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公开(公告)号：CN108346693A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810136618.9
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 中国电子科技集团公司第二十四研究所 , 中国航天标准化研究所
IPC: H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 一种用于提取氧化物电荷和界面态的栅控纵向双极器件结构单元及其制备方法，属于核科学与技术领域，为了解决纵向双极晶体管无法定量分离氧化物俘获正电荷和界面态。本发明通过增加栅极单元，以便定量表征以及分离氧化物电荷和界面态；栅极单元设置在发射区接触孔和基区接触孔之间的氧化物上方；栅极单元的外边缘距发射区接触孔的距离大于或等于0.2μm；栅极单元距基区发射孔的距离大于或等于0.2μm；并且栅极单元的面积小于或等于整个基区面积的1/4。有益效果为准确定量表征辐射诱导氧化物和界面态缺陷的状态。
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公开(公告)号：CN103887330B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201410136051.7
申请日：2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 中国航天标准化研究所
IPC: H01L29/73 , H01L29/47 , H01L21/331 , H01L21/28
Abstract: 一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件及该双极器件的制备方法，属于电子技术领域。本发明是为了解决现有的双极器件在空间辐射环境下会产生电离及位移效应，双极器件受辐射损伤后电性能指标下降的问题。本发明所述的一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件通过多晶硅连接双极器件的金属层与发射区的方式进行连接，从而达到抑制双极器件在空间辐射环境产生电离及位移辐射损伤的目的；本发明所述的一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件的制备方法，在保留了传统的双极器件制备工艺的同时，制备出了能够大幅度降低辐射损伤的双极器件。本发明适用于双极器件抗辐照加固技术应用中。
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公开(公告)号：CN103887330A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410136051.7
申请日：2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 中国航天标准化研究所
IPC: H01L29/73 , H01L29/47 , H01L21/331 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/7325 , H01L21/28 , H01L29/41708 , H01L29/66272
Abstract: 一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件及该双极器件的制备方法，属于电子技术领域。本发明是为了解决现有的双极器件在空间辐射环境下会产生电离及位移效应，双极器件受辐射损伤后电性能指标下降的问题。本发明所述的一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件通过多晶硅连接双极器件的金属层与发射区的方式进行连接，从而达到抑制双极器件在空间辐射环境产生电离及位移辐射损伤的目的；本发明所述的一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件的制备方法，在保留了传统的双极器件制备工艺的同时，制备出了能够大幅度降低辐射损伤的双极器件。本发明适用于双极器件抗辐照加固技术应用中。
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公开(公告)号：CN117650056A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311611164.3
申请日：2023-11-29
Applicant: 哈尔滨工业大学重庆研究院 , 重庆华创星际科技有限责任公司 , 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及封装技术领域，尤其涉及一种高可靠特种陶瓷直插器件的封装工艺，所述封装工艺是将芯片通过真空烧结工艺烧结在直插器件的导电区，再通过深腔键合工艺将键合丝的两端键合在芯片和直插器件的引出端上，最后再将管壳进行封焊，完成器件封装。其目的在于，通过采用深腔真空烧结工艺和深腔键合工艺，使其封装的器件漏电小、烧结空洞率低、可靠性高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117777650A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311720393.9
申请日：2023-12-14
