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公开(公告)号：CN119789491A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411840108.1
申请日：2024-12-13
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明属于集成电路和显示领域，提供一种高迁移率高可靠性氧化物晶体管及其制备方法。本发明采用功函数不同的两种氧化物半导体材料构成异质结结构有源层，通过选择合理的材料类型和沉积条件使得异质结结构有源层的输运机理为：电子从功函数较小的有源层向功函数较大的有源层注入，从而增大载流子在栅介质与有源层界面处的输运电流。本发明还通过高温退火有效减少有源层中的缺陷，实现氧化物晶体管可靠性的改善。在高温退火之后，异质结结构中的两种氧化物半导体材料的功函数均增大，维持存在电子从功函数较小的有源层向功函数较大的有源层注入，使得器件迁移率不发生退化。本发明解决了氧化物晶体管迁移率和可靠性的互斥技术瓶颈。
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