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公开(公告)号：CN108962724A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810801711.7
申请日：2014-07-16
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L29/786 , C23C14/08 , C23C14/34
CPC classification number: H01L29/7869 , C23C14/08 , C23C14/3414 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L27/1285 , H01L29/66969 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种结晶质氧化物半导体薄膜，在非晶质状态中蚀刻性优良，在结晶质状态中具有低载流子浓度和高载流子迁移率，适宜用作薄膜晶体管的沟道层材料，仅由方铁锰矿型结构的In2O3相构成。通过将氧化物烧结体作为靶来形成非晶质氧化物薄膜，对该非晶质氧化物薄膜通过利用光刻法技术进行蚀刻来进行微细加工，进行退火处理，所述氧化物烧结体由铟、镓、氧和不可避免的杂质构成，所述镓含量以Ga/(In+Ga)原子数比计处于0.09～0.45的范围，以方铁锰矿型结构的In2O3相作为主结晶相，在该主结晶相中微细地分散有β‑Ga2O3型结构的GaInO3相或者β‑Ga2O3型结构的GaInO3相和(Ga,In)2O3相。
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公开(公告)号：CN106029603A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580009747.6
申请日：2015-02-12
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C04B35/00 , C23C14/34 , C23C14/58 , H01L21/363
CPC classification number: C23C14/3414 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/656 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/5853 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631
Abstract: 本发明提供一种氧化物烧结体以及使用所述氧化物烧结体的溅射靶，在通过溅射法将所述氧化物烧结体制成氧化物半导体薄膜时，能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率。该氧化物烧结体含有作为氧化物的铟、镓和锌。由Ga/(In+Ga)原子数比所表示的镓的含量为0.08以上且小于0.20，由Zn/(In+Ga+Zn)原子数比所表示的锌的含量为0.0001以上且小于0.08。将该氧化物烧结体作为溅射靶而形成的晶质氧化物半导体薄膜所获得的载流子浓度为8.0×1017cm‑3以下，载流子迁移率为10cm2/V·s以上。
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公开(公告)号：CN105393360A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201480040462.4
申请日：2014-07-16
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: H01L29/786 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L21/477
CPC classification number: H01L29/7869 , C23C14/08 , C23C14/3414 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L27/1285 , H01L29/66969 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种结晶质氧化物半导体薄膜，其中，在非晶质状态中蚀刻性优良，并且在结晶质状态中具有低载流子浓度和高载流子迁移率，适宜用作薄膜晶体管的沟道层材料，仅由方铁锰矿型结构的In2O3相构成。通过将氧化物烧结体作为靶来形成非晶质氧化物薄膜，并且，对该非晶质氧化物薄膜通过利用光刻法技术进行蚀刻来进行微细加工，进行退火处理，并且，所述氧化物烧结体由铟、镓、氧和不可避免的杂质构成，所述镓含量以Ga/(In+Ga)原子数比计处于0.09～0.45的范围，并且以方铁锰矿型结构的In2O3相作为主结晶相，在该主结晶相中微细地分散有β-Ga2O3型结构的GaInO3相或者β-Ga2O3型结构的GaInO3相和(Ga,In)2O3相。
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公开(公告)号：CN102791475A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201180011941.X
申请日：2011-03-01
Applicant: 住友金属矿山株式会社 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: C23C14/083 , C23C14/024 , C23C14/0676 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/34 , C23C14/3471 , H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L33/42 , Y02E10/52 , Y10T428/265
Abstract: 通过在基体上形成最佳的缓冲层，提供包含透明导电膜层的层合体，该透明导电膜层包含含有结晶性更优异的锐钛矿相、具有高折射率和低电阻、以氧化钛为主成分并含有铌等添加元素的氧化物薄膜，提供具备该层合体的半导体发光元件或太阳能电池等功能元件。该层合体的特征在于在基体上形成缓冲层，该缓冲层包含选自氧化镓薄膜、包含镓、铟和氧的氧化物薄膜以及包含镓、铟、铝和氧的氧化物薄膜中的至少一种以上薄膜，在该缓冲层上形成有透明导电膜层，该透明导电膜层包含以氧化钛为主成分、含有选自铌、钽、钼、砷、锑和钨的至少一种以上元素的氧化物薄膜。
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公开(公告)号：CN102482154A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080034731.8
申请日：2010-07-29
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: H01J37/3429 , C04B35/01 , C04B35/645 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5472 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6581 , C04B2235/6585 , C04B2235/6586 , C04B2235/668 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/95 , C04B2235/963 , C23C14/08 , C23C14/3414 , H01B1/08 , H01J1/00 , H01L31/022466 , H01L33/42
