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公开(公告)号：CN106029603A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580009747.6
申请日：2015-02-12
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C04B35/00 , C23C14/34 , C23C14/58 , H01L21/363
CPC classification number: C23C14/3414 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/656 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/5853 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631
Abstract: 本发明提供一种氧化物烧结体以及使用所述氧化物烧结体的溅射靶，在通过溅射法将所述氧化物烧结体制成氧化物半导体薄膜时，能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率。该氧化物烧结体含有作为氧化物的铟、镓和锌。由Ga/(In+Ga)原子数比所表示的镓的含量为0.08以上且小于0.20，由Zn/(In+Ga+Zn)原子数比所表示的锌的含量为0.0001以上且小于0.08。将该氧化物烧结体作为溅射靶而形成的晶质氧化物半导体薄膜所获得的载流子浓度为8.0×1017cm‑3以下，载流子迁移率为10cm2/V·s以上。
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公开(公告)号：CN104081534A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201280056855.5
申请日：2012-12-05
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/054 , C23C14/08
CPC classification number: C23C14/086 , H01L31/022466 , H01L31/056 , H01L31/076 , H01L31/1884 , Y02E10/52 , Y02E10/548
Abstract: 本发明提供与Si层的接触性优异且光限制效应也优异的、可用作太阳能电池的表面电极的透明导电膜层叠体及其制造方法，以及薄膜太阳能电池及其制造方法。将在透光性基板(1)上形成的氧化铟系透明导电膜(I)(21)作为基底，在其上依次形成凹凸性优异的氧化锌系透明导电膜(II)(22)和具有高功函数的透明导电膜(III)(23)，从而形成三层层叠结构。
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公开(公告)号：CN106164014A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201580015529.3
申请日：2015-04-15
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C04B35/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363
CPC classification number: C04B35/45 , C04B35/00 , C04B35/01 , C04B35/62218 , C04B35/6261 , C04B2235/3281 , C04B2235/3282 , C04B2235/3286 , C04B2235/5436 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6585 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/0036 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/087 , C23C14/34 , C23C14/3414 , C23C14/5806 , H01J37/3429 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L29/04 , H01L29/6675 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78693
Abstract: 本发明提供一种在通过溅射法制成氧化物半导体薄膜时能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率的氧化物烧结体以及使用该氧化物烧结体的溅射用靶。该氧化物烧结体以氧化物的形式含有铟、镓和铜。以Ga/(In+Ga)原子数比计的镓的含量优选为0.08以上且小于0.20，以Cu/(In+Ga+Cu)原子数比计的铜的含量优选为0.001以上且小于0.03，并且优选在1200℃以上且1550℃以下的温度进行烧成。将该氧化物烧结体作为溅射用靶而形成的结晶质的氧化物半导体薄膜，能够获得载流子浓度为1.0×1018cm‑3以下、载流子迁移率为10cm2V‑1sec‑1以上。
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公开(公告)号：CN104781445A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201380058211.4
申请日：2013-10-11
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: H01L31/022475 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/34 , H01L31/022483 , H01L31/02366 , H01L31/1884 , Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供在制造高效率的硅系薄膜太阳能电池时作为表面电极有用的、具有光散射性优异的凹凸结构、光限制效应也优异的透明导电膜层叠体及其制造方法、以及使用了该透明导电膜层叠体的薄膜太阳能电池及其制造方法。透明导电膜层叠体具有如下结构并且其表面为凹部以及凸部混合存在的晶体组织，表面粗糙度(Ra)为30nm以上且雾度率为8％以上、并且电阻值为30Ω/□以下，所述结构具备膜厚为10nm以上且300nm以下的氧化铟系透明导电膜(I)、以及膜厚为200nm以上的氧化锌系透明导电膜(II)。
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公开(公告)号：CN106414366A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201580029806.6
申请日：2015-06-24
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C04B35/01 , C04B35/62218 , C04B35/64 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3286 , C04B2235/3296 , C04B2235/5436 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , C04B2235/6586 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/3407 , H01J37/3426 , H01J37/3429 , H01L21/02483 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L21/465 , H01L29/2206 , H01L29/245 , H01L29/247 , H01L29/66969 , H01L29/78693
Abstract: 本发明提供一种通过溅射法制成氧化物半导体薄膜时能获得低载流子浓度、高载流子迁移率的氧化物烧结体以及使用该氧化物烧结体的溅射靶。所述氧化物烧结体含有以氧化物方式存在的铟、镓以及选自由镍、钴、钙、锶和铅组成的组中的一种以上的正二价元素。以Ga/(In+Ga)原子数比计的镓的含量为0.20以上且0.45以下，以M/(In+Ga+M)原子数比计的所述正二价元素M的含量为0.0001以上且0.05以下。将所述氧化物烧结体作为溅射靶而形成的非晶质的氧化物半导体薄膜，载流子浓度小于3.0×1018cm-3，载流子迁移率为10cm2V-1sec-1以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106132902A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580013205.6
申请日：2015-05-20
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C04B35/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363
