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公开(公告)号：CN115214202A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210683210.X
申请日：2022-06-16
Applicant: 北京科技大学 , 北京空间飞行器总体设计部
Abstract: 一种高导热层状热界面材料的制备方法，属于热管理材料领域。涉及一种大功率电子设备用高导热电绝缘导热复合材料。复合材料由上中下三层组成，其中上下层成分相同，中间层采用四个粒度的高填充，上下层采用三个粒度的低填充，上下层粘度较低更易于贴合设备表面，中间层填充量高粘度较大，颗粒之间连接紧密，可形成更多的导热路径，从而实现高导热的性能。中间层和上下层复合材料均由以下质量比组成：导热填料80‑98wt％，基体0‑10wt％，偶联剂1‑5wt％(相对于导热填料总质量)，催化剂1‑5wt％。该发明对不同种类形状粒径的填料改性并在Dinger‑Funk紧密填充模型基础上计算出接近最佳颗粒级配的配比，制备出的材料热导率高达8W·m‑1·K‑1以上，粘度适中，且成本较低适用于工业生产并制造使用。
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公开(公告)号：CN119971999A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510156206.1
申请日：2025-02-12
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种多孔碳负载氧化镁吸附剂的制备方法，涉及气体净化材料制备技术领域，包括：步骤S1、以硝酸镁、重铬酸盐、浓硫酸、葡萄糖、燃料为原料，并形成匀质溶液，将溶液在一定温度下进行加热形成凝胶，然后进一步发生燃烧反应，得到蓬松的前驱物粉末；步骤S2、将前驱物粉末在空气中进行高温煅烧，得到碳负载中间产物；步骤S3、将碳负载中间产物置于氢氧化钠溶液中加热反应，将反应后所得固体分离、干燥，得到多孔碳负载氧化镁吸附剂。本发明为开发具有大工作容量和高选择性的CO2吸附剂提供了一种简便且可扩展的合成方法，且生产过程环保无污染、操作费用低、经济效益高，具有较好的工业化应用前景。
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公开(公告)号：CN119819928A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411927682.0
申请日：2024-12-25
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种高热导铜散热材料注射成形的制备方法，涉及粉末冶金的技术领域。所述方法包括称取电解铜粉，依次进行气流破碎处理和研磨处理，获得团聚分散的电解铜粉；将前述的电解铜粉、雾化铜粉、铜合金粉末进行混合，得到原料粉末；将原料粉末与塑基粘结剂进行高温高速密炼，得到高纯度喂料；再通过高纯度喂料注射成形得到生坯件；之后将生坯件进行催化脱脂和加热脱脂，得到热脱后的样品；将热脱后的样品依次进行氢气气氛常压烧结和氮气氛围下热等静压烧结，得到全致密高热导铜散热材料。本发明通过粉末粒度搭配、氛围保护密炼、液相烧结作用、活化烧结作用、热等静压烧结联合作用等多种促进烧结致密化机制，实现了铜材料综合性能协同提高。
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公开(公告)号：CN119819927A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411927681.6
申请日：2024-12-25
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种电解铜粉注射成形制备铜散热材料的方法，涉及粉末冶金的技术领域。所述方法包括获得粉磨破碎处理的电解铜粉；将电解铜粉、合金粉末与蜡基粘结剂进行高温高速密炼，得到高纯度喂料；再通过高纯度喂料注射成形得到生坯件；之后将生坯件进行溶剂脱脂和加热脱脂，得到热脱后的样品；将热脱后的样品依次进行氢气气氛常压烧结、固溶时效处理和加压烧结，最后经过退火去应力处理获得铜散热材料。本发明充分发挥电解铜粉纯度高、比表面积大、易成型、烧结活性高以及优异的导电导热性能，并通过固溶时效处理使材料具有高强度和优异延展性，实现高热导大尺寸复杂结构铜散热材料的制备，制备工艺稳定，价格低廉，更适合于大批量生产使用。
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公开(公告)号：CN119433504A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411583020.6
申请日：2024-11-07
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种单晶氮化铝粉体表面流化改性方法，涉及单晶AlN粉体的表面改性技术的技术领域。所述单晶氮化铝粉体表面流化改性方法包括单晶AlN粉体表面预处理、干燥处理、单晶AlN粉体的表面改性处理、重复并循环表面改性处理，得到氧化铝保护层包覆的单晶AlN粉体。本发明通过流化改性技术可以实现对单晶AlN粉体表面的均匀涂覆和厚度控制，能够获得可以增强氮化铝填料耐水解性能、导热性能和界面相容性等性能的改性单晶AlN粉体；方法简单易操作，减少了对有害溶剂的依赖，绿色环保，成本低、效率高，利于工业大规模生产和推广。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119284971A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411177441.9
申请日：2024-08-26
