公开(公告)号：CN101809769A

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200880109044.0

申请日：2008-10-07

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 久米史高 ,  筱原政幸

IPC分类号： H01L33/00 ,  C23C16/30 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L33/16 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/30

摘要： 根据金属有机化合物气相外延法，具有以 方向作为基准方向，倾斜角为10°到20°之间的主轴的GaAs单结晶基板(1)上，依次形成由包含两个或多个以上III族元素的(AlxGa1-x)yIn1-yP(其中0≤x≤1，0＜y≤1)构成的发光层部(24)和第一GaP层(7a)。其中，倾斜角用氢化物气相外延法，在第一GaP层(7a)上形成第二GaP层(7b)，(7c)。第二GaP层(7b)，(7c)作为二阶段生长，以第一生长速度的低速生长区域(7b)和以高于上述第一生长速度的第二生长速度的高速生长区域(7c)，在整个生长过程中，速度在10μm/hr到40μm/hr之间。从而提供一种化合物半导体外延晶片及其制造方法，它能够抑制通过氢化物气相外延法形成的厚的窗口层时产生的小丘高度。

公开(公告)号：CN101410996B

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200780011180.1

申请日：2007-03-19

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 久米史高 ,  筱原政幸

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/14 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0066

摘要： 本发明提供一种发光元件的制造方法，是在成长用单结晶基板1上，依次外延生长由第一之III—V族化合物半导体所构成的发光层部24与电流扩散层7，其中，依次实施以有机金属气相成长法将发光层部24外延生长于成长用单结晶基板1上的有机金属气相成长步骤、以及以氢化物气相成长法将电流扩散层7外延生长于发光层部24上的氢化物气相成长步骤。然后，使电流扩散层7具有位于靠近发光层部24之侧的低速成长层7a、与连接该低速成长层7a的高速成长层7b，在氢化物气相成长步骤中，将低速成长层7a的成长速度设定为小于高速成长层7b的成长速度来成长。由此，使用氢化物气相成长法形成厚的电流扩散层时，可抑制凸起的产生。

公开(公告)号：CN101410996A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200780011180.1

申请日：2007-03-19

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 久米史高 ,  筱原政幸

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/14 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0066

摘要： 本发明提供一种发光元件的制造方法，是在成长用单结晶基板1上，依次外延生长由Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体所构成的发光层部24与电流扩散层7，其中，依次实施以有机金属气相成长法将发光层部24外延生长于成长用单结晶基板1上的有机金属气相成长步骤、以及以氢化物气相成长法将电流扩散层7外延生长于发光层部24上的氢化物气相成长步骤。然后，使电流扩散层7具有位于靠近发光层部24之侧的低速成长层7a、与连接该低速成长层7a的高速成长层7b，在氢化物气相成长步骤中，将低速成长层7a的成长速度设定为小于高速成长层7b的成长速度来成长。由此，使用氢化物气相成长法形成厚的电流扩散层时，可抑制凸起的产生。

公开(公告)号：CN109148656A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810459772.X

申请日：2018-05-15

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 筱原政幸 ,  樋口晋 ,  高桥雅宣

IPC分类号： H01L33/02 ,  H01L33/30 ,  H01L33/00

摘要： 本发明提供一种磊晶晶圆的制造方法，相较以往的磊晶晶圆，发光亮度为之提升，其于基板上形成n型磊晶层、p型磊晶层，其中，n型磊晶层及p型磊晶层由含有选自GaAsP及GaP的化合物半导体的层所形成，n型磊晶层的形成具有形成化合物半导体组成为固定且含固定浓度氮的第一n型层的步骤，p型磊晶层的形成具有于第一n型层上形成化合物半导体组成为固定且含固定浓度氮的第一p型层的步骤以及于第一p型层的上方形成化合物半导体组成为固定且不含氮且较第一p型层的载子浓度为高的第二p型层的步骤，第一n型层的厚度较第一p型层的厚度为薄。

公开(公告)号：CN101809769B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200880109044.0

申请日：2008-10-07

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 久米史高 ,  筱原政幸

IPC分类号： H01L33/00 ,  C23C16/30 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L33/16 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/30

摘要： 根据金属有机化合物气相外延法，具有以 方向作为基准方向，倾斜角为10°到20°之间的主轴的GaAs单结晶基板(1)上，依次形成由包含两个或多个以上III族元素的(AlxGa1-x)yIn1-yP(其中0≤x≤1，0＜y＜1)构成的发光层部(24)和第一GaP层(7a)。其中，倾斜角用氢化物气相外延法，在第一GaP层(7a)上形成第二GaP层(7b)，(7c)。第二GaP层(7b)，(7c)作为二阶段生长，以第一生长速度的低速生长区域(7b)和以高于上述第一生长速度的第二生长速度的高速生长区域(7c)，在整个生长过程中，速度在10μm/hr到40μm/hr之间。从而提供一种化合物半导体外延晶片及其制造方法，它能够抑制通过氢化物气相外延法形成的厚的窗口层时产生的小丘高度。