-
公开(公告)号：CN101372311A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200810222444.4
申请日：2008-09-17
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种高深宽比氧化硅刻蚀工艺，其采用电感耦合等离子刻蚀系统，且反应气体包括C4F8、H2及He，并采用以下工艺参数：离子源功率为1000－1800W；承片台功率为300－400W；反应室压力为4－12mT；C4F8流量为10－20sccm/min；H2流量为4－8sccm/min；He流量为150－200sccm/min。本发明高深宽比氧化硅刻蚀工艺的技术方案，通过对包括离子源功率、承片台功率、反应室压力等一系列重要刻蚀工艺参数的调整，可明显提高氧化硅的刻蚀速率和对刻蚀掩膜选择比，同时能满足侧壁垂直度的刻蚀要求。
-
公开(公告)号：CN100435272C
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200510012079.0
申请日：2005-07-01
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种在感应耦合等离子体(ICP)刻蚀中保护刻蚀结构的方法，属于微电子机械系统(MEMS)加工工艺技术领域。该方法在感应耦合等离子体ICP干法刻蚀硅结构时，不将硅片刻蚀穿通，在硅结构上PECVD淀积氧化硅，各项同性刻蚀硅结构上表面的氧化硅，再ICP刻蚀剩余未穿通部分的硅，释放硅结构，使硅结构的侧壁形成保护层。本发明保证了刻蚀结构的完整性，使MEMS或NEMS器件具有实际提高工艺结果质量的作用。
-
公开(公告)号：CN1431470A
公开(公告)日：2003-07-23
申请号：CN03104785.8
申请日：2003-02-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明的提供了一种压阻式微型气体流量计芯片及其制备方法。芯片周边为硅框架，中心为一带穿通图形的硅膜片，膜片中心的多孔区构成了一个网状结构拉住四块应变膜片，四块应变膜片用于设置两对垂直摆放的应变电阻。芯片制备方法是以常规压阻式压力计的芯片为基片，一次光刻制备出穿通膜片图形的掩膜，之后在进行高深宽比硅刻蚀来形成穿通的膜片结构。本发明还提供了采用所述芯片的微型气体流量计，是将芯片粘片在衬底打孔的TO管壳封装后作为流量计使用，或者采用专用的塑料封装方式。由于采用了MEMS技术，本发明的微型气体流量计具有体积小、结构简单、精度高、输出信号处理容易、适合于大批量低成本的制造等特点。
-
公开(公告)号：CN1328348A
公开(公告)日：2001-12-26
申请号：CN01123428.8
申请日：2001-07-23
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种制备光电探测器的方法。采用特殊版图设计,宽引线铝覆部分场区,氯离子处理炉管,在有氢气氛的低温炉中退火,慢降温和磷吸杂工艺。经此方法制备的光电探测器反向击穿高,暗电流小,结电容小,响应速度快,光谱响应范围广,参数优异并稳定。可广泛应用于光电探测器的制备领域。
-
公开(公告)号：CN101150300A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710121861.5
申请日：2007-09-17
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备平面电容谐振器的方法，包括如下步骤：1)在硅片上LPCVD一层氮化硅层，第一次光刻并RIE刻蚀氮化硅层；2)第二次光刻，并以该光刻胶作为掩膜，在感应耦合等离子体系统中各向异性干法刻蚀硅，形成深槽；3)对刻蚀后的硅片氧化，然后湿法腐蚀掉氧化层，以平坦化刻蚀后的硅结构侧壁；4)LPCVD并刻蚀SiO2，在深槽侧壁形成自对准氧化层；5)LPCVD多晶硅，光刻并刻蚀多晶硅，形成多晶硅传感电极和驱动电极；6)先各向异性再各向同性ICP刻蚀硅，悬空谐振体结构；7)HF腐蚀SiO2直到谐振体释放，得到所述平面电容谐振器。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1599250A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410009425.5
申请日：2004-08-13
Applicant: 北京大学
IPC: H03K17/72
