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公开(公告)号：CN100459188C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200480007426.4
申请日：2004-03-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L33/60 , H01L33/486 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01S5/0224 , H01S5/02292 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明目的是提供发光元件安装用构件以及使用该构件的半导体装置，所述发光元件安装用构件以及使用该构件的半导体装置易于加工，并且可以进行充分散热。发光元件安装用构件200包括如下配置：基材2，其包括安装半导体发光元件1的元件安装表面2a以及安置在所述元件安装表面2a上并与所述半导体发光元件1连接的第一和第二导电区域21，22；反射构件6，其包括限定用于容纳所述半导体发光元件1的内部空间6b的反射表面6a并且含有安置在所述元件安装表面2a上的金属；以及安置在所述反射表面6a上的金属层13。所述反射表面6a相对于所述元件安装表面2a是倾斜的，因而所述内部空间直径更远离所述元件安装表面2a。
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公开(公告)号：CN1748327A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200480004099.7
申请日：2004-03-08
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/642 , H01L33/46 , H01L33/62 , H01L33/641 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2924/00014
Abstract: 一种半导体器件，由半导体元件产生的热能够被充分去除。半导体器件(100)包括具有底表面(2b)和与底表面(2b)相对的元件安装表面(2a)的基板(2)，及具有安装到元件安装表面(2a)上的主表面(1a)的半导体元件(1)。主表面(1a)在长边方向上的长度L与从底表面(2b)到元件安装表面(2a)的距离H之间的比率H/L设定为不小于3.0。当半导体元件为发光元件时，元件安装表面(2a)变为空腔(2u)用于容纳元件(1)，金属层(13)设置在空腔(2u)的表面上。当用于外部连接的电极(32)设置在主表面(1a)上时，防止电极(32)的连接材料(34)外流的槽在空腔侧上的连接部分处制成在主表面(1a)内。
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公开(公告)号：CN1833322A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200480007426.4
申请日：2004-03-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L33/60 , H01L33/486 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01S5/0224 , H01S5/02292 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明目的是提供发光元件安装用构件以及使用该构件的半导体装置，所述发光元件安装用构件以及使用该构件的半导体装置易于加工，并且可以进行充分散热。发光元件安装用构件200包括如下配置：基材2，其包括安装半导体发光元件1的元件安装表面2a以及安置在所述元件安装表面2a上并与所述半导体发光元件1连接的第一和第二导电区域21，22；反射构件6，其包括限定用于容纳所述半导体发光元件1的内部空间6b的反射表面6a并且含有安置在所述元件安装表面2a上的金属；以及安置在所述反射表面6a上的金属层13。所述反射表面6a相对于所述元件安装表面2a是倾斜的，因而所述内部空间直径更远离所述元件安装表面2a。
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公开(公告)号：CN100394567C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN03809710.9
申请日：2003-04-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/02236 , H01L23/488 , H01L33/62 , H01L2224/83192 , H01S5/02272 , H01S5/02476
Abstract: 一种次载具，能以高结合强度将半导体发光器装在它上面；一种半导体组件与所述次载具相结合。所述次载具包括：(a)次载具衬底；(b)形成于次载具衬底的上表面的焊料层；以及(c)焊料紧密接触层，它形成于次载具衬底与焊料层之间，并且它的结构是使主要由至少一种过渡元素构成的过渡元素层和主要由至少一种贵金属构成的贵金属层叠置。上述结构中，使过渡元素层形成于次载具衬底的侧面。所述半导体组件设置有被安置在次载具的焊料层上的半导体发光器件。
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公开(公告)号：CN1672251A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN03818487.7
申请日：2003-07-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: B23K35/0238 , B23K1/0016 , B23K1/19 , B23K35/262 , B23K35/268 , B23K35/3006 , B23K35/3013 , B23K2101/40 , B32B15/01 , B32B15/018 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/13111 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/8319 , H01L2224/83801 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01088 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/15787 , H01S5/02272 , H01L2924/01028 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