CPC classification number: H01L29/78693 , C04B35/01 , C04B35/03 , C04B35/6261 , C04B35/645 , C04B2235/3206 , C04B2235/3286 , C04B2235/5436 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6585 , C04B2235/72 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/082 , C23C14/34 , C23C14/3414 , H01J37/3426 , H01J2237/332 , H01L21/02422 , H01L21/02565 , H01L21/0257 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种通过溅射法制成氧化物半导体薄膜时能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率的氧化物烧结体以及使用该氧化物烧结体的溅射用靶。该氧化物烧结体以氧化物的形式含有铟、镓和镁。以Ga/(In+Ga)原子数比计的镓的含量优选为0.08以上且小于0.20，以Mg/(In+Ga+Mg)原子数比计的镁的含量优选为0.0001以上且小于0.05，并且优选以1200℃以上且1550℃以下的温度进行烧成。将该氧化物烧结体作为溅射用靶而形成的结晶质的氧化物半导体薄膜，能够获得载流子浓度小于1.0×1018cm‑3、载流子迁移率为10cm2V‑1sec‑1以上。
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公开(公告)号：CN102298986B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201110186615.4
申请日：2011-06-28
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01B5/14 , H01B13/00 , H01L31/077 , H01L31/18 , B32B3/30 , B32B9/04 , C23C14/34 , C23C14/08
CPC classification number: C23C14/086 , C03C17/3618 , C03C17/3636 , C03C17/3644 , C03C17/3655 , C03C17/3678 , C03C2217/77 , C03C2217/94 , C03C2217/944 , C03C2217/948 , H01L31/022475 , H01L31/022483 , H01L31/056 , H01L31/077 , H01L31/1884 , Y02E10/52
Abstract: 本发明提供光电转换效率高的带有表面电极的透明导电基板及制造方法、薄膜太阳能电池及制造方法。通过形成氧化铟类的非晶体透明导电膜作为基底膜(21)，在其上形成氧化锌类的晶体透明导电膜，形成由良好的凹凸结构构成的表面电极(2)。结果能够提供光封闭效果更高的表面电极(2)，得到光电转换效率更高的薄膜太阳能电池(10)。
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公开(公告)号：CN107001144A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580063271.4
申请日：2015-11-16
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C04B35/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , C23C14/58 , H01L21/203 , H01L21/363
CPC classification number: H01L21/02565 , C03C17/245 , C03C2217/23 , C03C2218/156 , C04B35/01 , C04B35/6261 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3286 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6586 , C04B2235/72 , C04B2235/76 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C23C14/08 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , C23C14/5806 , H01B1/08 , H01J37/3426 , H01L21/02422 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L21/02664 , H01L21/465 , H01L29/247 , H01L29/7869
Abstract: 一种氧化物烧结体、以及使用该氧化物烧结体的溅射用靶，对所述氧化物烧结体而言，通过溅射法制成氧化物半导体薄膜时，能够得到低载流子浓度、高载流子迁移率。该氧化物烧结体含有以氧化物方式存在的铟、镓以及铝。以Ga/(In+Ga)原子数比计的镓的含量为0.15以上且0.49以下，以Al/(In+Ga+Al)原子数比计的铝的含量为0.0001以上且小于0.25。对于将该氧化物烧结体用作溅射用靶而形成的结晶质的氧化物半导体薄膜而言，载流子浓度为4.0×1018cm‑3以下，载流子迁移率10cm2V‑1sec‑1以上。
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公开(公告)号：CN106458759A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580029802.8
申请日：2015-06-24
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C04B35/01 , C04B35/62218 , C04B35/64 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3286 , C04B2235/3296 , C04B2235/5436 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , C04B2235/6586 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/3407 , H01J37/3426 , H01J37/3429 , H01L21/02483 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L21/465 , H01L29/2206 , H01L29/245 , H01L29/247 , H01L29/66969 , H01L29/78693
Abstract: 本发明提供一种通过溅射法制造氧化物半导体薄膜时能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率的氧化物烧结体以及使用该氧化物烧结体的溅射靶。所述氧化物烧结体含有以氧化物方式存在的铟、镓以及选自由镍、钴、钙、锶和铅组成的组中的一种以上的正二价元素。以Ga/(In+Ga)原子数比计的镓的含量为0.08以上且小于0.20，以M/(In+Ga+M)原子数比计的所述正二价元素M的含量为0.0001以上且0.05以下。将所述氧化物烧结体作为溅射靶而形成的结晶质的氧化物半导体薄膜，载流子浓度小于1.0×1018cm-3，载流子迁移率为10cm2V-1sec-1以上。
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公开(公告)号：CN106132903A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580015792.2
申请日：2015-04-15
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C04B35/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363
CPC classification number: C04B35/45 , C04B35/00 , C04B35/01 , C04B35/62218 , C04B35/6261 , C04B2235/3281 , C04B2235/3282 , C04B2235/3286 , C04B2235/5436 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6585 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/0036 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/087 , C23C14/34 , C23C14/3414 , C23C14/5806 , H01J37/3429 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L29/04 , H01L29/6675 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78693
Abstract: 本发明提供一种在通过溅射法制成氧化物半导体薄膜时能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率氧化物烧结体以及使用该氧化物烧结体的溅射用靶。该氧化物烧结体以氧化物的形式含有铟、镓和铜。由Ga/(In+Ga)原子数比计的镓的含量优选为0.20以上且0.45以下，由Cu/(In+Ga+Cu)原子数比计的铜的含量优选为0.001以上且小于0.03，并且优选在1200℃以上且1550℃以下的温度进行烧成。将该氧化物烧结体作为溅射用靶而形成的非晶质的氧化物半导体薄膜，能够获得载流子浓度为3.0×1018cm‑3以下、载流子迁移率为10cm2V‑1sec‑1以上。
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