Applicant: 哈尔滨工业大学重庆研究院 , 重庆华创星际科技有限责任公司 , 重庆吉芯科技有限公司 , 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及辐射防护材料技术领域，公开了一种辐射防护用聚醚醚酮复合材料、制备方法及应用，复合材料的原料按质量分数碳化硼为10％～30％，氧化钨为5％～20％，聚醚醚酮为50％～85％；制备时，取碳化硼、氧化钨和聚醚醚酮粉末，混合均匀，得到混合粉末；将混合粉末以压力一压制成胚体，所述压力一为5～20Mpa，得到预制胚体；将预制胚体在350～450℃下保温10～60min，以压力二压制成薄膜，所述压力二为0.5～2Mpa，获得辐射防护聚醚醚酮复合材料。本发明以碳化硼和氧化钨作为功能粒子，以聚醚醚酮为基体，采用球磨混合和热压的方法制备出具有辐射防护作用的聚醚醚酮耐高温薄膜，工艺流程简单，易于进行工业化生产。
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公开(公告)号：CN117747439A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311603344.7
申请日：2023-11-28
Applicant: 哈尔滨工业大学重庆研究院 , 重庆华创星际科技有限责任公司 , 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/48 , H01L23/495
Abstract: 本发明涉及集成电路封装技术领域，公开了一种双列直插型金属陶瓷小规模集成电路器件封装工艺，原材料包括器件管壳、带金锡焊料环的盖板、合金焊料片、芯片和键合丝，器件管壳为金属陶瓷材料，器件管壳的芯腔及两侧均设置有导电区，器件管壳的两侧设置有引出端，合金焊料片为金锡或铅锡银焊料片，芯片的背面为金或银；封装工艺包括以下步骤：采用深腔合金焊料片回流焊接工艺将芯片焊接至器件管壳的芯腔处的导电区；采用深腔键合工艺将键合丝的两端键合至芯片和器件管壳两端的导电区；采用金锡熔封工艺将盖板与器件管壳密封，完成器件封装。本发明使封装的金属陶瓷小规模集成电路器件焊接空洞率低、热阻低、气密性好、可靠性高。
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公开(公告)号：CN117766409A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311603272.6
申请日：2023-11-28
Applicant: 哈尔滨工业大学重庆研究院 , 重庆华创星际科技有限责任公司 , 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及半导体器件封装技术领域，公开了一种降低金锡焊料烧结元器件空洞率的烧结工艺，步骤包括：取器件管壳、金锡焊料片和待用芯片，制备烧结结构；将烧结结构置于真空回流炉的腔体内，腔体内温度由室温升到T0，升温过程中并抽真空；腔体内温度达到T0后，保持TO不变，进行腔体清洗，过程中间断充入保护性气体；将腔体内温度由T0升至T1，进行腔体预热；保持腔体内温度在T1，并抽真空；将腔体内温度从T1升到T2，并抽真空；保持腔体内温度在T2，并抽真空四，金锡焊料片充分融化，并于待用芯片的背面金属、器件管壳的导电区表面金属完成共晶反应。本发明不但能降低使用金锡焊料烧结元器件时的空洞率，还能提高产品质量和可靠性。
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公开(公告)号：CN117747438A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311603311.2
申请日：2023-11-28
Applicant: 哈尔滨工业大学重庆研究院 , 重庆华创星际科技有限责任公司 , 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及半导体器件封焊技术领域，公开了一种降低金锡熔封元器件空洞率和提高气密性的封焊工艺，包括以下步骤：叠装封焊结构、清洗熔封腔、将封焊结构放入熔封腔并去除熔封腔水氧含量、对熔封腔加热并抽真空、向熔封腔加热填充还原性气体、封焊结构保温还原、向熔封腔充保护气体并充分加热、熔封腔保温抽真空、熔封腔快速升温、保温使得熔封环充分熔化反应、熔封腔内通入保护气体对熔封腔快速冷却。本发明在降低金锡熔封器件熔封空洞率，提高气密性的同时，可适用于多种封装形式，保证产品高质量并兼顾了生产效率。
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公开(公告)号：CN117650055A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311611163.9
申请日：2023-11-29
Applicant: 哈尔滨工业大学重庆研究院 , 重庆华创星际科技有限责任公司 , 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及封装技术领域，尤其涉及一种高可靠特种陶瓷表面贴器件的封装工艺，包括以下步骤：S1选材，选取贴器件、焊料片、芯片和键合丝，其中，所述贴器件包括管壳、设置在管壳内的导电区和设置在管壳底部的引出端；S2.采用深腔真空回流炉烧结工艺将芯片烧结至管壳管芯处的导电区；S3.采用深腔键合工艺将键合丝的两端键合至芯片和管壳端部的导电区上；S4.将管壳与盖板进行平行封焊密封，完成器件封装。其目的在于，通过采用深腔焊料片烧结工艺和深腔键合工艺，使特种陶瓷表面封装的器件体积小、重量轻、热阻小、效率高、可靠性高。
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