Abstract: 本发明提供了一种体硅MEMS继电器及其制备方法，属于微电子机械系统(MEMS)加工工艺技术领域。该继电器包括：一采用正向吸合驱动方式的由上、下两个部分组成的继电器本体，上部结构包括带有锚点和梁结构的单晶硅结构板，在单晶硅结构板上分别设有开关上级板和上级板驱动金属板；下部结构包括一玻璃/硅衬底结构，在衬底结构上设有与开关上级板和上级板驱动金属板相对应的开关下级板和下级板驱动金属板。通过采取正向吸合的设计，避免了接触电阻大的问题，提高了继电器的接触电阻性能。且采用绝缘衬底结构，电学性能稳定，可靠性高，不易在加高压驱动时产生击穿。
-
公开(公告)号：CN100588119C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200710121563.6
申请日：2007-09-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种平面电容谐振器及其制备方法。本发明所提供的平面电容谐振器，包括谐振体、传感电极、驱动电极以及支撑它们的衬底，谐振体是悬空的结构，通过锚点固支在衬底上；传感电极和驱动电极均由极板和焊盘组成，传感电极和驱动电极的极板分别设置在谐振体的两侧，与谐振体之间保持有一定的间隙，两两之间的间隙作为中间介质形成电容结构；传感电极和驱动电极的焊盘固定在绝缘介质层上，焊盘上均设置有金属电极；绝缘介质层固定在衬底上。本发明平面电容谐振器的电容极板间隙在亚100nm，具有极高的动态特性，其谐振频率可超过百MHz，而Q因子可达到105。
-
公开(公告)号：CN101127514A
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200710121563.6
申请日：2007-09-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种平面电容谐振器及其制备方法。本发明所提供的平面电容谐振器，包括谐振体、传感电极、驱动电极以及支撑它们的衬底，谐振体是悬空的结构，通过锚点固支在衬底上；传感电极和驱动电极均由极板和焊盘组成，传感电极和驱动电极的极板分别设置在谐振体的两侧，与谐振体之间保持有一定的间隙，两两之间的间隙作为中间介质形成电容结构；传感电极和驱动电极的焊盘固定在绝缘介质层上，焊盘上均设置有金属电极；绝缘介质层固定在衬底上。本发明平面电容谐振器的电容极板间隙在亚100nm，具有极高的动态特性，其谐振频率可超过百MHz，而Q因子可达到105。
-
公开(公告)号：CN1322591C
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN03127940.6
申请日：2003-04-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种加工制造微电子机械系统元器件的方法，目的是提供一种能够满足不同用户、不同器件加工需求、适用于微电子机械系统(MEMS)的元器件加工制造方法。本发明的技术方案为：一种元器件的制造方法，包括下述步骤中的至少二个：1)压阻制备；2)薄膜制备；3)薄膜穿通释放。本发明提出的适用于微电子机械系统(MEMS)的可分段使用的硅薄膜压阻器件制造方法，为实现MEMS技术研究向分工合作的专业化发展奠定了坚实的基础。由于它具有分段使用、可裁剪的特点，因此可以让更多的人更专业的进入MEMS领域，不同的用户可以根据自己的需求截取所需步骤。这种加工制造方法的提出和标准工艺的开发将给MEMS技术的发展带来革命性的变化和发展。
-
公开(公告)号：CN1292541C
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200410009425.5
申请日：2004-08-13
Applicant: 北京大学
IPC: H03K17/72
Abstract: 本发明提供了一种体硅MEMS继电器及其制备方法，属于微电子机械系统(MEMS)加工工艺技术领域。该继电器包括：一采用正向吸合驱动方式的由上、下两个部分组成的继电器本体，上部结构包括带有锚点和梁结构的单晶硅结构板，在单晶硅结构板上分别设有开关上极板和上极板驱动金属板；下部结构包括一玻璃/硅衬底结构，在衬底结构上设有与开关上极板和上极板驱动金属板相对应的开关下极板和下极板驱动金属板。通过采取正向吸合的设计，避免了接触电阻大的问题，提高了继电器的接触电阻性能。且采用绝缘衬底结构，电学性能稳定，可靠性高，不易在加高压驱动时产生击穿。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
22
records
(took 0.022 seconds)