Abstract: 本发明提供离子镀用片料、为了获得离子镀用片料的最适合的氧化物烧结体和其制造方法，该离子镀用片料可以实现适用于蓝色LED或太阳能电池的透明导电膜的高速成膜和不产生飞溅的结节少的成膜。一种离子镀用片料，该离子镀用片料通过将氧化物烧结体加工而得到，该氧化物烧结体含有作为氧化物形式的铟和铈，铈的含量以Ce/(In+Ce)原子数比计为0.3～9原子％，其特征在于，该氧化物烧结体以方铁锰矿型结构的In2O3相为主结晶相，作为第二相的萤石型结构的CeO2相作为平均粒径3μm以下的结晶颗粒而进行微细地分散，氧化物烧结体通过下述方法制造：将含有氧化铟粉末和氧化铈粉末的平均粒径1.5μm以下的原料粉末混合后，对混合粉末进行成形，通过常压烧结法对成形物进行烧结，或者利用热压法对混合粉末进行成形并烧结。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101024874B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200610167476.X
申请日：2006-12-20
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: H01B1/12 , C04B35/01 , C04B2235/3286 , C04B2235/5436 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C04B2235/80
Abstract: 本发明的透明导电膜制造用烧结体靶主要由Ga、In和O形成，相对全部金属原子含有49.1原子％以上65原子％以下的Ga，主要由β-GaInO3相和In2O3相构成，In2O3相(400)/β-GaInO3相(111)X射线衍射峰强度比为45％以下，并且密度在5.8g/cm3以上。使用溅射法得到的透明导电膜为主要由Ga、In和O形成的非晶质氧化物膜透明导电膜，相对全部金属原子含有49.1原子％以上65原子％以下的Ga，功函数在5.1eV以上，波长633nm下的折射率在1.65以上1.85以下。
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公开(公告)号：CN100426014C
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200510084879.3
申请日：2005-07-18
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: G02B5/22
Abstract: 本发明涉及吸收型多层膜ND滤光器，该吸收型多层膜ND滤光器具有包括基板和、以镍(Ni)为主要成分的金属层和SiO2、Al2O3或它们的混合物制成的电介质层在基板上交替层叠而形成的光学多层体的结构。在作为光衰减层的上述金属层上，由于使用了可视光区域中分光透射率的波长依赖性小的镍系金属材料，因此可以实现相对于波长能够获得平坦的透射率衰减的ND滤光器。
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公开(公告)号：CN1779493A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510108571.8
申请日：2005-10-12
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: G02B5/22
Abstract: 本发明涉及一种将使透射光衰减的吸收型多层膜设置在薄膜基板上的吸收型多层膜ND滤光片，其特征在于，吸收型多层膜(13、16)是通过交替层叠由SiO2、Al2O3或者这些等的混合物构成的电介质层(14、17)和由Ni单体或者Ni类合金构成的金属膜层(15、18)而形成的多层膜构成的，吸收型多层膜在基板的两面上分别形成，从而成为以基板为中心而相互对称的膜结构，并且，基板的弯曲的曲率半径被调整为大于等于500mm。
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公开(公告)号：CN104798205B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201380060993.5
申请日：2013-11-21
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Inventor： 中山德行
IPC: H01L29/786 , C23C14/08 , C23C14/58 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L29/24
CPC classification number: H01L29/7869 , C23C14/08 , C23C14/3414 , C23C14/5806 , H01L21/02422 , H01L21/02425 , H01L21/02488 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L29/04 , H01L29/24 , H01L29/66742 , H01L29/786 , H01L29/78693
Abstract: 本发明的目的在于，通过氧化物结晶质薄膜提供具有比较高的载流子迁移率并且适宜作为TFT的信道层材料的氧化物半导体薄膜。该氧化物半导体薄膜是通过对由含有铟和钛的氧化物构成且钛含量以Ti/In原子数比计为0.005～0.12的非晶质膜，以250℃以上的加热温度以及1分钟～120分钟的处理时间进行退火处理而获得。所述氧化物半导体薄膜是结晶质薄膜且仅由方铁锰矿型结构的In2O3相构成，并且载流子浓度为1×1019cm‑3以下，载流子迁移率为1cm2/Vsec以上。
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公开(公告)号：CN107001144A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580063271.4
申请日：2015-11-16
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C04B35/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , C23C14/58 , H01L21/203 , H01L21/363
CPC classification number: H01L21/02565 , C03C17/245 , C03C2217/23 , C03C2218/156 , C04B35/01 , C04B35/6261 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3286 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6586 , C04B2235/72 , C04B2235/76 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C23C14/08 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , C23C14/5806 , H01B1/08 , H01J37/3426 , H01L21/02422 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L21/02664 , H01L21/465 , H01L29/247 , H01L29/7869
Abstract: 一种氧化物烧结体、以及使用该氧化物烧结体的溅射用靶，对所述氧化物烧结体而言，通过溅射法制成氧化物半导体薄膜时，能够得到低载流子浓度、高载流子迁移率。该氧化物烧结体含有以氧化物方式存在的铟、镓以及铝。以Ga/(In+Ga)原子数比计的镓的含量为0.15以上且0.49以下，以Al/(In+Ga+Al)原子数比计的铝的含量为0.0001以上且小于0.25。对于将该氧化物烧结体用作溅射用靶而形成的结晶质的氧化物半导体薄膜而言，载流子浓度为4.0×1018cm‑3以下，载流子迁移率10cm2V‑1sec‑1以上。
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