公开(公告)号：CN113235162B

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202110359932.5

申请日：2017-07-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 福永宽 ,  秋田胜史 ,  石川幸雄

IPC: C30B29/42 ,  C30B11/00 ,  H01L29/207

Abstract: 本发明涉及砷化镓晶体和砷化镓晶体基板。在砷化镓晶体中，所述砷化镓晶体的蚀坑密度为10个·cm‑2以上且10000个·cm‑2以下，并且所述砷化镓晶体的氧浓度小于7.0×1015原子·cm‑3。在砷化镓晶体基板中，所述砷化镓晶体基板的蚀坑密度为10个·cm‑2以上且10000个·cm‑2以下，并且所述砷化镓晶体基板的氧浓度小于7.0×1015原子·cm‑3。

公开(公告)号：CN102959736B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180032436.3

申请日：2011-06-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  石塚贵司 ,  藤井慧 ,  中幡英章 ,  永井阳一 ,  稻田博史 ,  猪口康博

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/035236 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1844 ,  Y02E10/544

Abstract: 提供了一种光电检测器及其制造方法，其中在从包括1.3μm的短波长侧到长波长侧的近红外区域上抑制灵敏度变化。该光电检测器包括在III-V族半导体衬底上包括GaAsSb层与InGaAs层的重复结构的II型多量子阱结构的吸收层，并在包括1.3μm和2.0μm波长的近红外区域中具有灵敏度。在1.3μm波长处的灵敏度与在2.0μm波长处的灵敏度的比率不小于0.5但不大于1.6。

公开(公告)号：CN104218119A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201410239477.5

申请日：2014-05-30

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 京野孝史 ,  藤井慧 ,  秋田胜史

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/101

CPC classification number: H01L31/035236 ,  G01N23/20 ,  G01N2223/611 ,  G01N2223/615 ,  H01L21/02398 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/0262 ,  H01L22/12 ,  H01L27/14694 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/184 ,  Y02E10/544

Abstract: 本发明涉及半导体元件及其制造方法。一种制造半导体元件的方法，包括通过MOVPE形成多量子阱的步骤，在该多量子阱中，在GaSb衬底上交替地堆叠GaSb层和InAs层，其中，在形成多量子阱的步骤中，将InSb膜形成在InAs层的下表面侧和上表面侧中的至少一个上以至与InAs层接触。

公开(公告)号：CN101789474B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201010108912.2

申请日：2010-01-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 盐谷阳平 ,  善积祐介 ,  上野昌纪 ,  京野孝史 ,  秋田胜史

IPC: H01L33/06

CPC classification number: H01L21/0262 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/0075

Abstract: 一种制作氮化物类半导体发光元件的方法，能够改善阱层的膜厚方向上的铟组分不均匀，并且能够降低阱层内的缺陷密度。在阱层生长的第1期间(P1)，向生长炉(10)中供给作为III族原料的镓原料和铟原料，生长InGaN薄层。在第2期间(P2)，在不供给镓原料的情况下，向生长炉(10)中供给铟原料。第2期间(P2)与第1期间(P1)连续。第1期间(P1)为时刻t3～t4、时刻t5～t6。在时刻t3～t4，生长InGaN薄层(24a)，在时刻t5～t6，生长InGaN薄层(26a)。第2期间(P2)为时刻t4～t5。活性层(21)的阱层(25)由多个InGaN薄层(24a、26a)构成。

公开(公告)号：CN101984774B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN200980104006.0

申请日：2009-07-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 善积祐介 ,  盐谷阳平 ,  京野孝史 ,  足立真宽 ,  秋田胜史 ,  上野昌纪 ,  住友隆道 ,  德山慎司 ,  片山浩二 ,  中村孝夫 ,  池上隆俊

IPC: H01S5/323 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/028 ,  H01S5/3202 ,  H01S2301/14

Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其中，具有可在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴方向倾斜的支撑基体的半极性面上实现低阈值电流的激光谐振器。作为激光谐振器的第一及第二断裂面(27)、(29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有沿m-n面与半极性主面(17a)的交叉线方向延伸的激光波导。因此，可利用实现低阈值电流的能带跃迁的发光。在激光器结构体(13)中，第一面(13a)为第二面(13b)的相反侧的面。第一及第二断裂面(27)、(29)从第一面(13a)的边缘(13c)延伸至第二面(13b)的边缘(13d)。断裂面(27)、(29)不通过干蚀刻形成，与c面、m面或a面等现有的解理面不同。

公开(公告)号：CN102549781A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201080043799.2

申请日：2010-09-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 京野孝史 ,  盐谷阳平 ,  善积祐介 ,  秋田胜史 ,  上野昌纪 ,  住友隆道 ,  足立真宽 ,  德山慎司

