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公开(公告)号：CN102362339B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201080012699.3
申请日：2010-07-27
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L31/032 , H01L27/142
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L21/02491 , H01L21/02568 , H01L21/02628 , H01L31/046 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种化合物半导体的制造方法、光电转换装置的制造方法以及半导体形成用溶液。化合物半导体层的制造方法具备如下步骤：使包含I-B族元素及III-B族元素中至少一方的金属原料以金属状态溶解于包含含有硫属元素的有机化合物及路易斯碱性有机化合物的混合溶剂中以制作半导体形成用溶液的步骤；使用该半导体形成用溶液制作皮膜的步骤；以及对该皮膜进行热处理的步骤。
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公开(公告)号：CN102652367B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201180004700.2
申请日：2011-01-25
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L31/0322 , H01L31/046 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的实施方式的半导体层的制造方法具备：准备第一化合物的工序、准备第二化合物的工序、制作半导体层形成用溶液的工序、和采用该半导体层形成用溶液制作含有I-III-VI族化合物的半导体层的工序。所述第一化合物含有：第一含有硫族元素的有机化合物、第一路易斯碱、I-B族元素和第一III-B族元素。另外，所述第二化合物含有有机配体和第二III-B族元素。另外，所述半导体层形成用溶液含有所述第一化合物、所述第二化合物和有机溶剂。
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公开(公告)号：CN102272937B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201080002210.4
申请日：2010-03-29
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/032
CPC classification number: H01L31/0322 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种光电转换装置的制法，其包括：向含有包含I-B族元素、III-B族元素和硫属元素的单源前体的有机溶剂中，添加III-B族元素的硫属化物粉末，制作半导体形成用溶液的工序；使用所述半导体形成用溶液来形成含有I-III-VI族化合物的半导体的工序。
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公开(公告)号：CN102870224B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201180020811.2
申请日：2011-05-30
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/046 , H01L31/032
Abstract: 本发明提供一种提高了光电转换效率的光电转换装置。本发明的光电转换装置具有电极层（2）和设置于该电极层（2）上的光吸收层（3）。光吸收层（3）是层叠多个含有黄铜矿系化合物半导体的半导体层而成。所述半导体层含有氧，并且所述半导体层的相互层叠侧表面附近的氧摩尔浓度，高于所述半导体层的平均氧摩尔浓度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102859713A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180020804.2
申请日：2011-07-27
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L31/046 , H01L31/0465 , H01L31/0749 , Y02E10/541
Abstract: 本发明提供一种光吸收层与电极层之间的粘接性高、且光电转换效率高的光电转换装置。本发明的光电转换装置（10）具有包含黄铜矿系化合物半导体和氧的光吸收层（3）。光吸收层（3）的内部具有空洞（3a）。空洞（3a）附近的氧原子浓度高于光吸收层（3）中的平均氧原子浓度。
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公开(公告)号：CN102652367A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201180004700.2
申请日：2011-01-25
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L31/0322 , H01L31/046 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的实施方式的半导体层的制造方法具备：准备第一化合物的工序、准备第二化合物的工序、制作半导体层形成用溶液的工序、和采用该半导体层形成用溶液制作含有I-III-VI族化合物的半导体层的工序。所述第一化合物含有：第一含有硫族元素的有机化合物、第一路易斯碱、I-B族元素和第一III-B族元素。另外，所述第二化合物含有有机配体和第二III-B族元素。另外，所述半导体层形成用溶液含有所述第一化合物、所述第二化合物和有机溶剂。
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公开(公告)号：CN102549764A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201080045441.3
申请日：2010-12-16
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L21/208
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L21/02551 , H01L21/02568 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L31/0322 , H01L31/046 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的目的在于提供可容易制造所期望的厚度的良好的半导体层的半导体层的制造方法、光电转换装置的制造方法和半导体层形成用溶液。为了达成该目的，首先制成含有金属元素、含硫属元素的有机化合物和路易斯碱性有机化合物的原料溶液。然后，通过对所述原料溶液进行加热，从而制成多个微粒。该多个微粒含有作为所述金属元素和包含在所述含硫属元素的有机化合物中的硫属元素的化合物的金属硫属化物。随后，使用分散有所述多个微粒的半导体层形成用溶液来形成半导体层。
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公开(公告)号：CN102362339A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201080012699.3
申请日：2010-07-27
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L21/368 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L21/02491 , H01L21/02568 , H01L21/02628 , H01L31/046 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种化合物半导体的制造方法、光电转换装置的制造方法以及半导体形成用溶液。化合物半导体层的制造方法具备如下步骤：使包含I-B族元素及III-B族元素中至少一方的金属原料以金属状态溶解于包含含有硫属元素的有机化合物及路易斯碱性有机化合物的混合溶剂中以制作半导体形成用溶液的步骤；使用该半导体形成用溶液制作皮膜的步骤；以及对该皮膜进行热处理的步骤。
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公开(公告)号：CN102272937A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201080002210.4
申请日：2010-03-29
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0322 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种光电转换装置的制法，其包括：向含有包含I-B族元素、III-B族元素和硫属元素的单源前体的有机溶剂中，添加III-B族元素的硫属化物粉末，制作半导体形成用溶液的工序；使用所述半导体形成用溶液来形成含有I-III-VI族化合物的半导体的工序。
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