Abstract: 本发明提供了一种副支架，其使得半导体发光元件以较高的粘合强度连接。一个副支架3装有基板3和在基板的初级表面4f上形成的焊接剂层8。焊接剂层8的密度至少为焊接剂层8所用材料的理论密度的50％且不大于99.9％。焊接剂层8含有至少一种下列组分：金—锡合金、银—锡合金和铅—锡合金。焊接剂层8在其熔化之前在基板4上形成，并含有Ag膜8b和在Ag膜8b上形成的Sn膜8a。副支架3还含有在基板4和焊接剂层8之间形成的Au膜6。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1633706A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN03803944.3
申请日：2003-03-03
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/02272 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01S5/02476 , H01L2924/00
Abstract: 一种能够可靠地将半导体发光器件安置于其上的次载具和与所述次载具相结合的半导体组件。次载具3包括(a)次载具衬底4；以及(b)形成在次载具衬底4上表面4f上的焊料层8。焊料层8在熔化之前的表面粗糙度Ra最大为0.18μm。优选焊料层8在熔化之前的表面粗糙度Ra最大为0.15μm，尤其优选为0.10μm。半导体组件1包括次载具3和安置在次载具3焊料层8上的激光二极管2。
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公开(公告)号：CN100420048C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200480004099.7
申请日：2004-03-08
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/642 , H01L33/46 , H01L33/62 , H01L33/641 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种用于充分去除半导体元件产生的热的半导体器件。半导体器件(100)装配有：具有底表面(2b)和设置在底表面(2b)的相反侧上的元件安装面(2a)的基板(2)；和具有安装到元件安装面(2a)上的主表面(1a)的半导体元件(1)。L为主表面(1a)的纵向上的长度，H为底表面(2b)和元件安装面(2a)之间的距离，比率H/L为0.3或更大。当半导体元件是发光元件时，元件安装面(2a)是空腔(2u)，且元件(1)设置在空腔(2u)中。金属层(13)设置在空腔(2u)的表面上。
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公开(公告)号：CN100342510C
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN03818487.7
申请日：2003-07-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: B23K35/0238 , B23K1/0016 , B23K1/19 , B23K35/262 , B23K35/268 , B23K35/3006 , B23K35/3013 , B23K2101/40 , B32B15/01 , B32B15/018 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/13111 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/8319 , H01L2224/83801 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01088 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/15787 , H01S5/02272 , H01L2924/01028 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
Abstract: 本发明提供了一种副支架，其使得半导体发光元件以较高的粘合强度连接。一个副支架3装有基板3和在基板的初级表面4f上形成的焊接剂层8。焊接剂层8的密度至少为焊接剂层8所用材料的理论密度的50%且不大于99.9%。焊接剂层8含有至少一种下列组分：金-锡合金、银-锡合金和铅-锡合金。焊接剂层8在其熔化之前在基板4上形成，并含有Ag膜8b和在Ag膜8b上形成的Sn膜8a。副支架3还含有在基板4和焊接剂层8之间形成的Au膜6。
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公开(公告)号：CN1298032C
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN03803944.3
申请日：2003-03-03
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/02272 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01S5/02476 , H01L2924/00
Abstract: 一种能够可靠地将半导体发光器件安置于其上的次载具和与所述次载具相结合的半导体组件。次载具3包括(a)次载具衬底4；以及(b)形成在次载具衬底4上表面4f上的焊料层8。焊料层8在熔化之前的表面粗糙度Ra最大为0.18μm。优选焊料层8在熔化之前的表面粗糙度Ra最大为0.15μm，尤其优选为0.10μm。半导体组件1包括次载具3和安置在次载具3焊料层8上的激光二极管2。
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公开(公告)号：CN1650411A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN03809710.9
申请日：2003-04-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/02236 , H01L23/488 , H01L33/62 , H01L2224/83192 , H01S5/02272 , H01S5/02476
Abstract: 一种次载具，能以高结合强度将半导体发光器装在它上面；一种半导体组件与所述次载具相结合。所述次载具包括：(a)次载具衬底；(b)形成于次载具衬底的上表面的焊料层；以及(c)焊料紧密接触层，它形成于次载具衬底与焊料层之间，并且它的结构是使主要由至少一种过渡元素构成的过渡元素层和主要由至少一种贵金属构成的贵金属层叠置。上述结构中，使过渡元素层形成于次载具衬底的侧面。所述半导体组件设置有被安置在次载具的焊料层上的半导体发光器件。
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