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公开(公告)号：CN108028170B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN201680049105.3
申请日：2016-08-22
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明涉及一种贴合式SOI晶圆的制造方法，将均自硅单晶所构成的接合晶圆以及基底晶圆经由硅氧化膜贴合而制造贴合式SOI晶圆，该制造方法包含：准备电阻率为100Ω·cm以上且初期晶格间氧浓度为10ppma以下的单晶硅晶圆而作为基底晶圆的步骤；通过在氧化性氛围下，对基底晶圆实施700℃以上1000℃以下的温度且5小时以上的热处理而于基底晶圆表面形成硅氧化膜的步骤；经由硅氧化膜将基底晶圆及接合晶圆贴合的步骤，以及将经贴合的接合晶圆薄膜化而形成SOI层的步骤。由此能抑制SOI晶圆制造步骤中的基底晶圆的滑动差排的发生的同时，有效地进行为了抑制电阻率的变动的供体消去。
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公开(公告)号：CN107112204B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201680004325.4
申请日：2016-01-07
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/304 , H01L27/12
Abstract: 一种贴合式SOI晶圆的制造方法，将皆以单晶硅所构成的贴合晶圆及基底晶圆透过绝缘膜贴合而制造贴合式SOI晶圆，包含下列步骤，将多晶硅层堆积于基底晶圆的贴合面侧，研磨多晶硅层的表面，于贴合晶圆的贴合面形成绝缘膜，透过绝缘膜将基底晶圆的多晶硅层的研磨面与贴合晶圆贴合，以及将经贴合的贴合晶圆薄膜化而形成SOI层，其中于堆积多晶硅层的步骤中，作为基底晶圆使用具有化学蚀刻面的晶圆，于化学蚀刻面进行一次研磨后，于经一次研磨的面堆积多晶硅层，于研磨多晶硅层表面的步骤中，于多晶硅层表面进行二次研磨，或进行二次研磨及精研磨。
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公开(公告)号：CN1271721C
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN02801275.5
申请日：2002-04-09
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76251 , H01L21/76254
Abstract: 根据本发明，提供一种贴合基板的制造方法，是针对至少具有将2枚的基板接合的工序、及对该接合后的基板给予热处理使其强固地结合的工序之形态的贴合基板的制造方法，其特征为：至少在接合前述基板之前，进行除去该基板表面的污染物质的洗净工序，接着，进行使洗净后的基板表面干燥的工序；该干燥工序不使用水置换法，而通过在接合前的基板上，残留水分，来提高基板接合后的接合强度。通过此手段，提供一种贴合基板的制造方法，以高生产性和高良率，制造出可以提高接合基板的接合界面的接合强度，在结合热处理后的贴合基板的结合界面，没有空洞不良或气泡不良等的基板。
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公开(公告)号：CN106233425A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201580020538.1
申请日：2015-03-04
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L27/12
Abstract: 本发明是关于一种贴合式SOI晶圆的制造方法，为关于将均以单晶硅所构成的贴合晶圆及基底晶圆透过绝缘膜贴合的贴合式SOI晶圆的制造方法，其中包含：将基底晶圆的贴合面侧堆积多晶硅的步骤，研磨多晶硅层的表面的步骤，于贴合晶圆的贴合面形成绝缘膜的步骤，透过绝缘膜将基底晶圆的多晶硅层的研磨面与贴合晶圆贴合的步骤，以及将经贴合的贴合晶圆薄膜化而形成SOI层的步骤；使用电阻率100Ω·cm以上的单晶硅晶圆，堆积多晶硅层的步骤进一步包含于贴合晶圆的堆积多晶硅层的表面预先形成氧化膜的阶段，多晶硅层的堆积分为二个阶段进行，包含以1010℃以下的第一温度进行的第一成长，及以较第一温度更高温的第二温度进行较第一成长更厚的堆积的第二成长。借此，即使在用以作为载子捕陷层而运作的多晶层的厚度已堆积至充分的厚度时，也能抑制基底晶圆的翘曲的扩大，同时防止多晶硅的单晶化。
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公开(公告)号：CN1326247C
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN02823371.9
申请日：2002-11-19
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L27/12
CPC classification number: H01L21/30608 , H01L21/02052 , H01L21/304 , H01L21/76254
Abstract: 本发明是将硅单晶所构成的接合晶片31与衬底晶片32通过氧化膜33进行贴合后、对接合晶片31实施减厚加工以制造贴合晶片39的方法。若使用以下的改进化学腐蚀晶片来作为接合晶片31及衬底晶片32，即可减少接合热处理后的未结合区域UA。改良化学腐蚀晶片是这样制成，它在腐蚀工序中，在碱腐蚀后进行酸腐蚀，这时使碱腐蚀的腐蚀量大于酸腐蚀的腐蚀量。这样，在贴合晶片的制造中，可减少接合晶片与衬底晶片的未结合区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106233425B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201580020538.1
