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公开(公告)号：CN1633706A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN03803944.3
申请日：2003-03-03
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/02272 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01S5/02476 , H01L2924/00
Abstract: 一种能够可靠地将半导体发光器件安置于其上的次载具和与所述次载具相结合的半导体组件。次载具3包括(a)次载具衬底4；以及(b)形成在次载具衬底4上表面4f上的焊料层8。焊料层8在熔化之前的表面粗糙度Ra最大为0.18μm。优选焊料层8在熔化之前的表面粗糙度Ra最大为0.15μm，尤其优选为0.10μm。半导体组件1包括次载具3和安置在次载具3焊料层8上的激光二极管2。
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公开(公告)号：CN1943045A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200580011105.6
申请日：2005-02-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/60 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/13 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件安装件，该安装件的金属膜具有改进的有效光反射率，金属膜用作电极层和/或反射层；提供一种半导体发光元件安装件，其中金属膜对基材的附着力得到改进，机械强度和可靠性得到提高；以及提供这样一种半导体发光装置，即所述装置使用上述半导体发光元件安装件并具有优良的发光特性。该半导体发光元件安装件(子安装座(1))是通过在基材(10)上形成金属膜(11，12)制成的，金属膜是由Ag、Al或含有这些金属的合金形成的。金属膜(11，12)的晶粒的粒径不超过0.5μm，表面的中心线平均粗糙度Ra不超过0.1μm。半导体发光装置(LE2)包括装在子安装座(1)中的半导体发光元件(LE1)。
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公开(公告)号：CN100438103C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200580011105.6
申请日：2005-02-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/60 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/13 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件安装件，该安装件的金属膜具有改进的有效光反射率，金属膜用作电极层和/或反射层；提供一种半导体发光元件安装件，其中金属膜对基材的附着力得到改进，机械强度和可靠性得到提高；以及提供这样一种半导体发光装置，即所述装置使用上述半导体发光元件安装件并具有优良的发光特性。该半导体发光元件安装件(子安装座(1))是通过在基材(10)上形成金属膜(11，12)制成的，金属膜是由Ag、Al或含有这些金属的合金形成的。金属膜(11，12)的晶粒的粒径不超过0.5μm，表面的中心线平均粗糙度Ra不超过0.1μm。半导体发光装置(LE2)包括装在子安装座(1)中的半导体发光元件(LE1)。
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公开(公告)号：CN1298032C
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN03803944.3
申请日：2003-03-03
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/02272 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01S5/02476 , H01L2924/00
Abstract: 一种能够可靠地将半导体发光器件安置于其上的次载具和与所述次载具相结合的半导体组件。次载具3包括(a)次载具衬底4；以及(b)形成在次载具衬底4上表面4f上的焊料层8。焊料层8在熔化之前的表面粗糙度Ra最大为0.18μm。优选焊料层8在熔化之前的表面粗糙度Ra最大为0.15μm，尤其优选为0.10μm。半导体组件1包括次载具3和安置在次载具3焊料层8上的激光二极管2。
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