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公开(公告)号：CN116404045A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310562873.0
申请日：2023-05-18
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/34 , B82Y10/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种纳米尺寸氧化物晶体管的制备方法，属于集成电路领域及显示领域。该氧化物晶体管包括衬底、栅电极、栅介质、有源层和源漏电极，涉及底栅结构和顶栅结构两种类型。底栅结构特征如下：栅电极位于衬底之上，栅介质位于栅电极之上，有源层位于栅介质之上,源漏电极位于有源层两侧。顶栅结构特征如下：有源层位于衬底之上，源漏电极位于有源层两侧，栅介质位于有源层之上，栅电极位于栅介质之上。本发明提出了一种制备纳米尺寸氧化物晶体管的填充技术方案，该方案利用光刻工艺、溅射工艺、原子层淀积工艺和刻蚀工艺等常规技术，有望实现纳米尺寸氧化物晶体管的规模化制备，步骤简单、成本低、可操作性强，具有非常重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN117542814A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311585007.X
申请日：2023-11-24
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: H01L23/482 , H01L23/485 , H01L23/488 , H01L21/60 , H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L29/786
Abstract: 本申请涉及一种集成电路有源封装结构及其制造方法，所述有源封装结构包括：再布线层，位于芯粒与PCB板之间，用于实现不同芯粒之间的互连以及不同芯粒与PCB板之间的互联，所述再布线层形成有TFT器件。本申请利用TFT器件制备温度较低的特点，在再布线层设置TFT开关或者TFT电路，从而实现有源再布线层，并且本申请更易于实现，且成本更低，不会显著增加封装成本。
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公开(公告)号：CN119789491A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411840108.1
申请日：2024-12-13
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明属于集成电路和显示领域，提供一种高迁移率高可靠性氧化物晶体管及其制备方法。本发明采用功函数不同的两种氧化物半导体材料构成异质结结构有源层，通过选择合理的材料类型和沉积条件使得异质结结构有源层的输运机理为：电子从功函数较小的有源层向功函数较大的有源层注入，从而增大载流子在栅介质与有源层界面处的输运电流。本发明还通过高温退火有效减少有源层中的缺陷，实现氧化物晶体管可靠性的改善。在高温退火之后，异质结结构中的两种氧化物半导体材料的功函数均增大，维持存在电子从功函数较小的有源层向功函数较大的有源层注入，使得器件迁移率不发生退化。本发明解决了氧化物晶体管迁移率和可靠性的互斥技术瓶颈。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118053887A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410020861.X
申请日：2024-01-05
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: H01L27/146 , H04N25/703
Abstract: 本申请涉及一种具有环绕式结构的图像传感器像素及其制备方法，所述像素包括：半导体衬底、光电二极管、浮动扩散点、传输栅；所述光电二极管位于所述半导体衬底中，所述光电二极管响应于入射光生成光生电荷；所述传输栅，用于将所述光生电荷传输到所述浮动扩散点；所述浮动扩散点，用于存储从所述光电二极管转移的光生电荷；其中，所述传输栅与所述浮动扩散形成环绕式栅极‑漏极结构，所述传输栅为闭合结构，环绕所述浮动扩散点设置；或者所述浮动扩散点为闭合结构，环绕所述传输栅设置。本申请能够在提高图像传感器分辨率的同时保持整体成像性能。
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公开(公告)号：CN116469939A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310566357.5
申请日：2023-05-18
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种垂直沟道结构氧化物晶体管的制备方法，属于集成电路领域。该氧化物晶体管包括衬底、栅电极、栅电极隔离层、栅介质、有源层、间隔层、源电极和漏电极，涉及单源漏电极结构和双源漏电极结构两种类型。该垂直结构氧化物晶体管有如下优点：一方面，充分利用栅电极和源漏电极对有源层载流子的调控能力，在施加偏压的情况下，有源层中形成两条电流输运路径，这种新型电流输运模式有利于提高迁移率和驱动电流，改善器件的电学性能；另一方面，制备工艺与传统集成电路工艺兼容，具有实施步骤简单、工艺温度低、技术迁移性强等优点，可作为先进集成电路的技术储备。因此，本发明有望实现高性能垂直沟道氧化物晶体管的规模化制备，推动基于氧化物晶体管的无电容DRAM和三维单片集成芯片的实际产品化，具有非常重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN118395911A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410473815.5
申请日：2024-04-19
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: G06F30/33 , G06F30/367 , H01L29/786 , H01L23/64
Abstract: 本申请涉及一种基于薄膜晶体管的功率优化结构，包括：薄膜晶体管以及耦合电容，所述耦合电容串联在所述薄膜晶体管的栅极，本申请在薄膜晶体管器件栅极串联特定电容值的耦合电容，并根据薄膜晶体管的交叠电容、沟道电容设置该耦合电容的范围，从而降低电路工作过程中的短路功耗，缓解薄膜晶体管电路功耗高的问题。
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公开(公告)号：CN117476722A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311498114.9
申请日：2023-11-10
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: H01L27/146 , H10K39/32 , H10K71/00
Abstract: 本申请涉及一种具有红外增强功能的图像传感器像素，包括：中介层，包括第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；光电二极管，靠近所述第一表面设置，所述光电二极管响应于入射光生成第一光生电荷；第一传输栅，位于所述第一表面，用于将所述第一光生电荷传输到浮动扩散点；红外光敏材料层，靠近所述第二表面设置，所述红外光敏材料层响应于入射光而生成第二光生电荷；浮动扩散点，位于所述第一表面，用于存储从所述光电二极管转移的第一光生电荷，以及存储从所述红外光敏材料层转移的第二光生电荷。本申请能够提升图像传感器在NIR波段的电学性能。
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公开(公告)号：CN117457694A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311498124.2
申请日：2023-11-10
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: H01L27/146 , H10K39/32 , H10K71/00
Abstract: 本申请涉及一种具有红外增强功能的图像传感器像素，包括入射面以及与所述入射面相对的非入射面，其特征在于，所述图像传感器像素包括：红外光敏材料层，靠近所述入射面或所述非入射面设置，所述红外光敏材料层响应于入射光而生成第二光生电荷；第一电极以及第二电极，用于收集所述红外光敏材料层生成的所述第二光生电荷，并将所述第二光生电荷转移到浮动扩散点；隔离结构，垂直于所述入射面且围绕所述红外光敏材料层设置，所述隔离结构用于隔离相邻的像素，其中，所述相邻的像素为RGB像素。本申请能够提升图像传感器在近红外波段的电学性能。
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