公开(公告)号：CN1306570C

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN03131016.8

申请日：2003-05-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大野芳睦 ,  李宗霑

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/283 ,  C23C14/10

CPC classification number: H01L21/3165

Abstract: 本发明提供了一种硅片的低温氧化的方法，其包括：将硅片放置在真空室中；将硅片保持在大约室温-350℃；将选自O2和O3的氧化气体引入所述真空室；和用发出自准分子激光器的光来照射所述氧化气体和硅片以产生反应性氧种并在硅片上形成氧化层。

公开(公告)号：CN1467801A

公开(公告)日：2004-01-14

申请号：CN03136894.8

申请日：2003-05-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大野芳睦 ,  H·雷 ,  B·马克

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/283 ,  H01L21/76 ,  C23C14/08

CPC classification number: C30B29/06 ,  C23C8/10 ,  C23C8/36 ,  C30B33/005 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31662

Abstract: 本发明提供一种将硅晶片低温氧化的方法，其包括：将硅晶片置于真空室内；使硅晶片保持在约室温至400℃的温度下；将氧化气体导入真空室，氧化气体选自由N2O、NO、O2和O3组成的组中的氧化气体；用激发物灯发射的光照射氧化气体和硅晶片，产生活性氧种，并且在硅晶片上形成氧化层，其中包括光解氧化气体和从硅晶片中发出光电子，使光电子和氧化气体相互反应。

公开(公告)号：CN1467800A

公开(公告)日：2004-01-14

申请号：CN03131016.8

申请日：2003-05-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大野芳睦 ,  李宗霑

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/283 ,  C23C14/10

CPC classification number: H01L21/3165

Abstract: 本发明提供了一种硅片的低温氧化的方法，其包括：将硅片放置在真空室中；将硅片保持在大约室温－350℃；将选自O2和O3的氧化气体引入所述真空室；和用发出自准分子激光器的光来照射所述氧化气体和硅片以产生反应性氧种并在硅片上形成氧化层。

公开(公告)号：CN100353526C

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200410069696.X

申请日：2004-07-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 许胜籐 ,  大野芳睦

IPC: H01L21/8239 ,  H01L27/10 ,  H01L29/788

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/51 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7883 ,  Y10S438/975

Abstract: 本发明的目的是降低快擦写存储单元的编程电压。提供了形成快擦写存储单元的方法。该方法包括：在衬底上形成第1多晶硅层的工序；通过第1多晶硅层，直至衬底中形成沟槽的工序；向沟槽中填充氧化物层的工序；在氧化物上堆积第2多晶硅层的工序。得到的结构可进行平面化。高k电介质层可堆积在第1多晶硅层上。第3多晶硅层堆积在高k电介质层上，利用光刻胶形成图形，形成快擦写存储栅极结构。形成图形过程中，露出的第2多晶硅层被蚀刻。结束除去第2多晶硅层时，检测蚀刻停止。残留下第1多晶硅层的薄层，然后利用选择性蚀刻法小心除去。可对高k电介质层形成图形，使非存储晶体管的形成成为可能。

公开(公告)号：CN1270359C

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN03136894.8

申请日：2003-05-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大野芳睦 ,  H·雷 ,  B·马克

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/283 ,  H01L21/76 ,  C23C14/08

CPC classification number: C30B29/06 ,  C23C8/10 ,  C23C8/36 ,  C30B33/005 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31662

Abstract: 本发明提供一种将硅晶片低温氧化的方法，其包括：将硅晶片置于真空室内；使硅晶片保持在约室温至400℃的温度下；将氧化气体导入真空室，氧化气体选自由N2O、NO、O2和O3组成的组中的氧化气体；用激发物灯发射的光照射氧化气体和硅晶片，产生活性氧种，并且在硅晶片上形成氧化层，其中包括光解氧化气体和从硅晶片中发出光电子，使光电子和氧化气体相互反应。

公开(公告)号：CN1591832A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410069696.X

申请日：2004-07-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 许胜籐 ,  大野芳睦

IPC: H01L21/8239 ,  H01L27/10 ,  H01L29/788

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/51 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7883 ,  Y10S438/975

Abstract: 本发明的目的是降低快擦写存储单元的编程电压。提供了形成快擦写存储单元的方法。该方法包括：在衬底上形成第1多晶硅层的工序；通过第1多晶硅层，直至衬底中形成沟槽的工序；向沟槽中填充氧化物层的工序；在氧化物上堆积第2多晶硅层的工序。得到的结构可进行平面化。高k电介质层可堆积在第1多晶硅层上。第3多晶硅层堆积在高k电介质层上，利用光刻胶形成图形，形成快擦写存储栅极结构。形成图形过程中，露出的第2多晶硅层被蚀刻。结束除去第2多晶硅层时，检测蚀刻停止。残留下第1多晶硅层的薄层，然后利用选择性蚀刻法小心除去。可对高k电介质层形成图形，使非存储晶体管的形成成为可能。