公开(公告)号：CN1467801A

公开(公告)日：2004-01-14

申请号：CN03136894.8

申请日：2003-05-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大野芳睦 ,  H·雷 ,  B·马克

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/283 ,  H01L21/76 ,  C23C14/08

CPC classification number: C30B29/06 ,  C23C8/10 ,  C23C8/36 ,  C30B33/005 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31662

Abstract: 本发明提供一种将硅晶片低温氧化的方法，其包括：将硅晶片置于真空室内；使硅晶片保持在约室温至400℃的温度下；将氧化气体导入真空室，氧化气体选自由N2O、NO、O2和O3组成的组中的氧化气体；用激发物灯发射的光照射氧化气体和硅晶片，产生活性氧种，并且在硅晶片上形成氧化层，其中包括光解氧化气体和从硅晶片中发出光电子，使光电子和氧化气体相互反应。

公开(公告)号：CN1270359C

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN03136894.8

申请日：2003-05-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大野芳睦 ,  H·雷 ,  B·马克

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/283 ,  H01L21/76 ,  C23C14/08

CPC classification number: C30B29/06 ,  C23C8/10 ,  C23C8/36 ,  C30B33/005 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31662

Abstract: 本发明提供一种将硅晶片低温氧化的方法，其包括：将硅晶片置于真空室内；使硅晶片保持在约室温至400℃的温度下；将氧化气体导入真空室，氧化气体选自由N2O、NO、O2和O3组成的组中的氧化气体；用激发物灯发射的光照射氧化气体和硅晶片，产生活性氧种，并且在硅晶片上形成氧化层，其中包括光解氧化气体和从硅晶片中发出光电子，使光电子和氧化气体相互反应。