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01G51/04 , C01G53/04 , C01G49/02 , C01G9/02 , C01G45/02 , C01G3/02 , C01F17/10 , C01F17/229 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01M4/90 , H01M12/06
Abstract: 本发明提供了一种拓扑转变合成高熵羟基氧化物纳米片的方法，属于无机材料技术领域，包括以下步骤：1）成分设计：以Ca2Fe2O5褐铁矿型氧化物为基体材料进行元素掺杂；2）燃烧合成前体：利用低温溶液燃烧合成法将步骤1）的原料进行原位复合，将得到的粉末燃烧制备出富含有序氧空位的褐铁矿型氧化物粉末；3）结构重构：将步骤2）得到的富含有序氧空位的褐铁矿型氧化物粉末进行高能超声活化，形成具有高活性的超薄结构纳米片，接着进行离子交换反应，获得所述高熵羟基氧化物纳米片电催化剂。与传统的NiFe和CoFe氢氧化物/羟基氧化物相比，该纳米片催化剂在OER过程中也表现出更高的抗Fe浸出的能力。组装好的锌空气电池能够在低充电电压下稳定运行225小时以上。
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公开(公告)号：CN116903378B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202310784125.7
申请日：2023-06-29
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/581 , C04B35/622 , C04B35/638 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种微波低温预处理制备高强度低晶格氧缺陷氮化铝陶瓷的方法，属于陶瓷材料制备技术领域。所述方法以Y‑Ca‑Dy复合烧结助剂作为脱氧动力源，采用微波烧结对氮化铝生坯内晶粒进行降氧处理，微波频率为2.45GHz，烧结温度为1500～1630℃，烧结时间为5～10h，以获得低氧杂质(晶格氧低于0.06wt.％)并有一定相对密度的预烧结坯体。在随后的烧结过程中使坯体完全致密化。此方法获得的氮化铝陶瓷热导率210～230W/m·k，晶粒尺寸可控(2～5μm)，抗弯强度高于400MPa。
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公开(公告)号：CN115331747B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202210907042.8
申请日：2022-07-29
Applicant: 北京科技大学
IPC: G16C20/30 , G16C20/70 , C25B1/04 , C25B11/073
Abstract: 本发明涉及一种过渡金属氢氧化物析氧电催化剂的智能设计方法及系统，属于无机材料设计技术领域，能够准确快速预测过渡金属氢氧化物电催化剂的析氧活性，解决在广域成分空间中高效搜索具有低OER过电位的候选过渡金属氢氧化物电催化剂配方的难题；该方法包括：析氧活性预测模型构建：先对高维稀疏的实例数据进行稠密特征表示，再进行模型构建，得到训练好的析氧活性预测模型；过渡金属氢氧化物析氧电催化剂设计：根据电催化剂的设计要求，用穷举法得到所有满足要求的电催化剂，并用所述析氧活性预测模型对其分别进行预测，得到所有所述电催化剂的预测结果；根据所述预测结果确定最终设计的电催化剂。
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公开(公告)号：CN115329554B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202210899774.7
申请日：2022-07-28
Applicant: 北京科技大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明涉及一种乳液软模板法制备空心纳米结构工艺智能优化方法及系统，属于无机材料制备技术领域，能够准确快速预测乳液聚合反应的微/纳米产物形貌和均匀度，并解决细粒度、窄分布、不含实心杂质的纳米空心球工艺优化的难题；该方法根据乳液软模板法制备空心纳米结构时的反应物数据、合成参数以及产物形貌进行数据分类，并利用分类后的数据构建空实心预测模型和尺寸均匀度预测模型，用于对产物进行预测；通过SHAP特征分析，得到各反应物和各合成参数对产物空心形貌以及尺寸均匀度的影响程度，用于对乳液软模板法制备空心纳米结构的过程进行优化和调控。
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公开(公告)号：CN114247887B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202111496430.3
申请日：2021-12-08
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种场发射微纳钨发射极的成形方法，属于粉末冶金技术领域。首先采用一次或者多次气流磨处理改善钨粉的粉末状态，得到细粒度、高分散、窄分布近球形钨粉颗粒，有利于在成形阶段形成更加均匀的开孔结构。其次将处理后的粉末进行一次或者多次的煅烧处理，以消除气流磨过程中产生的内应力。再次将该粉末与粘结剂混合均匀制成喂料，在微注射成形设备上成形所需形状和尺寸的钨坯体，最后经脱脂和烧结制备出具有均匀孔隙的场发射微纳钨发射极。本发明显著优化了原料粉末和微粉末注射成形工艺，制备出的场发射微纳钨发射极杂质含量低、孔隙均匀、晶粒尺寸≤1μm，孔径200～800nm，孔隙率15～35％，开孔孔隙度占总孔隙度的95％以上。
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