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公开(公告)号：CN119400516A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411532955.1
申请日：2024-10-30
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01B13/00 , D01F9/12 , C25D21/12 , C25D7/06 , C25D5/54 , C23C16/26 , C23C28/00 , H01B1/04 , H01B1/02
Abstract: 本发明提供了一种超强石墨烯‑铜芯壳导线的制备方法，该方法显著增强了导线的电气和机械性能。通过化学气相沉积合成超长石墨烯纤维，然后通过电镀方法在GFs上均匀镀上铜层，形成GFs‑Cu核壳结构。该结构不仅提高了导线的机械韧性，还因石墨烯的独特电学和热学特性，将电流密度极限提高了10倍，从而实现了通过GFs‑Cu导线更高效、更可靠地输送电能。
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公开(公告)号：CN119400691A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411537957.X
申请日：2024-10-30
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种在200毫米CMOS试验线上研究和制备石墨烯器件的方法和系统。该方法包括在与CMOS兼容的材料上生长晶圆级高质量石墨烯，采用化学气相沉积(CVD)技术在Si(001)衬底上外延生长Ge(001)层，以利用Ge的催化活性和低碳溶解度。此外，通过电化学分层工艺将石墨烯从生长晶圆(供体)转移到隔离晶圆(目标晶圆)上，实现了低缺陷、大规模的石墨烯转移。
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公开(公告)号：CN119381175A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411533153.2
申请日：2024-10-30
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种铜颗粒装饰的还原氧化石墨烯纳米复合材料（Cu‑rGO）的合成方法，该方法简便、高效，能够在室温下通过乙二醇（EG）还原法实现。首先，采用Hummer方法从石墨片合成氧化石墨烯（GO），然后通过乙二醇（EG）还原法在还原氧化石墨烯（rGO）片上锚定高度分散的纳米铜粒子，形成铜颗粒装饰的还原氧化石墨烯纳米复合材料（Cu‑rGO）。该纳米复合材料具有优异的电化学性能，适用于超级电容器电极材料。
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公开(公告)号：CN119368730A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411537719.9
申请日：2024-10-30
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明介绍了一种通过分子级混合工艺和火花等离子烧结(SPS)工艺增强石墨烯/铜纳米复合材料力学性能的方法。该方法旨在解决石墨烯薄片与金属基体之间结合力较弱以及石墨烯在高温加工过程中易损伤的问题。通过在石墨烯薄片上附着官能团，并通过化学反应在石墨烯和铜之间形成化学键，本发明显著提高了石墨烯与铜的结合强度。此外，本发明还提供了一种制备该纳米复合材料的系统，包括化学处理单元、混合单元和烧结单元。
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公开(公告)号：CN119351812A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411533140.5
申请日：2024-10-30
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明介绍了一种三维互联石墨烯增强铜复合材料及其制备方法，旨在解决铜及其合金在电子、电气等领域应用时面临的耐腐蚀性和导电性能局限性问题。通过采用化学气相沉积（CVD）技术，本发明在铜基体中引入石墨烯，形成三维互联网络结构，显著提升了复合材料的导电率和耐腐蚀性。本发明的三维互联石墨烯增强铜复合材料不仅具有优异的导电性能和耐腐蚀性，还展现出了良好的机械性能和加工性能，为高性能电子设备、能量存储系统和高效散热材料等领域的应用提供了广阔的前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119400604A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411524247.3
申请日：2024-10-30
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种超级电容器电极材料，该材料由石墨烯和碳纳米管以3∶1的质量比混合而成。石墨烯通过电化学剥离法制备，碳纳米管通过电弧放电法制备当使用1 M NaCl作为电解质，并在10mV/秒的扫描速率下测试时，该复合材料的比电容可达179F/g。
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公开(公告)号：CN119351982A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411532985.2
申请日：2024-10-30
Applicant: 北京科技大学
IPC: C23C16/26 , C23C16/513 , C23C14/14 , C23C14/30
Abstract: 一种石墨烯‑铜多层复合材料及其制备方法，通过等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术沉积石墨烯层，随后采用电子束沉积技术沉积铜层，并重复这一过程以形成多层结构。石墨烯的体积分数控制在0.007‑0.010%之间，以优化导电性能。本发明的石墨烯‑铜多层复合材料在室温下的电导率达到105.1%IACS，展现出比纯铜基底高出约4.0‑5.0%的导电率，适用于高性能电子设备、电动汽车牵引电机、风力发电机等领域，同时也为发展新型电子器件如传感器、超级电容器提供了材料基础。
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公开(公告)号：CN119400606A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411533759.6
申请日：2024-10-30
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种激光诱导石墨烯超级电容器及其制造方法，旨在提供一种能够直接在柔性衬底上形成的高功率密度储能设备。通过使用激光直接在聚酰亚胺薄膜上写入，实现了PI到多孔石墨烯的转化，形成具有高表面积的电极。这些电极与导电铜带集成在不锈钢基板上.形成超级电容器层。制造过程包括在两个电极之间插入浸泡在硫酸钠溶液中的微孔聚丙烯分离器，以实现离子交换。
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公开(公告)号：CN119372516A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411532966.X
申请日：2024-10-30
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种利用累积轧制复合法（ARC）制造GNPs/Al纳米复合材料的方法，该方法能够在铝基体中均匀分散GNPs，并形成超细晶粒的Al基体，从而显著提高了复合材料的拉伸强度、延展性和导电性。
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公开(公告)号：CN119296980A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411513724.6
申请日：2024-10-28
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种碳纳米管/树枝状聚合物混合物，其核心在于通过在CNTs表面引入含有四个葡萄糖单位（4‑Gl）的糖二聚体，改善了CNTs的分散性和电极的润湿性，从而显著提高了超级电容器的电容性能。
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