公开(公告)号：CN101924154A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201010189353.2

申请日：2010-05-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中西宏之 ,  宫田浩司 ,  岩崎良英 ,  石原诚治 ,  横林政人 ,  石塚悦子 ,  岛野喜代治 ,  森胜信

IPC: H01L31/048 ,  H01L31/05 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0508 ,  H01L31/0201 ,  H01L31/048 ,  H01L31/0504 ,  H01L31/0512 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明涉及太阳能电池组件以及搭载该太阳能电池组件的电子设备。本发明所提供的太阳能电池组件(1)具有多个太阳能电池单体(30)。各个太阳能电池单体(30)在电连接的状态下搭载于多个衬垫部的任意一个。各个太阳能电池单体(30)与内引线部(120)的任意一个形成电连接。通过阴极部(114)以及阳极部(116)取出太阳能电池单体(30)发电生成的电流。多个衬垫部、内引线部(120)、阴极部(114)以及阳极部(116)作为金属制引线框体的一部分形成于其中。因此，可加强太阳能电池组件(1)的弯曲应力，即可以弯曲太阳能电池组件(1)。由此，根据本发明能够提供可以沿弯曲的电子设备的表面搭载于其上的太阳能电池组件。

公开(公告)号：CN100372110C

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200510054502.3

申请日：2005-03-08

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 岩崎良英 ,  住江信二 ,  森胜信

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L21/60 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H05K3/3452 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/525 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H05K2201/2081 ,  H05K2203/0315 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013

Abstract: 本发明的半导体器件具有：在硅晶片(4)的元件形成面上所形成的与电路电连接的电极区(2)；与上述电极区(2)电连接的进行了再布线的布线图形(5)；以及在上述布线图形(5)表面上通过上述布线图形(5)的氧化而形成了的氧化膜(10)。上述半导体器件通过形成了上述氧化膜(10)，可防止电特性等的可靠性的降低，同时与现有技术相比，可降低制造成本。

公开(公告)号：CN1677657A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200510054502.3

申请日：2005-03-08

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 岩崎良英 ,  住江信二 ,  森胜信

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L21/60 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H05K3/3452 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/525 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H05K2201/2081 ,  H05K2203/0315 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013

Abstract: 本发明的半导体器件具有：在硅晶片(4)的元件形成面上所形成的与电路电连接的电极区(2)；与上述电极区(2)电连接的进行了再布线的布线图形(5)；以及在上述布线图形(5)表面上通过上述布线图形(5)的氧化而形成了的氧化膜(10)。上述半导体器件通过形成了上述氧化膜(10)，可防止电特性等的可靠性的降低，同时与现有技术相比，可降低制造成本。