以在产生臭氧的环境内，或者产生氧等离子体的环境下执行加热步骤。此外，在干空气或惰性气体中采用管壳覆盖固定了激光器芯片的支架，从而制作密封封闭封装，之后在加热的同时向封装内照射紫外线。本发明在不劣化激光器芯片所采用的焊料和电极的情况下去除附着在包括激光器芯片、芯柱和管壳的封装元件上的污染物，并在激光器芯片工作时抑制光化学反应物质在发光端面上沉积。
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公开(公告)号：CN101242077A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200810004004.1
申请日：2006-06-06
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明公开了一种制造激光器件的方法，其包括将激光器芯片固定到具有光透射窗的封装的内部；密封地封闭所述封装的内部；以及通过所述光透射窗向所述封装的内部照射具有420nm或更短波长的光，同时在70℃或更高的温度下加热所述激光器件。本发明在不劣化激光器芯片所采用的焊料和电极的情况下去除附着在包括激光器芯片、芯柱和管壳的封装元件上的污染物，并在激光器芯片工作时抑制光化学反应物质在发光端面上沉积。
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公开(公告)号：CN1816952A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200480018816.1
申请日：2004-06-18
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/022
CPC classification number: H01S5/02272 , H01L24/45 , H01L33/62 , H01L2224/05114 , H01L2224/05117 , H01L2224/05124 , H01L2224/05138 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05157 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/0517 , H01L2224/05171 , H01L2224/05172 , H01L2224/05178 , H01L2224/05179 , H01L2224/0518 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05605 , H01L2224/05609 , H01L2224/05611 , H01L2224/05616 , H01L2224/05617 , H01L2224/05618 , H01L2224/0562 , H01L2224/05624 , H01L2224/05638 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/45 , H01L2224/45144 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047 , H01L2924/12041 , H01S5/02212 , H01S5/02476 , H01S5/2231 , H01S5/32341 , H01L2224/48091 , H01L2924/00 , H01L2924/01014 , H01L2924/01032 , H01L2924/01021 , H01L2924/01057 , H01L2924/01039 , H01L2924/01058 , H01L2924/01059 , H01L2924/0106 , H01L2924/01062 , H01L2924/01063 , H01L2924/01065 , H01L2924/01052 , H01L2224/43 , H01L2924/01006
Abstract: 公开了一种具有出色可靠性和长寿命的氮化物半导体发光器件及制造这样的氮化物半导体发光器件的方法。氮化物半导体发光芯片安装在次底座(103)上，该芯片中，氮化物半导体层和第一电极(211)形成在导电衬底的前面上，第二电极(212)形成在导电衬底的背面上。安装有氮化物半导体发光芯片的次底座(103)安装在管座(105)上，由此形成氮化物半导体发光器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101447641B
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN200810177819.X
申请日：2008-12-01
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/02212 , H01L2224/48091 , H01L2924/19107 , H01S5/02296 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种帽构件以及采用该帽构件的半导体装置。该帽构件能够缓解可靠性的退化并提高制造产率。该帽构件具有圆柱形的侧壁部分；顶面部分，封闭侧壁部分的一端并具有形成在顶面部分中的光出射孔；光透射窗，安装到顶面部分以将光出射孔堵塞；以及法兰部分，布置在侧壁部分的另一端并焊接在其上安装有半导体激光器芯片的管座的上表面上。凹槽部分形成在顶面部分的内表面中，并且该凹槽部分使得顶面部分的在预定区域中的部分比其它部分更薄。
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公开(公告)号：CN100454694C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200610108428.3
申请日：2006-08-02
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件，在所述半导体发光器件中，盖在放电下被压焊在底座的顶表面上，以形成封装。该封装包封热沉、氮化物半导体激光元件、电极插脚和导线，并在其内部密封有包含氧的气体作为密封气氛。至少盖的内表面镀有可以吸藏氢的金属Ni和Pd。
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公开(公告)号：CN1877931A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200610091605.1
申请日：2006-06-06
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明公开了一种制造激光器件的方法，其包括在高于具有低熔点的金属的熔点的温度下使金属熔化，从而通过金属将激光器芯片固定到支架上，在低于所述熔点的加热温度下加热固定了激光器芯片的支架，之后，采用管壳覆盖固定了激光器芯片的支架，由此密封激光器芯片。可以在产生臭氧的环境内，或者产生氧等离子体的环境下执行加热步骤。此外，在干空气或惰性气体中采用管壳覆盖固定了激光器芯片的支架，从而制作密封封闭封装，之后在加热的同时向封装内照射紫外线。本发明在不劣化激光器芯片所采用的焊料和电极的情况下去除附着在包括激光器芯片、芯柱和管壳的封装元件上的污染物，并在激光器芯片工作时抑制光化学反应物质在发光端面上沉积。
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公开(公告)号：CN1702927A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200510072704.0
申请日：2005-05-17
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 一种氮化物半导体激光器件(10)，包括：氮化物半导体激光元件(11)，其具有谐振腔端面且能够发射波长最长为420nm的光；连接到所述氮化物半导体激光元件(11)的散热器(12)；管座(14)，其上安装有散热器(12)；以及设置在所述管座(14)上的光探测元件(13)，用于探测来自所述氮化物半导体激光元件(11)的激光束。所述氮化物半导体激光元件(11)、散热器(12)和光探测元件(13)密封在连接到管座(14)的罩(15)中，且所述罩(15)之内的气氛具有最高为－30℃的露点和最高100ppm的氧浓度。
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公开(公告)号：CN1601771A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN200410011904.0
申请日：2004-09-24
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 石田真也
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L33/62 , H01L33/641 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/01021 , H01L2924/01046 , H01L2924/01057 , H01L2924/01063 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12041 , H01S5/0021 , H01S5/02272 , H01S5/02476 , H01S5/2231 , H01S5/34333 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的一个目的是通过改善安装中的成品率提供一种具有长寿命的半导体发光器件。为了达到这一目的，半导体发光器件包括：具有n型GaN衬底的半导体发光元件芯片；其上安装半导体发光元件芯片的由SiC制成的散热器；将n型GaN衬底连接到散热器的由AuSn制成的焊料；其上安装散热器的支撑底座；以及将散热器连接到支撑底座的由In或SnAgCu制成的第二焊料。焊料的厚度范围从1μm或更大至20μm或更小，散热器的厚度范围从100μm或更大至500μm或更小。
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