公开(公告)号：CN108028170A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680049105.3

申请日：2016-08-22

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石冢彻 ,  中野正刚

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  C30B15/007 ,  C30B15/20 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1203

Abstract: 本发明涉及一种贴合式SOI晶圆的制造方法，将均自硅单晶所构成的接合晶圆以及基底晶圆经由硅氧化膜贴合而制造贴合式SOI晶圆，该制造方法包含：准备电阻率为100Ω·cm以上且初期晶格间氧浓度为10ppma以下的单晶硅晶圆而作为基底晶圆的步骤；通过在氧化性氛围下，对基底晶圆实施700℃以上1000℃以下的温度且5小时以上的热处理而于基底晶圆表面形成硅氧化膜的步骤；经由硅氧化膜将基底晶圆及接合晶圆贴合的步骤，以及将经贴合的接合晶圆薄膜化而形成SOI层的步骤。由此能抑制SOI晶圆制造步骤中的基底晶圆的滑动差排的发生的同时，有效地进行为了抑制电阻率的变动的供体消去。

公开(公告)号：CN108028170B

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN201680049105.3

申请日：2016-08-22

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石冢彻 ,  中野正刚

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明涉及一种贴合式SOI晶圆的制造方法，将均自硅单晶所构成的接合晶圆以及基底晶圆经由硅氧化膜贴合而制造贴合式SOI晶圆，该制造方法包含：准备电阻率为100Ω·cm以上且初期晶格间氧浓度为10ppma以下的单晶硅晶圆而作为基底晶圆的步骤；通过在氧化性氛围下，对基底晶圆实施700℃以上1000℃以下的温度且5小时以上的热处理而于基底晶圆表面形成硅氧化膜的步骤；经由硅氧化膜将基底晶圆及接合晶圆贴合的步骤，以及将经贴合的接合晶圆薄膜化而形成SOI层的步骤。由此能抑制SOI晶圆制造步骤中的基底晶圆的滑动差排的发生的同时，有效地进行为了抑制电阻率的变动的供体消去。