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公开(公告)号：CN118699611A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202411022797.5
申请日：2024-07-29
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B23K26/70 , B23K26/00 , B23K37/04 , B23K101/40
Abstract: 本发明公开了一种激光修条晶圆片治具，包括底盘以及开设有可放置晶圆片的凹槽的顶盘，且所述底盘以及所述顶盘相应凹槽处的四周分别开设有多个第一固定孔和多个第二固定孔，且多个所述第一固定孔和多个所述第二固定孔，且所述第一固定孔与相应所述第二固定孔间可通过插销相连。本发明通过设置可拆卸的底盘以及顶盘，在对不同尺寸的晶圆片进行加工时，只需将适用于不同尺寸晶圆片的顶盘进行更换即可，且通过插销实现可拆卸连接，结构简单便于操作。
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公开(公告)号：CN102901845A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210409192.2
申请日：2012-10-24
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01P21/00
Abstract: 本发明涉及一种压阻式加速度传感器零位补偿测试装置，由输入模块INP、程控电压源PVS、回路开关SW、差分放大器DA、数据采集单元ADC、主控制器MCU、开关网络MUX1、开关网络MUX2、固定补偿单元R、可调补偿单元DPOT和显示单元DIS组成。本发明优点在于固定、可调两种补偿回路并用，相对于单路补偿可降低传感器补偿回路硬件配置的要求，同时准确快速得到被测传感器达到规定电平输出状态时的补偿条件。
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公开(公告)号：CN113794847B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202111111192.X
申请日：2021-09-23
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H04N25/71 , H04N25/779
Abstract: 本发明涉及一种用于电子倍增CCD的多路可调脉冲信号源，包括上位计算机和相连的主控模块，主控模块连接多路脉冲可调信号源；上位计算机将设置的高低电平值转换为数字信号传输给主控模块，主控模块控制多路脉冲信号源生成不同的时序波形提供给电子倍增CCD电路，通过上位计算机任意调节脉冲信号源的高低电平值，最小设置精度达到毫伏级，波形建立时间达到纳秒级，方便设置任意一路EMCCD电路脉冲时序的高低电平，以达到其最佳成像效果。每路信号源具有瞬间大电流驱动能力，满足EMCCD电路高频大容性负载的驱动需求，驱动能力达到数百毫安，远远超过普通运放输出所能达到的电流范围。同时每路信号源均具有过流保护功能，防止因电流过大对驱动电路造成损伤。
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公开(公告)号：CN112269075A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011026774.3
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明公开一种EMCCD电荷转移效率的测试方法，包括以下步骤：a、采用非倍增模式，测量EMCCD的非倍增输出信号电荷在转移前的数值V2，并记录此时所有的交直流电极数据、温度数据与光照数据；b、采用倍增模式，交直流电极数据、温度数据与光照数据按照步骤a执行，单独调节倍增电极，测量EMCCD的倍增输出信号电荷在转移前的数值V1；c、将V1与V2代入公式，计算得到EMCCD电荷转移效率；该方法基于EMCCD已有的版图结构，无需更改电路版图与工艺，能够对EMCCD的电荷转移效率准确的测试与计算。
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公开(公告)号：CN110687423A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910956340.4
申请日：2019-10-10
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开一种EMCCD倍增增益测试方法，包括以下步骤：a、选择EMCCD的待测像元，对待测像元施加电源与时钟信号，在无光条件下，测试得到像元输出Udark；在对应的光照条件下，逐级增加倍增电压，得到有光条件下的像元输出Vout；根据公式MRG=（Vout-Udark）/Udark计算倍增增益，公式中MRG为倍增增益；b、计算出白缺陷、暗缺陷与盲元像素，剔除缺陷像元；c、拟合倍增电极与倍增增益的关系曲线；通过不断地施加倍增电极电压，记录倍增电压值与此时倍增增益计算值，描绘倍增增益曲线图，可以清晰给出倍增电极电压与倍增增益的关系，填补了国内外的空白。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102901845B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201210409192.2
申请日：2012-10-24
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01P21/00
Abstract: 本发明涉及一种压阻式加速度传感器零位补偿测试装置，由输入模块INP、程控电压源PVS、回路开关SW、差分放大器DA、数据采集单元ADC、主控制器MCU、开关网络MUX1、开关网络MUX2、固定补偿单元R、可调补偿单元DPOT和显示单元DIS组成。本发明优点在于固定、可调两种补偿回路并用，相对于单路补偿可降低传感器补偿回路硬件配置的要求，同时准确快速得到被测传感器达到规定电平输出状态时的补偿条件。
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公开(公告)号：CN112345119B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202011024236.0
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种半导体晶圆温度标定系统，包括高低温探针平台，以及相互电连接的温度采集器与上位机，标定系统还包括矩阵开关与五只半导体温度传感器，五只半导体温度传感器分别焊接在晶圆表面的五个不同区域；晶圆置于高低温探针平台内，五只半导体温度传感器通过矩阵开关与温度采集器相连；高低温探针台对晶圆由低到高、间隔设置施加一组传导温度；在每个传导温度点，五只半导体温度传感器分别将晶圆自身的五个区域温度通过矩阵开关、温度采集器依次传递至上位机；上位机绘制晶圆各区域高低温探针台的设置传导温度与晶圆自身温度的对应关系图；得到晶圆的温度标定数据。
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公开(公告)号：CN110687423B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN201910956340.4
申请日：2019-10-10
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开一种EMCCD倍增增益测试方法，包括以下步骤：a、选择EMCCD的待测像元，对待测像元施加电源与时钟信号，在无光条件下，测试得到像元输出Udark；在对应的光照条件下，逐级增加倍增电压，得到有光条件下的像元输出Vout；根据公式MRG=（Vout‑Udark）/Udark计算倍增增益，公式中MRG为倍增增益；b、计算出白缺陷、暗缺陷与盲元像素，剔除缺陷像元；c、拟合倍增电极与倍增增益的关系曲线；通过不断地施加倍增电极电压，记录倍增电压值与此时倍增增益计算值，描绘倍增增益曲线图，可以清晰给出倍增电极电压与倍增增益的关系，填补了国内外的空白。
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公开(公告)号：CN102393484A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110253260.6
申请日：2011-08-31
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R19/25
Abstract: 本发明涉及一种电子线路电流稳定性检测装置，MCU根据采集数据单元ADC控制数模转换器DAC输出一阈值基准电压Vref，要求Vref等于V0。Vref和被差分放大器输出的取样电阻两端的实时压差V1经差分放大器放大后通过ADC数据采集单元送入主控单元MCU。此时电流变化量△I可通过本方法得到的公式进行计算，最后通过软件判断单位时间内电流变化量是否满足要求，从而判定整个回路电流的稳定性。本发明优点是：可以有效的排除系统噪声的干扰，精确的检测到电流微小的变化；具体实施的硬件通用性强，可适用于各种直流回路中安培级以下电流稳定性检测，适用范围广。
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公开(公告)号：CN117239471A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311105913.5
申请日：2023-08-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种高压信号传输的连接器密封组件结构，其特征在于：它包括插座组件（a），在插座组件内插接有对应配合的插头组件（b）。本发明结构简单、使用方便，采用两次密封方式，同时利用插座组件与插头组件一端连接处的弯道和增长的插座壳体来增加爬电距离，即使有密封不紧发生，这个增强的爬电距离也会减小电晕和防止电压击穿。
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