IPC: H01L33/32 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/3202 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/16 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明提供一种可将活性层的压电极化的朝向选择为适宜方向的制作半导体发光元件的方法。在步骤S104中，一面对基板产物施加偏压，一面进行基板产物的光致发光的测定，而获得基板产物的光致发光的偏压依赖性，该基板产物通过以所选择的一个或多个倾斜角生长用于发光层的量子阱构造、p型及n型氮化镓系半导体层而形成。在步骤S105中，根据偏压依赖性进行基板主面的所选择的各倾斜角各自在发光层的压电极化的朝向的预测。在步骤S106中，基于预测而判断应使用与基板主面对应的倾斜角及与基板主面的背面对应的倾斜角的哪一个，从而选择用以制作半导体发光元件的生长基板的面取向。将用于半导体发光元件的半导体叠层形成于生长基板的主面上。

公开(公告)号：CN102484076A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080038234.5

申请日：2010-08-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 桥本信 ,  秋田胜史 ,  中幡英章 ,  天野浩

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7785 ,  H01L29/2003

Abstract: 本发明提供一种击穿电场强度较大且结晶缺陷较少的常关型III族氮化物半导体设备、及用于制作该III族氮化物半导体设备的III族氮化物半导体层积晶圆。III族氮化物半导体层积晶圆(10)包括：基板27，其由AlN构成且具有沿该AlN结晶的c轴的主面(27a)；第一AlX1InY1Ga1-X1-Y1N层(13)，其由含有Al的III族氮化物系半导体构成且设置在主面(27a)上；以及第二AlX2InY2Ga1-X2-Y2N层(15)，其设置在主面(27a)上，由带隙比第一AlX1InY1Ga1-X1-Y1N层(13)更大的III族氮化物系半导体构成，并且与第一AlX1InY1Ga1-X1-Y1N层(13)形成异质结。

公开(公告)号：CN101542760B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200880000429.3

申请日：2008-03-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  京野孝史 ,  石桥惠二 ,  笠井仁

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供有源层(17)以使得发射具有440nm至550nm范围的发射波长的光。第一导电类型氮化镓半导体区域(13)、有源层(17)和第二导电类型氮化镓半导体区域(15)沿着预定轴Ax的方向设置。有源层(17)包括由六方晶系的InxGa1-xN(0.16≤x≤0.4，x：应变组分)的阱层，铟组成x由应变组分表示。六方晶系的InxGa1-xN的m平面沿着预定轴Ax被定向。阱层的厚度在大于3nm且小于或等于20nm之间。使阱层的厚度超过3nm，能够制造具有发射波长超过440nm的发光器件。

公开(公告)号：CN102097747A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN201010621668.X

申请日：2009-02-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 京野孝史 ,  秋田胜史 ,  善积祐介

IPC: H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3215 ,  H01S5/3407 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明提供了一种III族氮化物半导体激光器。该III族氮化物半导体激光器具有良好的光学限制特性，并且包括具有良好晶体质量的InGaN阱层。在第一光引导层(21)与第二光引导层(23)之间设置有源层(19)。有源层(19)可以包括阱层(27a)、(27b)和(27c)，并且还包括在所述阱层之间设置的至少一个第一势垒层(29a)。第一光引导层(21)和第二光引导层(23)分别包括比第一势垒层(29a)的带隙(E29)小的第一InGaN区21a和第二InGaN区23a，并且因此可以使得第一光引导层(21)和第二光引导层(23)的平均折射率(n引导)大于第一势垒层(29a)的折射率(n29)。因此，实现了良好的光学限制。第一势垒层(29a)的带隙(E29)大于第一InGaN区(21a)的带隙(E21)和第InGaN区(23a)的带隙(E23)。

公开(公告)号：CN101958509A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN201010231379.9

申请日：2010-07-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 住友隆道 ,  盐谷阳平 ,  善积祐介 ,  上野昌纪 ,  秋田胜史 ,  京野孝史

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3202 ,  H01S2302/00

Abstract: 一种氮化镓类半导体激光二极管，能够使用半极性面形成500nm以上的光的激光振荡。活性层(29)设置成产生波长500nm以上的光，因此应限制在中心半导体区域(29)的光的波长为长波长，使用双层结构的第一导光层(27)和双层结构的第二导光层(31)。由AlGaN及InAlGaN的至少任意一种构成的包层(21)的材料不同于III族氮化物半导体，并且第一外延半导体区域(15)的厚度(D15)比中心半导体区域(19)的厚度(D19)厚，但第一～第三界面J1、J2、J3上的失配位错密度为1×106cm-1以下。III族氮化物半导体激光二极管中，能够避免c面作为滑移面作用时的晶格驰豫在界面J1、J2、J3的该半导体层中产生。