申请日：2015-03-04
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L27/12
Abstract: 本发明是关于一种贴合式SOI晶圆的制造方法，为关于将均以单晶硅所构成的贴合晶圆及基底晶圆透过绝缘膜贴合的贴合式SOI晶圆的制造方法，其中包含：将基底晶圆的贴合面侧堆积多晶硅的步骤，研磨多晶硅层的表面的步骤，于贴合晶圆的贴合面形成绝缘膜的步骤，透过绝缘膜将基底晶圆的多晶硅层的研磨面与贴合晶圆贴合的步骤，以及将经贴合的贴合晶圆薄膜化而形成SOI层的步骤；使用电阻率100Ω·cm以上的单晶硅晶圆，堆积多晶硅层的步骤进一步包含于贴合晶圆的堆积多晶硅层的表面预先形成氧化膜的阶段，多晶硅层的堆积分为二个阶段进行，包含以1010℃以下的第一温度进行的第一成长，及以较第一温度更高温的第二温度进行较第一成长更厚的堆积的第二成长。借此，即使在用以作为载子捕陷层而运作的多晶层的厚度已堆积至充分的厚度时，也能抑制基底晶圆的翘曲的扩大，同时防止多晶硅的单晶化。
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公开(公告)号：CN108028170A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680049105.3
申请日：2016-08-22
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: H01L21/76254 , C30B15/007 , C30B15/20 , C30B29/06 , H01L21/02 , H01L21/02008 , H01L21/02236 , H01L21/3226 , H01L27/12 , H01L27/1203
Abstract: 本发明涉及一种贴合式SOI晶圆的制造方法，将均自硅单晶所构成的接合晶圆以及基底晶圆经由硅氧化膜贴合而制造贴合式SOI晶圆，该制造方法包含：准备电阻率为100Ω·cm以上且初期晶格间氧浓度为10ppma以下的单晶硅晶圆而作为基底晶圆的步骤；通过在氧化性氛围下，对基底晶圆实施700℃以上1000℃以下的温度且5小时以上的热处理而于基底晶圆表面形成硅氧化膜的步骤；经由硅氧化膜将基底晶圆及接合晶圆贴合的步骤，以及将经贴合的接合晶圆薄膜化而形成SOI层的步骤。由此能抑制SOI晶圆制造步骤中的基底晶圆的滑动差排的发生的同时，有效地进行为了抑制电阻率的变动的供体消去。
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公开(公告)号：CN107112204A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201680004325.4
申请日：2016-01-07
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/304 , H01L27/12
Abstract: 一种贴合式SOI晶圆的制造方法，将皆以单晶硅所构成的贴合晶圆及基底晶圆透过绝缘膜贴合而制造贴合式SOI晶圆，包含下列步骤，将多晶硅层堆积于基底晶圆的贴合面侧，研磨多晶硅层的表面，于贴合晶圆的贴合面形成绝缘膜，透过绝缘膜将基底晶圆的多晶硅层的研磨面与贴合晶圆贴合，以及将经贴合的贴合晶圆薄膜化而形成SOI层，其中于堆积多晶硅层的步骤中，作为基底晶圆使用具有化学蚀刻面的晶圆，于化学蚀刻面进行一次研磨后，于经一次研磨的面堆积多晶硅层，于研磨多晶硅层表面的步骤中，于多晶硅层表面进行二次研磨，或进行二次研磨及精研磨。
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公开(公告)号：CN1592970A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN02823371.9
申请日：2002-11-19
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L27/12
CPC classification number: H01L21/30608 , H01L21/02052 , H01L21/304 , H01L21/76254
Abstract: 本发明是将硅单晶所构成的接合晶片31与衬底晶片32通过氧化膜33进行贴合后、对接合晶片31实施减厚加工以制造贴合晶片39的方法。若使用以下的改进化学腐蚀晶片来作为接合晶片31及衬底晶片32，即可减少接合热处理后的未结合区域UA。改良化学腐蚀晶片是这样制成，它在腐蚀工序中，在碱腐蚀后进行酸腐蚀，这时使碱腐蚀的腐蚀量大于酸腐蚀的腐蚀量。这样，在贴合晶片的制造中，可减少接合晶片与衬底晶片的未结合区域。
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公开(公告)号：CN1461496A
公开(公告)日：2003-12-10
申请号：CN02801275.5
申请日：2002-04-09
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76251 , H01L21/76254
Abstract: 根据本发明，提供一种贴合基板的制造方法，是针对至少具有将2枚的基板接合的工序、及对该接合后的基板给予热处理使其强固地结合的工序之形态的贴合基板的制造方法，其特征为：至少在接合前述基板之前，进行除去该基板表面的污染物质的洗净工序，接着，进行使洗净后的基板表面干燥的工序；该干燥工序不使用水置换法，而通过在接合前的基板上，残留水分，来提高基板接合后的接合强度。通过此手段，提供一种贴合基板的制造方法，以高生产性和高良率，制造出可以提高接合基板的接合界面的接合强度，在结合热处理后的贴合基板的结合界面，没有空洞不良或气泡不良等的基板。
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